技术总结
本实用新型公开了一种具有自对准栅电极结构的场效应管，包括衬底，衬底上设有沟道材料层，沟道材料层中部为栅电极区域，栅电极区域两侧为源极区域和漏极区域，源极区域和漏极区域上均沉积有第一金属层，第一金属层上沉积有第二金属层，第二金属层上沉积有第三金属层，栅电极区域上沉积有栅介质层，栅介质层上沉积栅金属以形成栅电极。本实用新型的场效应管中，先形成三层金属堆叠的源漏电极，再选择性地腐蚀第二层金属，形成侧向凹陷的源漏电极，最后形成自对准的栅电极，由于与石墨烯相接触的第一层金属不会被腐蚀，栅极与源漏极间的连接区域的长度不会被改变，因此，源漏电极侧向凹陷的程度不会改变连接电阻的大小。
技术研发人员：周细凤;曾荣周
受保护的技术使用者：湖南工程学院
技术研发日：2018.11.27
技术公布日：2019.08.27