半导体加工用带的制作方法

本发明涉及能够扩张的半导体加工用带，其于将晶片截断为芯片状元件的切割工序中能够用于固定晶片，进而亦能够用于切割后使芯片与芯片之间或使芯片与基板之间粘接的芯片接合工序、安装工序中，并且能够用于利用扩张使粘接剂层沿着芯片截断的工序中。
背景技术：
：以往，集成电路(ic：integratedcircuit)等半导体装置的制造工序中，实施如下工序：为使电路图案形成后的晶片薄膜化而磨削晶片背面的背面研磨工序、于晶片背面贴附具有粘合性及伸缩性的半导体加工用带后，以芯片单元将晶片截断的切割工序、将半导体加工用带扩展(扩张)的扩张工序、将经截断的芯片予以拾取的拾取工序、进而将经拾取的芯片粘接于引线框或封装基板等(或者于堆叠封装中，使芯片彼此层叠、粘接)的芯片接合(安装)工序。上述背面研磨工序中，为了保护晶片的电路图案形成面(晶片表面)免于受污染，而使用表面保护带。晶片的背面磨削结束后，在要从晶片表面剥离该表面保护带时，于晶片背面贴合以下所述的半导体加工用带(切割-芯片接合带)后，将半导体加工用带侧固定于吸附台，对表面保护带施以使对晶片的粘接力降低的处理后，剥离表面保护带。经剥离表面保护带后的晶片随后以于背面贴合了晶片的状态自吸附台拿起，供于之后的切割工序。另外，上述的使粘接力降低的处理于表面保护带由紫外线等能量射线固化性成分形成时为能量射线照射处理，于表面保护带由热固化性成分形成时为加热处理。上述背面研磨工序后的切割工序～安装工序中，使用于基材膜上依序层叠有粘合剂层及粘接剂层的半导体加工用带。一般，使用这样的半导体加工用带时，首先于晶片背面贴合半导体加工用带的粘接剂层，使晶片固定，使用切割刀片以芯片单元对晶片及粘接剂层予以切割。随后，通过使胶带于晶片的径向扩展，而实施扩大芯片彼此的间隔的扩张工序。该扩张工序是为了于随后的拾取工序中，提高基于ccd相机等的芯片辨识性并且于拾取芯片时防止因相邻的芯片彼此接触而产生的芯片破损而实施的。随后，芯片于拾取工序与粘接剂层一起自粘合剂层剥离并拾取，于安装工序，直接粘接于引线框或封装基板等。如此，通过使用半导体加工用带，能够将带粘接剂层的芯片直接粘接于引线框、封装基板等，故可省略粘接剂的涂布工序、另外对各芯片粘接芯片接合膜的工序。然而，上述切割工序中，如上述，由于使用切割刀片将晶片与粘接剂层一起切割，故不仅发生晶片的切削屑，亦发生粘接剂层的切削屑。因此，于粘接剂层的切削屑阻塞于晶片的切割槽时，芯片彼此紧粘在一起而发生拾取不良等，而有半导体装置的制造成品率降低的问题。为了解决这样的问题，而提案有于切割工序中利用刀片仅对晶片切割，于扩张工序中通过扩展半导体加工用带将粘接剂层按照各个芯片进行截断的方法(例如专利文献1)。如此，依据利用扩展时的张力使粘接剂层截断的方法，不会发生粘接剂的切削屑，对于拾取工序亦不会造成不良影响。另外，近年来，作为晶片的截断方法，提案有通过使用激光加工装置而能够非接触地截断晶片的所谓隐形切割(stealthdicing)法。例如，专利文献2中作为隐形切割法揭示了具备下述工序的半导体基板的截断方法，即，介隔粘接剂层(芯片接合树脂层)，将焦点光对准于贴附有片的半导体基板内部，通过照射激光光，而于半导体基板内部通过多光子吸收形成改性区域，将该改性区域作为截断预定部的工序，以及通过将片扩展而沿着截断预定部截断半导体基板及粘接剂层的工序。另外，作为使用激光加工装置的其他晶片截断方法，例如于专利文献3中揭示了一种晶片的分割方法，其包含下述工序：于晶片背面安装芯片接合用的粘接剂层(粘接膜)的工序，于贴合了该粘接剂层的晶片的粘接剂层侧贴合能够伸长的保护粘合带的工序，自贴合了保护粘合带的晶片表面沿着间隔道照射激光光线，而分割为各个芯片的工序，扩展保护粘合带而对粘接剂层赋予拉伸力，使粘接剂层按照每个芯片进行断裂的工序，以及使经断裂的贴合有粘接剂层的芯片自保护粘合带脱离的工序。依据这些专利文献2及专利文献3中记载的晶片截断方法，由于利用激光光的照射及胶带的扩展而非接触地截断晶片，故对晶片的物理负荷小，能够在不发生进行现在主流的刀片切割时的晶片切削屑(切屑)的情况下进行晶片截断。另外，由于利用扩展截断粘接剂层，故亦不发生粘接剂层的切削屑。因此，作为可替代刀片切割的优异技术受到瞩目。然而，如上述专利文献1～3所记载，利用扩张而扩展、使粘接剂层截断的方法，于使用以往的半导体加工用带时，会有如下问题：随着扩张量的上升，扩张环处受到顶起的部分伸长，于解除扩张后该部分松弛，而无法保持芯片间的间隔(以下称为“切口宽度”)。因此，提案有利用扩张而使粘接剂层截断，解除扩张后，通过加热使半导体加工用带的松弛部分收缩，而保持切口宽度的方法(例如专利文献4、5)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-5530号公报专利文献2：日本特开2003-338467号公报专利文献3：日本特开2004-273895号公报专利文献4：国际公开第2016/152957号专利文献5：日本特开2015-211081号公报技术实现要素：发明要解决的课题不过，作为利用加热使因扩张产生的半导体加工用带的松弛收缩的方法，一般使用如下的方法，即，对于扩张环处被顶起并产生松弛的圆环状部分，通过环绕一对温风喷嘴，而使温风碰触该部分进行加热收缩。上述专利文献4所记载的半导体加工用带，于100℃加热10秒时的胶带的长度方向及宽度方向这两个方向的热收缩率为0％以上20％以下。然而，环绕温风喷嘴而加热时，由于半导体加工用带的表面附近的温度缓缓上升，故有为了去除圆环状全部部位的松弛而耗费时间的问题。另外，有切口宽度的保持性不充分，拾取时相邻芯片彼此接触，产生芯片缺损，而使半导体部件制造工序的成品率恶化的问题。另外，上述专利文献5所记载的半导体加工用带于130℃～160℃的收缩率为0.1％以上(参考专利文献5说明书的权利要求1)，产生收缩的温度高。因此，利用温风进行加热收缩时，需要高的温度与长的加热时间，而有温风的影响波及到晶片外周附近的粘接剂层，使分割了的粘接剂层熔融并再熔接的可能性。另外，有切口宽度的保持性不充分，拾取时相邻芯片彼此接触，产生芯片缺损，而使半导体部件制造工序的成品率恶化的问题。因此，本发明的目的在于提供能够在短时间充分加热收缩、且能够以可以抑制拾取时相邻芯片彼此接触、产生芯片缺损的程度充分保持切口宽度的半导体加工用带。用以解决课题的手段为了解决上述课题，本发明的半导体加工用带的特征在于，具有粘合带，该粘合带具有基材膜、及形成于所述基材膜的至少一面侧的粘合剂层，所述粘合带中，md方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值与td方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值之和为负值。另外，上述半导体加工用带优选于所述粘合剂层侧依序层叠有粘接剂层与剥离膜。另外，上述半导体加工用带优选用于全切及半切的刀片切割、全切的激光切割、或利用激光的隐形切割(stealthdicing)。发明效果依据本发明的半导体加工用带，可以短时间充分加热收缩、且能够以可以抑制拾取时相邻芯片彼此接触而发生芯片缺损的程度充分保持切口宽度。附图说明图1为示意性示出本发明的实施方式的半导体加工用带的结构的剖面图。图2为示出于晶片贴合表面保护带的状态的剖面图。图3为用以说明对本发明实施方式的半导体加工用带贴合晶片与环框架的工序的剖面图。图4为说明自晶片表面剥离表面保护带的工序的剖面图。图5为示出利用激光加工于晶片形成改性区域的样子的剖面图。图6(a)为示出将本发明实施方式的半导体加工用带搭载于扩张装置的状态的剖面图。(b)为示出利用半导体加工用带的扩展而使晶片截断为芯片的过程的剖面图。(c)为示出扩展后的半导体加工用带、粘接剂层及芯片的剖面图。图7为用以说明加热收缩工序的剖面图。图8为示出实施例及比较例的评价中的切口宽度测定地点的说明图。图9为热变形率的测定结果的例子。具体实施方式以下针对本发明的实施方式详细说明。