1.一种半导体结构，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底具有器件隔离结构，以在所述半导体衬底上形成器件有源区；
形成在所述器件有源区内的沟槽结构，所述沟槽结构包括：
第一沟槽，所述第一沟槽位于所述半导体衬底内并从所述半导体衬底的上表面向下表面延伸，所述第一沟槽具有第一开口宽度；
第二沟槽，所述第二沟槽位于所述半导体衬底内并从所述第一沟槽的底部向所述半导体衬底的下表面延伸，所述第二沟槽具有第二开口宽度，所述第二开口宽度小于所述第一开口宽度；以及
栅极结构，所述栅极结构位于所述沟槽结构内。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一沟槽的深度不大于500nm，所述第一开口宽度介于0.1-100nm，所述第二沟槽的深度不大于100nm，所述第二开口宽度介于0.1-50nm。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层、栅电极层以及栅极隔离层，所述栅介质层覆盖在所述沟槽结构的侧壁和底表面上，所述栅电极层填充在具有所述栅介质层的沟槽结构中且顶表面低于所述第一沟槽的顶表面，所述栅极隔离层填满所述栅电极层上方的所述沟槽结构。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述器件隔离结构包括沟槽隔离结构。