技术特征:
技术总结
提供一种对硅氧化膜、硅氮化膜进行原子层蚀刻的方法。通过重复进行以下3个步骤而进行原子层蚀刻(ALE),所述3个步骤为:氢化步骤(1),对硅氧化膜、硅氮化膜等照射包含H的等离子体而对表面进行氢化;酰基卤吸附步骤(2),进行式Rf‑COX(式中,Rf为H或F或包含C及F的取代基或包含C、H及F的取代基或‑COX,各X独立地为F、Cl、Br、I中任意卤素原子)所示的酰基卤暴露,使酰基卤与氢化后的表面反应而使Rf‑COX化学吸附于表面;蚀刻步骤(3),照射包含稀有气体(至少为He、Ar、Ne、Kr、Xe中的任一种)的等离子体,引起吸附有酰基卤的硅氧化膜、硅氮化膜表面的化学反应、进行一原子层厚的蚀刻。
技术研发人员:加藤惟人;深江功也;高桥至直
受保护的技术使用者:关东电化工业株式会社
技术研发日:2018.09.14
技术公布日:2019.05.21