图1为示出本发明的实施方式的半导体加工用带10的剖面图。本发明的半导体加工用带10于利用扩张将晶片截断为芯片时，将粘接剂层13沿芯片截断。该半导体加工用带10具有包含基材膜11与设于基材膜11上的粘合剂层12的粘合带15、及设于粘合剂层12上的粘接剂层13，且于粘接剂层13上贴合晶片背面。另外，各层亦可配合使用工序、装置预先截断为规定形状(预切割)。此外，本发明的半导体加工用带10亦可为以每1片晶片截断的形态，亦可为将形成有多个依每1片晶片截断的胶带的长条片卷取为卷筒状的形态。以下，针对各层的构成加以说明。<基材膜>基材膜11于具有均匀且各向同性的扩展性、及于扩张工序中晶片可不偏颇地于全部方向截断的方面而言是优选的，关于其材质并无特别限定。一般，交联树脂与非交联树脂相比，对于拉伸的复原力较大，于扩张工序后的经拉伸的状态施加热时的收缩应力较大。因此，对于扩张工序后利用加热收缩去除于胶带产生的松弛，使胶带张紧而稳定地保持各个芯片的间隔(切口宽度)的方面而言优异。交联树脂中更优选使用热塑性交联树脂。另一方面，非交联树脂与交联树脂相比，对于拉伸的复原力较小。因此，于如-15℃～0℃的低温区域的扩张工序后，一度松弛，且回到常温后面向拾取工序、安装工序时的胶带不易收缩，故就可防止附着于芯片的粘接剂层彼此接触的方面而言优异。非交联树脂中更优选使用烯烃系非交联树脂。作为这样的热塑性交联树脂例示为例如将乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或以乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯为主要聚合物构成成分的三元共聚物用金属离子予以交联了的离聚物树脂。这些就均匀扩展性的方面而言适于扩张工序，且就通过交联在加热时发挥强复原力的方面而言是特别合适的。上述离聚物树脂所含的金属离子并无特别限定，但举例为锌、钠等，锌离子的溶出性低，从而从低污染性方面考虑是优选的。上述三元共聚物的(甲基)丙烯酸烷基酯中，碳数为1～4的烷基的弹性模量高，就可对晶片传播较强的力而言是优选的。作为这样的(甲基)丙烯酸烷基酯举例为甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯等。另外，作为上述的热塑性交联树脂，除上述离聚物树脂以外，亦适合为对自比重0.910以上～小于0.930的低密度聚乙烯、或比重小于0.910的超低密度聚乙烯、以及乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中选出的树脂照射电子束等能量射线而交联的树脂。这样的热塑性交联树脂由于在树脂中共存交联部位及非交联部位，故具有一定的均匀扩展性。另外，由于加热时发挥强的复原力，故就去除扩张工序中产生的胶带的松弛而言亦是适合的，由于分子链的构成中几乎不含氯，故使用后不要的胶带即使焚烧处理，亦不会发生二噁英或其类似物这样的氯代芳香族烃，故对环境负荷亦小。通过适宜调制对上述聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物照射的能量射线的量，可获得具有充分均匀扩展性的树脂。另外，作为非交联树脂，例示有例如聚丙烯与苯乙烯-丁二烯共聚物的混合树脂组合物。作为聚丙烯，可使用例如丙烯的均聚物或嵌段型或无规型丙烯-乙烯共聚物。无规型的丙烯-乙烯共聚物刚性较小而优选。丙烯-乙烯共聚物中的乙烯构成单元的含有率为0.1重量％以上时，就胶带的刚性及混合树脂组合物中的树脂彼此的相容性高的方面而言优异。胶带的刚性若适当，则晶片的截断性提高，树脂彼此的相容性高时易使挤出喷出量稳定化。更优选为1重量％以上。另外，丙烯-乙烯共聚物中的乙烯构成单元的含有率若为7重量％以下，则就易使聚丙烯稳定聚合而言优异。更优选为5重量％以下。作为苯乙烯-丁二烯共聚物亦可使用经氢化而得的共聚物。苯乙烯-丁二烯共聚物若经氢化，则与丙烯的相容性良好且能够防止起因于丁二烯中的双键的氧化劣化所致的脆化、变色。另外，苯乙烯-丁二烯共聚物中的苯乙烯构成单元的含有率若为5重量％以上，则就苯乙烯-丁二烯共聚物易于稳定聚合而言是优选的。且若为40重量％以下，则就柔软且扩展性的方面而言优异。更优选为25重量％以下，进一步优选为15重量％以下。作为苯乙烯-丁二烯共聚物可使用嵌段型共聚物或无规型共聚物的任意者。无规型共聚物由于苯乙烯相均匀分散，能够抑制刚性过于变大，而提高扩展性，故而优选。混合树脂组合物中的聚丙烯的含有率若为30重量％以上，则就能够抑制基材膜的厚度不均而言优异。厚度若均匀，则扩展性容易各向同性化，且容易防止基材膜的应力缓和性过于变大、芯片间距离经时变小、使粘接剂层彼此接触而再熔接。更优选为50重量％以上。另外，聚丙烯的含有率若为90重量％以下，则容易适当调整基材膜的刚性。基材膜的刚性过于变大时，由于为了扩展基材膜所需的力变大，故装置的负荷变大，而有无法充分扩张至使晶片、粘接剂层13截断的情况，故重要的是适当调整。混合树脂组合物中的苯乙烯-丁二烯共聚物的含有率的下限优选为10重量％以上，容易调整为适于装置的基材膜的刚性。上限若为70重量％以下，就能够抑制厚度不均的方面而言优异，更优选为50重量％以下。另外，图1所示的例中，基材膜11为单层，但不限定于此，可为2种以上的树脂层叠而成的多层结构，亦可层叠2层以上的1种树脂。2种以上的树脂的交联性或非交联性若统一，则就可更增强地展现各自的特性的观点而言是优选的，组合层叠交联性或非交联性时就补足各自的缺点的方面而言是优选的。基材膜11的厚度并无特别规定，只要具有于半导体加工用带10的扩张工序中容易拉伸且不会断裂的充分强度即可。例如宜为50～300μm左右，更优选为70μm～200μm。作为多层基材膜11的制造方法，可使用以往公知的挤出法、层压法等。使用层压法时，亦可于层间介隔粘接剂。作为粘接剂可使用以往公知的粘接剂。<粘合剂层>粘合剂层12可于基材膜11上涂布粘合剂组合物而形成。构成本发明的半导体加工用带10的粘合剂层12只要于切割时不产生与粘接剂层13的剥离，具有不发生芯片飞散等不良的程度的保持性、于拾取时容易与粘接剂层13剥离的特性即可。本发明的半导体加工用带10中，构成粘合剂层12的粘合剂组合物的构成并无特别限定，但为了提高切割后的拾取性，优选为能量射线固化性的构成，优选为固化后容易与粘接剂层13剥离的材料。作为一个方式，例示有于粘合剂组合物中具有作为基础树脂的聚合物(a)者，该聚合物(a)包含60摩尔％以上的具有碳数为6～12的烷基链的(甲基)丙烯酸酯，且具有碘价5～30的能量射线固化性碳-碳双键。另外，此处所谓能量射线是指如紫外线的光线、或电子束等电离性辐射线。这样的聚合物(a)中，能量射线固化性碳-碳双键的导入量若以碘价计为5以上，则就能量射线照射后的粘合力的降低效果变高的方面而言优异。更优选为10以上。另外，以碘价计若为30以下，则就能量射线照射后至拾取前的芯片的保持力高、于紧邻拾取工序的扩展时容易扩大芯片间隙的方面而言优异。拾取工序前若可充分扩大芯片的间隙，则拾取时的各芯片的图像辨识较容易，或者变得容易拾取，故而优选。另外，碳-碳双键的导入量以碘价计若为5以上30以下，则聚合物(a)本身具有稳定性，制造变得容易，故而优选。此外，聚合物(a)的玻璃化转变温度若为-70℃以上，则对伴随能量射线照射的热的耐热性方面而言优异，更优选为-66℃以上。另外，若为15℃以下，则就表面状态粗糙的晶片中的切割后防止芯片飞散的效果的方面而言优异，更优选为0℃以下，进一步优选为-28℃以下。上述的聚合物(a)可以以任意方式制作，可使用例如使丙烯酸系共聚物与具有能量射线固化性碳-碳双键的化合物混合所得者，或使具有官能团的丙烯酸系共聚物或具有官能团的甲基丙烯酸系共聚物(a1)与具有可与该官能团反应的官能团且具有能量射线固化性碳-碳双键的化合物(a2)反应所得者。其中，作为上述具有官能团的甲基丙烯酸系共聚物(a1)，例示有使丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯等具有碳-碳双键的单体(a1-1)与具有碳-碳双键且具有官能团的单体(a1-2)共聚所得者。