一种发光元件的制作方法

文档序号:17824343发布日期:2019-06-05 22:31阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种发光元件,包括支架、LED芯粒、金线、封装层,所述支架上表面设置有放置LED芯粒的凹陷部,所述支架包括相互绝缘的第一支架和第二支架,LED芯粒的至少一个电极通过金线与支架电极相连,所述LED芯粒通过固晶层固定于所述凹陷部内,所述封装层覆盖于所述LED芯粒的上方,其特征在于:所述封装层与所述支架、LED芯粒、金线之间还设置有一绝缘保护层。

2.根据权利要求1所述的一种发光元件,其特征在于:所述绝缘保护层覆盖于所述支架内壁和所述LED芯粒和所述金线表面。

3.根据权利要求1所述的一种发光元件,其特征在于:所述绝缘保护层为SiO2层。

4.根据权利要求1所述的一种发光元件,其特征在于:所述第一支架与所述第二支架之间设置有绝缘块。

5.根据权利要求1所述的一种发光元件,其特征在于:所述第一支架与所述第二支架相互分离。

6.根据权利要求1所述的一种发光元件,其特征在于:所述LED芯片为正装结构或者垂直结构。

7.根据权利要求6所述的一种发光元件,其特征在于:所述LED芯片为正装结构时,所述固晶层为绝缘层。

8.根据权利要求6所述的一种发光元件,其特征在于:所述LED芯片为垂直结构时,所述固晶层为导电层。

9.根据权利要求1所述的一种发光元件,其特征在于:所述LED芯粒至少包括第一半导体层、第二半导体层、设置于第一半导体层与第二半导体层之间的多量子阱发光层,以及设置于第一半导体层上的第一电极和设置于第二半导体层上的第二电极。

10.根据权利要求9所述的一种发光元件,其特征在于:所述第一半导体层为N型半导体层,所述第二半导体层为P型半导体层。

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