作为单体(a1-1)可列举具有碳数为6～12的烷基链的丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二烷酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸月桂酯、或作为烷基链的碳数为5以下的单体的丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯或与这些同样的甲基丙烯酸酯等。另外，单体(a1-1)中烷基链的碳数为6以上的成分由于可使粘合剂层与粘接剂层的剥离力减小，故就拾取性的方面而言优异。另外，碳数12以下的成分，其室温下的弹性模量低，就粘合剂层与粘接剂层的界面的粘接力的方面而言优异。粘合剂层与粘接剂层的界面的粘接力高时，在使胶带扩展而截断晶片时，能够抑制粘合剂层与粘接剂层的界面偏移(ズレ)，而提高截断性，故而优选。此外，作为单体(a1-1)，由于越使用烷基链的碳数大的单体，玻璃化转变温度越变低，故通过适当选择，可调制具有期望玻璃化转变温度的粘合剂组合物。另外，除玻璃化转变温度以外，也可出于提高相容性等各种性能的目的，而配合乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等具有碳-碳双键的低分子化合物。该情况下，这些低分子化合物以单体(a1-1)的总质量的5质量％以下的范围配合。另一方面，作为单体(a1-2)所具有的官能团可举例为羧基、羟基、氨基、环状酸酐基、环氧基、异氰酸酯基等，作为单体(a1-2)的具体例可列举为丙烯酸、甲基丙烯酸、月桂酸、衣康酸、富马酸、邻苯二甲酸、丙烯酸2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2-羟基烷基酯类、二醇单丙烯酸酯类、二醇单甲基丙烯酸酯类、n-羟甲基丙烯酰胺、n-羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、丙烯酸n-烷基氨基乙酯类、甲基丙烯酸n-烷基氨基乙酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、邻苯二甲酸酐、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚等。此外，化合物(a2)中，作为所用的官能团，于化合物(a1)所具有的官能团为羧基或环状酸酐基时，可举例为羟基、环氧基、异氰酸酯基等，为羟基时，可举例为环状酸酐基、异氰酸酯基等，为氨基时，可举例为环氧基、异氰酸酯基等，为环氧基时，可举例为羧基、环状酸酐基、氨基等，作为具体例可列举与单体(a1-2)的具体例所列举者相同者。另外，作为化合物(a2)，亦可使用将多异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的一部分以具有羟基或羧基及能量射线固化性碳-碳双键的单体予以氨基甲酸酯化者。另外，化合物(a1)与化合物(a2)的反应中，通过残留未反应官能团，可制造对于酸价或羟基价等特性所期望的物质。以聚合物(a)的羟基价成为5～100的方式残留oh基时，通过降低能量射线照射后的粘合力而可进一步降低拾取错误的危险性。另外，以使聚合物(a)的酸价成为0.5～30的方式残留cooh基时，获得将本发明的半导体加工用带扩展后的粘合剂层复原后的改善效果而优选。聚合物(a)的羟基价为5以上时，就能量射线照射后的粘合力降低的效果方面而言优异，若为100以下，则就能量射线照射后的粘合剂的流动性的方面而言优异。且酸价为0.5以上时，就胶带的复原性方面而言优异，为30以下时，就粘合剂的流动性方面而言优异。上述聚合物(a)的合成中，作为以溶液聚合进行反应时的有机溶剂可使用酮系、酯系、醇系、芳香族系者，但其中优选为甲苯、乙酸乙酯、异丙醇、苯甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮等一般而言丙烯酸系聚合物的良溶剂、且沸点60～120℃的溶剂，作为聚合引发剂，通常使用α,α’-偶氮二异丁腈等偶氮二系、苯甲酰基过氧化物等有机过氧化物系等自由基产生剂。此时，可根据需要并用催化剂、阻聚剂，通过调节聚合温度及聚合时间，可获得期望分子量的聚合物(a)。另外，关于分子量的调节，优选使用硫醇、四氯化碳系溶剂。另外，该反应并不限定于溶液聚合，亦可为本体聚合、悬浮聚合等其他方法。如以上地可获得聚合物(a)，但本发明中，使聚合物(a)的分子量为30万以上时，就提高凝聚力的方面而言优异。凝聚力高时，由于具有于扩张时抑制与粘接剂层的界面偏移的效果，容易向粘接剂层传递拉伸力，故就粘接剂层的分割性提高的方面而言优选。聚合物(a)的分子量为200万以下时，就合成时及涂布时的凝胶化抑制方面而言优异。另外，本发明中的分子量为聚苯乙烯换算的质均分子量。另外，本发明的半导体加工用带10中，构成粘合剂层12的树脂组合物，除了聚合物(a)以外，亦可还具有作为交联剂发挥作用的化合物(b)。举例为例如多异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂、及环氧树脂，这些可单独使用或组合2种以上使用。该化合物(b)与聚合物(a)或基材膜反应，通过结果得到的交联结构，而于粘合剂组合物涂布后可提高以聚合物(a)及(b)为主成分的粘合剂的凝聚力。作为多异氰酸酯类并无特别限制，可举例为例如4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、二甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基醚二异氰酸酯、4,4’-[2,2-双(4-苯氧基苯基)丙烷]二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、4,4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、2,4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯、赖氨酸三异氰酸酯等，具体可使用coronatel(日本聚氨酯股份有限公司制，商品名)等。作为三聚氰胺-甲醛树脂，具体可使用nikalacmx-45(三和化学股份有限公司制，商品名)、melan(日立化成工业股份有限公司制，商品名)等。作为环氧树脂，可使用tetrad-x(三菱化学股份有限公司制，商品名)等。本发明中，尤其优选使用多异氰酸酯类。将化合物(b)的添加量相对于聚合物(a)100质量份设为0.1质量份以上的粘合剂层，就凝聚力方面而言优异。更优选为0.5质量份以上。另外，设为10质量份以下的粘合剂层，就涂布时抑制激烈胶凝化的方面而言优异，粘合剂的配合、涂布等作业性变良好。更优选为5质量份以下。另外，本说明书中，粘合剂层12中，亦可包含光聚合引发剂(c)。粘合剂层12中所含的光聚合引发剂(c)并无特别限制，可使用以往公知者。可举例为例如二苯甲酮、4,4’-二甲氨基二苯甲酮、4,4’-二乙氨基二苯甲酮、4,4’-二氯二苯甲酮等二苯甲酮类、苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等苯乙酮类、2-乙基蒽醌、叔丁基蒽醌等蒽醌类、2-氯噻吨酮、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、联苯酰、2,4,5-三芳基咪唑二聚物(洛芬碱(lophine)二聚物)、吖啶系化合物等，这些可单独或组合2种以上使用。作为光聚合引发剂(c)的添加量，优选相对于聚合物(a)100质量份配合0.1质量份以上，更优选为0.5质量份以上。另外，其上限优选为10质量份以下，更优选为5质量份以下。另外，本发明所用的能量射线固化性粘合剂可根据需要配合增粘剂、粘合调制剂、表面活性剂等或其他改性剂等。另外，亦可适当添加无机化合物填料。粘合剂层12可利用以往的粘合剂层形成方法形成。例如通过将上述粘合剂组合物涂布于基材膜11的规定面上而形成的方法，或将上述粘合剂组合物涂布于间隔件(例如涂布有脱模剂的塑料制膜或片等)上形成粘合剂层12后，将该粘合剂层12转印于基材的规定面的方法，由此可于基材膜11上形成粘合剂层12。另外，粘合剂层12可具有单层形态，亦可具有层叠的形态。作为粘合剂层12的厚度并无特别限制，厚度若为2μm以上，则就触粘力的方面而言优异，更优选为5μm以上。若为15μm以下，则拾取性优异，更优选为10μm以下。粘合带15中，md(machinedirection，加工方向)方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值与td(transversedirection，横向方向)方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值之和为负值即小于0。md方向为膜成膜时的行进方向，td方向为与md方向垂直的方向。通过使粘合带15的md方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值与td方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值之和成为负值，可利用低温且短时间的加热使半导体加工用带10收缩。因此，即使在使用对半导体加工用带10的产生松弛的部分环绕一对温风喷嘴进行加热收缩的方式的情况下，即使不在降低扩张量的同时数次进行加热收缩，亦能够以短时间去除扩张所产生的松弛，可保持适当的切口宽度。热变形率可依据jisk7197:2012测定因温度所致的变形量，由下述式(1)算出。热变形率tma(％)＝(试样长度的变形量/测定前的试样长度)×100(1)另外，对于变形量，将试样的膨胀方向表示为正，收缩方向表示为负。在40℃～80℃之间的热变形率如图9中的md方向的曲线或td方向的曲线，md方向的平均值与td方向的平均值之和成为负值，意指在40℃～80℃之间粘合带总体显示出收缩的行为。为了使上述md方向的热变形率的平均值与td方向的热变形率的平均值之和成为负值，于将树脂膜制膜后追加拉伸工序，根据构成粘合带15的树脂种类，调整粘合带15的厚度、md方向或td方向的拉伸量即可。作为将粘合带沿td方向进行拉伸的方法，举例有使用拉幅机的方法、吹塑成形(吹胀)的方法、使用扩张辊的方法等，作为于md方向拉伸的方法，举例有于模具喷出时进行拉伸的方法、在运送辊中进行拉伸的方法等。作为获得本发明的粘合带15的方法可使用任何方法。<粘接剂层>本发明的半导体加工用带10中，粘接剂层13为于贴合晶片并切割后，于拾取芯片时，自粘合剂层12剥离并附着于芯片者。并且，作为将芯片固定于基板、引线框时的粘接剂使用。粘接剂层13并无特别限制，但只要为晶片一般所使用的膜状粘接剂即可，可举例为例如含有热塑性树脂及热聚合性成分而成者。本发明的粘接剂层13所使用的上述热塑性树脂优选为具有热塑性的树脂、或于未固化状态具有热塑性并在加热后形成交联结构的树脂，并无特别限制，但作为一个方式，举例为重均分子量为5000～200,000且玻璃化转变温度为0～150℃的热塑性树脂。另外，作为其他方式，举例为重均分子量为100,000～1,000,000且玻璃化转变温度为-50～20℃的热塑性树脂。作为前者的热塑性树脂，举例为聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂等，其中优选使用聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂，作为后者的热塑性树脂优选使用包含官能团的聚合物。聚酰亚胺树脂可使四羧酸二酐与二胺通过公知方法缩合反应而得。即，在有机溶剂中使用等摩尔或大致等摩尔的四羧酸二酐与二胺(各成分的添加顺序为任意)，于反应温度80℃以下，优选0～60℃进行加成反应。随着反应推进，反应液的粘度缓缓上升，生成作为聚酰亚胺前体的聚酰胺酸。该聚酰胺酸可通过于50～80℃的温度加热而解聚，由此来调整其分子量。聚酰亚胺树脂可通过使上述反应物(聚酰胺酸)脱水闭环而得。脱水闭环可通过进行加热处理的热闭环法、和使用脱水剂的化学闭环法进行。作为聚酰亚胺树脂的原料使用的四羧酸二酐并无特别限制，可使用例如1,2-(亚乙基)双(偏苯三酸酐)、1,3-(三亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,4-(四亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,5-(五亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,6-(六亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,7-(七亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,8-(八亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,9-(九亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,10-(十亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,12-(十二亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,16-(十六亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,18-(十八亚甲基)双(偏苯三酸酐)、均苯四酸二酐、3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐、2,2’,3,3’-联苯四羧酸二酐、2,2-双(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-双(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、1,1-双(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-双(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、双(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)砜二酐、3,4,9,10-苝四羧酸二酐、双(3,4-二羧基苯基)醚二酐、苯-1,2,3,4-四羧酸二酐、3,4,3’,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,2’,3’-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3,3’,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,2,4,5-萘四羧酸二酐、2,6-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,7-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-四氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、菲-1,8,9,10-四羧酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四羧酸二酐、噻吩-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,3,3’,4’-联苯四羧酸二酐、3,4,3’,4’-联苯四羧酸二酐、2,3,2’,3’-联苯四羧酸二酐、双(3,4-二羧基苯基)二甲基硅烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)甲基苯基硅烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)二苯基硅烷二酐、1,4-双(3,4-二羧基苯基二甲基甲硅烷基)苯二酐、1,3-双(3,4-二羧基苯基)-1,1,3,3-四甲基二环己烷二酐、对亚苯基双(偏苯三酸酐)、亚乙基四羧酸二酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、十氢萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氢萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、环戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡咯烷-2,3,4,5-四羧酸二酐、1,2,3,4-环丁烷四羧酸二酐、双(外式-双环[2,2,1]庚烷-2,3-二羧酸二酐、双环-[2,2,2]-辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-双[4-(3,4-二羧基苯基)苯基]六氟丙烷二酐、4,4’-双(3,4-二羧基苯氧基)二苯基硫醚二酐、1,4-双(2-羟基六氟异丙基)苯双(偏苯三酸酐)、1,3-双(2-羟基六氟异丙基)苯双(偏苯三酸酐)、5-(2,5-二氧代四氢呋喃基)-3-甲基-3-环己烯-1,2-二羧酸二酐、四氢呋喃-2,3,4,5-四羧酸二酐等，可使用这些的1种或并用2种以上。另外，作为聚酰亚胺的原料使用的二胺并无特别限制，可使用例如邻苯二胺、间苯二胺、对苯二胺、3,3’-二氨基二苯基醚、3,4′-二氨基二苯基醚、4,4′-二氨基二苯基醚、3,3′-二氨基二苯基甲烷、3,4′-二氨基二苯基甲烷、4,4′-二氨基二苯基醚甲烷、双(4-氨基-3,5-二甲基苯基)甲烷、双(4-氨基-3,5-二异丙基苯基)甲烷、3,3’-二氨基二苯基二氟甲烷、3,4’-二氨基二苯基二氟甲烷、4,4’-二氨基二苯基二氟甲烷、3,3’-二氨基二苯基砜、3,4’-二氨基二苯基砜、4,4’-二氨基二苯基砜、3,3’-二氨基二苯基硫醚、3,4’-二氨基二苯基硫醚、4,4’-二氨基二苯基硫醚、3,3’-二氨基二苯基酮、3,4’-二氨基二苯基酮、4,4’-二氨基二苯基酮、2,2-双(3-氨基苯基)丙烷、2,2′-(3,4′-二氨基二苯基)丙烷、2,2-双(4-氨基苯基)丙烷、2,2-双(3-氨基苯基)六氟丙烷、2,2-(3,4′-二氨基二苯基)六氟丙烷、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯、1,4-双(3-氨基苯氧基)苯、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯、3,3’-(1,4亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、3,4’-(1,4亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、4,4’-(1,4亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、2,2-双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2,2-双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)硫醚、双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)硫醚、双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)砜、双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)砜、3,5-二氨基苯甲酸等芳香族二胺、1,2-二氨基乙烷、1,3-二氨基丙烷、1,4-二氨基丁烷、1,5-二氨基戊烷、1,6-二氨基己烷、1,7-二氨基庚烷、1,8-二氨基辛烷、1,9-二氨基壬烷、1,10-二氨基癸烷、1,11-二氨基十一烷、1,12-二氨基十二烷、1,2-二氨基环己烷、以下述通式(1)表示的二氨基聚硅氧烷、1,3-双(氨基甲基)环己烷、santechno化学股份有限公司制的jeffamined-230、d-400、d-2000、d-4000、ed-600、ed-900、ed-2001、edr-148等聚氧亚烷基二胺等脂肪族二胺等，亦可使用这些的1种或并用2种以上。作为上述聚酰亚胺树脂的玻璃化转变温度优选为0～200℃，作为重均分子量优选为1万～20万。【化1】(式中，r1及r2表示碳原子数1～30的二价烃基，分别相同或不同，r3及r4表示一价烃基，分别相同或不同，m为1以上的整数)。上述以外的优选的热塑性树脂之一即苯氧基树脂优选为通过使各种双酚与表氯醇反应的方法、或使液状环氧树脂与双酚反应的方法所得的树脂，作为双酚举例为双酚a、双酚双酚af、双酚ad、双酚f、双酚s。苯氧基树脂由于结构与环氧树脂类似，故与环氧树脂的相容性良好，可适合地对粘接膜赋予良好粘接性。作为本发明所使用的苯氧基树脂，举例为例如具有下述通式(2)表示的重复单元的树脂。【化2】上述通式(2)中，x表式单键或2价连结基。作为2价连结基举例为亚烷基、亚苯基、-o-、-s-、-so-或-so2-。此处，亚烷基优选为碳数1～10的亚烷基，更优选为-c(r1)(r2)-。r1、r2表示氢原子或烷基，作为该烷基优选为碳数1～8的直链或支链烷基，举例为例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、异辛基、2-乙基己基、1,3,3-三甲基丁基等。另外，该烷基亦可经卤原子取代，举例为例如三氟甲基。x优选为亚烷基、-o-、-s-、亚芴基(フルオレン基)或-so2-，更优选为亚烷基、-so2-。其中优选为-c(ch3)2-、-ch(ch3)-、-ch2-、-so2-，更优选为-c(ch3)2-、-ch(ch3)-、-ch2-，特别优选为-c(ch3)2-。上述通式(2)表示的苯氧基树脂若具有重复单元，则可为具有多种上述通式(2)的x不同的重复单元的树脂，亦可仅由x相同的重复单元构成。本发明中，优选仅由x相同的重复单元构成的树脂。另外，上述通式(2)表示的苯氧基树脂中含有羟基、羧基等极性取代基时，可提高与热聚合性成分的相容性，可赋予均匀的外观、特性。苯氧基树脂的质均分子量若为5000以上，则就膜形成性的方面而言优异。更优选为10,000以上，进一步优选为30,000以上。另外，质均分子量若为150,000以下，则就加热压接时的流动性、与其他树脂的相容性的方面而言优选。更优选为100,000以下。另外，玻璃化转变温度若为-50℃以上，则就膜形成性的方面而言优异，更优选为0℃以上，进一步优选为50℃以上。玻璃化转变温度若为150℃，则芯片接合时的粘接剂层13的粘接力优异，更优选为120℃以下，进一步优选为110℃以下。另一方面，作为上述包含官能团的聚合物中的官能团举例为例如缩水甘油基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、羟基、羧基、异氰脲酸酯基、氨基、酰胺基等，其中优选为缩水甘油基。作为上述包含官能团的高分子量成分，举例为例如含有缩水甘油基、羟基、羧基等官能团的(甲基)丙烯酸类共聚物等。作为上述(甲基)丙烯酸类共聚物可使用例如(甲基)丙烯酸酯共聚物、丙烯酸类橡胶等，优选为丙烯酸类橡胶。丙烯酸类橡胶是以丙烯酸酯为主成分、且主要包含丙烯酸丁酯与丙烯腈等的共聚物、丙烯酸乙酯与丙烯腈等的共聚物等的橡胶。含有缩水甘油基作为官能团时，含有缩水甘油基的重复单元的量优选为0.5～6.0重量％，更优选为0.5～5.0重量％，特别优选为0.8～5.0重量％。所谓含有缩水甘油基的重复单元，为含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸类共聚物的构成单体，具体而言为丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯。含有缩水甘油基的重复单元的量若为该范围内，则可确保粘接力，并且能够防止胶凝化。作为丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯以外的上述(甲基)丙烯酸类共聚物的构成单体，举例为例如(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等，这些可单独使用或组合2种以上使用。另外，本发明中，所谓(甲基)丙烯酸乙酯表示丙烯酸乙酯和/或甲基丙烯酸乙酯。组合官能性单体而使用时的混合比率考虑(甲基)丙烯酸类共聚物的玻璃化转变温度而决定即可。玻璃化转变温度为-50℃以上时，膜形成性优异，就能够抑制常温下的过度触粘方面而言是优选的。常温下的触粘力若过量，则粘接剂层的处理变困难。更优选为-20℃以上，进一步优选为0℃以上。另外，玻璃化转变温度若为30℃以下，则就芯片接合时的粘接剂层的粘接力方面而言优异，更优选为20℃以下。使上述单体聚合，制造含官能性单体的高分子量成分时，作为其聚合方法并无特别限制，可使用例如珠状聚合(pearlpolymerization)、溶液聚合等方法，其中优选为珠状聚合。本发明中，含官能性单体的高分子量成分的重均分子量若为100,000以上，则就膜形成性方面而言优异，更优选为200,000以上，进一步优选为500,000以上。另外，将重均分子量调整为2,000,000以下时，就芯片接合时的粘接剂层的加热流动性提高的方面而言优异。芯片接合时的粘接剂层的加热流动性提高时，可使粘接剂层与被粘物的密合良好而可提高粘接力，且容易嵌埋被粘物的凹凸并抑制孔洞。更优选为1,000,000以下，进一步优选为800,000以下，若为500,000以下，则可获得更大效果。另外，作为热聚合性成分，若为利用热而聚合者，则无特别限制，举例为例如具有缩水甘油基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、羟基、羧基、异氰脲酸酯基、氨基、酰胺基等官能团的化合物与触发剂材料，这些可单独使用或组合2种以上使用，但考虑作为粘接剂层的耐热性时，优选一起含有利用热而固化并带来粘接作用的热固化性树脂与固化剂、促进剂。作为热固化性树脂，举例为例如环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、热固化型聚酰亚胺树脂、聚氨基甲酸酯树脂、三聚氰胺树脂、脲树脂等，尤其基于获得耐热性、作业性、可靠性优异的粘接剂层的方面，最优选使用环氧树脂。上述环氧树脂只要是经固化而具有粘接作用者即无特别限制，可使用双酚a型环氧树脂等二官能环氧树脂、苯酚线型酚醛型环氧树脂、甲酚线型酚醛型环氧树脂等线型酚醛型环氧树脂等。另外，可应用多官能环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、含杂环的环氧树脂或脂环式环氧树脂等一般已知者。作为上述双酚a型环氧树脂，举例为三菱化学股份有限公司制的epicote系列(epicote807、epicote815、epicote825、epicote827、epicote828、epicote834、epicote1001、epicote1004、epicote1007、epicote1009)、陶氏化学公司制的der-330、der-301、der-361及新日铁住金化学股份有限公司制yd8125、ydf8170等。作为上述苯酚线型酚醛型环氧树脂，举例为三菱化学股份有限公司制的epicote152、epicote154、日本化药股份有限公司制的eppn-201、陶氏化学公司制的den-438等，另外，作为上述的邻甲酚线型酚醛型环氧树脂，举例为日本化药股份有限公司制的eocn-102s、eocn-103s、eocn-104s、eocn-1012、eocn-1025、eocn-1027，新日铁住金化学股份有限公司制ydcn701、ydcn702、ydcn703、ydcn704等。作为上述多官能环氧树脂，举例为三菱化学股份有限公司制的epon1031s、汽巴特殊化学品公司制的araldite0163、nagasechemtex股份有限公司制的denacolex-611、ex-614、ex-614b、ex-622、ex-512、ex-521、ex-421、ex-411、ex-321等。作为上述胺型环氧树脂，举例为三菱化学股份有限公司制的epicote604、东都化成股份有限公司制的yh-434、三菱气体化学股份有限公司制的tetrad-x及tetrad-c、住友化学工业股份有限公司制的elm-120等。作为上述含杂环的环氧树脂，举例为汽巴特殊化学品公司制的aralditept810、ucc公司制的erl4234、erl4299、erl4221、erl4206等。这些环氧树脂可单独使用或组合2种以上使用。为了使上述热固化性树脂固化，可添加适当添加剂。作为这样的添加剂，举例为例如固化剂、固化促进剂、催化剂等，添加催化剂时可根据需要使用助催化剂。上述热固化性树脂使用环氧树脂时，优选使用环氧树脂固化剂或固化促进剂，更优选并用这些。作为固化剂，举例为例如酚醛树脂、双氰胺、三氟化硼络合物、有机酰肼化合物、胺类、聚酰胺树脂、咪唑化合物、脲或硫脲化合物、聚硫醇化合物、于末端具有巯基的聚硫醚树脂、酸酐、光/紫外线固化剂。这些可单独或并用2种以上使用。其中，作为三氟化硼络合物，举例为与各种胺化合物(优选为伯胺化合物)的三氟化硼-胺络合物，作为有机酰肼化合物，举例为间苯二甲酸二酰肼。作为酚醛树脂，举例为例如苯酚线型酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚线型酚醛树脂、叔丁基苯酚线型酚醛树脂、壬基苯酚线型酚醛树脂等线型酚醛型酚醛树脂、甲阶酚醛型酚醛树脂、聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯等。其中优选分子中具有至少2个酚性羟基的酚系化合物。作为上述分子中具有至少2个酚性羟基的酚系化合物，举例为例如苯酚线型酚醛树脂、甲酚线型酚醛树脂、叔丁基苯酚线型酚醛树脂、二环戊二烯甲酚线型酚醛树脂、二环戊二烯苯酚线型酚醛树脂、二甲苯改性苯酚线型酚醛树脂、萘酚线型酚醛树脂、三酚线型酚醛树脂、四酚线型酚醛树脂、双酚a线型酚醛树脂、聚对乙烯基酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂等。另外，这些酚醛树脂中特别优选苯酚线型酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂，可提高连接可靠性。作为胺类，例示为链状脂肪族胺(二亚乙三胺、三亚乙四胺、六亚甲基二胺、n,n-二甲基丙胺、苄基二甲胺、2-(二甲氨基)苯酚、2,4,6-三(二甲氨基甲基)苯酚、间二甲苯二胺等)、环状脂肪族胺(n-氨基乙基哌嗪、双(3-甲基-4-氨基环己基)甲烷、双(4-氨基环己基)甲烷、薄荷烯二胺(メンセンジアミン)、异佛尔酮二胺、1,3-双(氨基甲基)环己烷等)、杂环胺(哌嗪、n,n-二甲基哌嗪、三亚乙二胺、三聚氰胺、胍胺等)、芳香族胺(间苯二胺、4,4’-二氨基二苯基甲烷、二氨基化合物(ジアミノ)、4,4’-二氨基二苯基砜等)、聚酰胺树脂(优选聚酰胺胺，二聚酸与多胺的缩合物)、咪唑化合物(2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-甲基咪唑、2,4-二甲基咪唑、2-正十七烷基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鎓-偏苯三酸盐、环氧-咪唑加成物等)、脲或硫脲化合物(n,n-二烷基脲化合物、n,n-二烷基硫脲化合物等)、聚硫醇化合物、于末端具有巯基的聚硫醚树脂、酸酐(四氢邻苯二甲酸酐等)、光/紫外线固化剂(二苯基碘鎓六氟磷酸盐、三苯基锍六氟磷酸盐等)。作为上述固化促进剂，若为可使热固化性树脂固化者，则无特别限制，举例为例如咪唑类、双氰胺衍生物、二羧酸二酰肼、三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸盐、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸盐、1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳烯-7-四苯基硼酸盐等。作为咪唑类，举例为咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-乙基咪唑、1-苄基-2-乙基-5-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基二甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑等。环氧树脂用固化剂或固化促进剂在粘接剂层中的含量并无特别限定，最佳含量随固化剂或固化促进剂种类而异。关于所述环氧树脂与酚醛树脂的配合比例，优选配合为例如相对于所述环氧树脂成分中的环氧基每1当量，酚醛树脂中的羟基为0.5～2.0当量。更优选为0.8～1.2当量。即，这是因为，若两者的配合比例偏离所述范围，则无法进行充分固化反应，容易使粘接剂层的特性劣化。关于其他热固化性树脂与固化剂，于一个实施方式中，相对于热固化性树脂100质量份，固化剂为0.5～20质量份，于其他方式中，固化剂为1～10质量份。固化促进剂的含量优选少于固化剂含量，优选相对于热固化性树脂100质量份，固化促进剂为0.001～1.5质量份，更优选为0.01～0.95质量份。通过调整于所述范围内，可辅助充分的固化反应推进。关于催化剂的含量，相对于热固化性树脂100质量份，优选为0.001～1.5质量份，更优选为0.01～1.0质量份。另外，本发明的粘接剂层13可根据其用途而适当配合填料。由此能够实现未固化状态下的粘接剂层的切割性提高、提高处理性、调整熔融粘度、赋予触变性、进而赋予固化状态的粘接剂层的导热性、提高粘接力。作为本发明所用的填料，优选无机填料。作为无机填料并无特别限制，例如可使用氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶性氧化硅、非晶性氧化硅、氧化锑等。另外，这些可单独使用或亦可混合2种以上使用。另外，上述无机填料中，从导热性提高的观点考虑，优选使用氧化铝、氮化铝、氮化硼、结晶性氧化硅、非晶性氧化硅等。另外，从调整熔融粘度或赋予触变性的观点考虑，优选为氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、结晶性氧化硅、非晶性氧化硅。另外，从提高切割性的观点考虑，优选使用氧化铝、氧化硅。填料的含有比例若为30质量％以上，则就焊线接合性方面而言优异。焊线接合时，优选将打焊线粘接芯片的粘接剂层的固化后的储能弹性模量调整于在170℃为20～1000mpa的范围，填料的含有比例为30质量％以上时，容易将粘接剂层的固化后的储能弹性模量调整于该范围。另外，填料的含有比例为75质量％以下时，膜形成性、芯片接合时的粘接剂层的加热流动性优异。芯片接合时的粘接剂层的加热流动性提高时，粘接剂层与被粘物的密合良好而可提高粘接力，另外，容易嵌埋被粘物的凹凸、抑制孔洞。更优选为70质量％以下，更优选为60质量％以下。本发明的粘接剂层可含有平均粒径不同的2种以上的填料作为上述填料。该情况下，与使用单一填料的情况相比，于膜化前的原料混合物中，容易防止填料含有比例较高时的粘度上升或填料含有比例较低时的粘度降低，容易获得良好的膜形成性，可最佳地控制未固化粘接剂层的流动性，并且于粘接剂层固化后容易获得优异的粘接力。另外，本发明的粘接剂层中，优选填料的平均粒径为2.0μm以下，更优选为1.0μm以下。填料的平均粒径为2.0μm以下时，膜的薄膜化变容易。此处，所谓薄膜表示20μm以下的厚度。另外，平均粒径为0.01μm以上时，分散性良好。此外，从防止膜化前的原料混合物的粘度上升或降低、最佳地控制未固化的粘接剂层的流动性、提高粘接剂层的固化后的粘接力的观点考虑，优选包含平均粒径于0.1～1.0μm的范围内的第1填料及一次粒径的平均粒径于0.005～0.03μm的范围内的第2填料。优选包含平均粒径于0.1～1.0μm的范围内且99％以上的粒子分布于粒径0.1～1.0μm的范围内的第1填料、及一次粒径的平均粒径于0.005～0.03μm的范围内且99％以上的粒子分布于粒径0.005～0.1μm的范围内的第2填料。本发明中的平均粒径意指50体积％的粒子具有小于该值的直径的累积体积分布曲线的d50值。本发明中，平均粒径或d50值利用激光衍射法，使用例如malverninstruments公司制的malvernmastersizer2000测定。该技术中，分散液中的粒子大小基于fraunhofer或mie理论的任意应用，使用激光光线的衍射而测定。本发明中，涉及利用mie理论或对非球状粒子的修正mie理论，对于入射的激光光线于0.02～135°散射测定平均粒径或d50值。本发明中，于一个方式中，亦可相对于构成粘接剂层13的粘合剂组合物整体含有10～40质量％的重均分子量为5000～200,000的热塑性树脂、10～40质量％的热聚合性成分和30～75质量％的填料。该实施方式中，填料含量可为30～60质量％，亦可为40～60质量％。另外，热塑性树脂的质均分子量可为5000～150,000，亦可为10,000～100,000。另一个方式中，亦可相对于构成粘接剂层13的粘合剂组合物整体含有10～20质量％的重均分子量为200,000～2,000,000的热塑性树脂、20～50质量％的热聚合性成分和30～75质量％的填料。该实施方式中，填料含量可为30～60质量％，亦可为30～50质量％。另外，热塑性树脂的质均分子量可为200,000～1,000,000，亦可为200,000～800,000。通过调整配合比例，可使粘接剂层13的固化后的储能弹性模量及流动性最适化，且有亦可充分获得高温下的耐热性的倾向。本发明的半导体加工用带10中，粘接剂层13亦可将预先膜化者(以下称为粘接膜)直接或间接层压于基材膜11上而形成。层压时的温度优选设为10～100℃的范围，施加0.01～10n/m的线压。另外，这样的粘接膜亦可为于剥离膜上形成粘接剂层13者，该情况下，于层压后亦可将剥离膜剥离，或者亦可直接作为半导体加工用带10的覆盖膜使用，于贴合晶片时剥离。所述粘接膜可层叠于粘合剂层12的整个面，亦可于粘合剂层12上层叠预先截断为对应于所贴合的晶片的形状(经预切割)的粘接膜。如此，层叠对应于晶片的粘接膜时，如图3所示，于晶片w所贴合的部分有粘接剂层13，于环框20所贴合的部分无粘接剂层13仅存在粘合剂层12。一般，由于粘接剂层13不易与被粘物剥离，故通过使用经预切割的粘接膜，可使环框20与粘合剂层12贴合，获得于使用后的胶带剥离时不易产生对环框20的糊剂残留的效果。<用途>本发明的半导体加工用带10可用于包含至少通过扩展而截断粘接剂层13的扩张工序的半导体装置的制造方法。因此，其他工序、工序顺序等并无特别限定。例如可适合地在以下的半导体装置的制造方法(a)～(e)中使用。半导体装置的制造方法(a)一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：(a)于形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序，(b)磨削所述晶片背面的背面研磨工序，(c)于70～80℃加热了晶片的状态下，对所述晶片的背面贴合已贴合于所述半导体加工用带的所述粘合剂层的粘接剂膜的工序，(d)自所述晶片表面剥离表面保护带的工序，(e)对所述晶片的分割预定部分照射激光光，于该晶片内部形成基于多光子吸收的改性区域的工序，(f)通过使所述半导体加工用带扩张，而沿着截断线将所述晶片与所述粘接剂膜截断，获得多个带粘接剂膜的芯片的工序，(g)通过使所述半导体加工用带的不与所述芯片重叠的部分加热收缩，而去除所述扩张工序中产生的松弛并保持该芯片的间隔的工序，及(h)自半导体加工用带的粘合剂层拾取带有所述粘接剂层的所述芯片的工序。本半导体装置的制造方法为使用隐形切割的方法。半导体装置的制造方法(b)一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：(a)于形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序，(b)磨削所述晶片背面的背面研磨工序，(c)于70～80℃加热了晶片的状态下，对所述晶片的背面贴合已贴合于所述半导体加工用带的所述粘合剂层的粘接剂膜的工序，(d)自所述晶片表面剥离表面保护带的工序，(e)自所述晶片表面沿着分割线照射激光光，而截断为各个芯片的工序，(f)通过使所述半导体加工用带扩张，而使所述粘接剂膜对应于所述芯片地截断，获得多个带粘接剂膜的芯片的工序，(g)通过使所述半导体加工用带的不与所述芯片重叠的部分加热收缩，而去除所述扩张工序中产生的松弛并保持该芯片的间隔的工序，及(h)自半导体加工用带的粘合剂层拾取带有所述粘接剂层的所述芯片的工序。本半导体装置的制造方法为使用全切的激光切割的方法。半导体装置的制造方法(c)一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：(a)于形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序，(b)磨削所述晶片背面的背面研磨工序，(c)于70～80℃加热了晶片的状态下，对所述晶片的背面贴合已贴合于所述半导体加工用带的所述粘合剂层的粘接剂膜的工序，(d)自所述晶片表面剥离表面保护带的工序，(e)使用切割刀片沿着分割线切削所述晶片，而截断为各个芯片的工序，(f)通过使所述半导体加工用带扩张，而使所述粘接剂膜对应于所述芯片地截断，获得多个带粘接剂膜的芯片的工序，(g)通过使所述半导体加工用带的不与所述芯片重叠的部分加热收缩，而去除所述扩张工序中产生的松弛并保持该芯片的间隔的工序，及(h)自半导体加工用带的粘合剂层拾取带有所述粘接剂层的所述芯片的工序。本半导体装置的制造方法为使用全切的刀片切割的方法。半导体装置的制造方法(d)一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：(a)使用切割刀片沿着截断预定线切削形成有电路图案的晶片直至小于晶片厚度的深度的工序，(b)于所述晶片表面贴合表面保护带的工序，(c)磨削所述晶片背面的背面研磨工序，(d)于70～80℃加热了晶片的状态下，对所述芯片的背面贴合已贴合于所述半导体加工用带的所述粘合剂层的粘接剂膜的工序，(e)自所述晶片表面剥离表面保护带的工序，(f)通过使所述半导体加工用带扩张，而使所述粘接剂膜对应于所述芯片而截断，获得多个带粘接剂膜的芯片的工序，(g)通过使所述半导体加工用带的不与所述芯片重叠的部分加热收缩，而去除所述扩张工序中产生的松弛并保持该芯片的间隔的工序，及(h)自半导体加工用带的粘合剂层拾取带有所述粘接剂层的所述芯片的工序。本半导体装置的制造方法为使用半切的刀片切割的方法。半导体装置的制造方法(e)一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：(a)于形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序，(b)对所述晶片的分割预定部分照射激光光，而于所述晶片内部形成基于多光子吸收的改性区域的工序，(c)磨削所述晶片背面的背面研磨工序，(d)于70～80℃加热了所述晶片的状态下，对所述晶片背面贴合所述半导体加工用带的粘接剂层的工序，(e)自所述晶片表面剥离所述表面保护带的工序，(f)通过使所述半导体加工用带扩张，而使所述晶片与所述粘接剂层沿着截断线而截断，获得多个带粘接剂膜的芯片的工序，(g)通过使所述半导体加工用带的不与所述芯片重叠的部分加热收缩，而去除所述扩张工序中产生的松弛并保持该芯片的间隔的工序，及(h)自所述半导体加工用带的粘合剂层拾取带有所述粘接剂层的所述芯片的工序。本半导体装置的制造方法为使用隐形切割的方法。<使用方法>关于将本发明的半导体加工用带10应用于上述半导体装置的制造方法(a)时的胶带使用方法，边参考图2～图5边加以说明。首先，如图2所示，于形成了电路图案的晶片w的表面贴合于粘合剂中包含紫外线固化性成分的电路图案保护用的表面保护带14，实施磨削晶片w的背面的背面研磨工序。背面研磨工序结束后，如图3所示，于晶片安装机的加热台25上，以表面侧朝下载置晶片w后，对晶片w背面贴合半导体加工用带10。此处使用的半导体加工用带10为层叠了以对应于所贴合的晶片w的形状而预先截断(预切割)的粘接膜者，于与晶片w贴合的面，于粘接剂层13露出的区域周围使粘合剂层12露出。该半导体加工用带10的露出粘接剂层13的部分与晶片w的背面贴合，同时使粘接剂层13周围的粘合剂层12露出的部分与环框20贴合。此时，加热台25预先设定于70～80℃，由此实施加热贴合。另外，本实施方式中，使用了具有包含基材膜11和设于基材膜11上的粘合剂层12的粘合带15、以及设于粘合剂层12上的粘接剂层13的半导体加工用带10，但亦可分别使用粘合带与膜状粘接剂。该情况下，首先于晶片的背面贴合膜状粘接剂形成粘接剂层，对该粘接剂层贴合粘合带的粘合剂层。此时，作为粘合带使用本发明的粘合带15。接着，将经贴合半导体加工用带10的晶片w自加热台25上搬出，如图4所示，以半导体加工用带10侧朝下载置于吸附台26上。接着，自吸附固定于吸附台26的晶片w的上方，使用能量射线光源27，对表面保护带14的基材面侧照射例如1000mj/cm2的紫外线，使表面保护带14对晶片w的粘接力降低，自晶片w表面剥离表面保护带14。接着，如图5所示，对晶片w的分割预定部分照射激光光，于晶片w的内部形成基于多光子吸收的改性区域32。接着，如图6(a)所示，将贴合了晶片w及环框20的半导体加工用带10以基材膜11侧朝下，载置于扩张装置的台阶21上。接着，如图6(b)所示，以固定环框20的状态，使扩张装置的中空圆柱形状的顶起构件22上升，使半导体加工用带10扩展(扩张)。作为扩展条件，扩张速度为例如5～500mm/sec，扩张量(顶起量)为例如5～25mm。如此，通过使半导体加工用带10向晶片w的径向拉伸，而使晶片w以所述改性区域32为起点截断为芯片34单元。此时，粘接剂层13中，于粘接于晶片w的背面的部分，扩展所致的伸长(变形)被抑制而不引起断裂，但于芯片34间的位置，因胶带的扩展所致的张力集中而发生断裂。因此，如图6(c)所示，粘接剂层13与晶片w一起截断。由此，可获得多个带有粘接剂层13的芯片34。接着，如图7所示，顶起构件22回到原来位置，进行用以去除先前扩张工序中发生的半导体加工用带10的松弛、稳定地保持芯片34的间隔的工序。该工序中，例如对于半导体加工用带10中芯片34存在的区域与环框20之间的圆环状加热收缩区域28，使用温风喷嘴29吹拂40～120℃的温风，使基材膜11加热收缩，半导体加工用带10成为与销(ピン)张开状态。随后，对粘合剂层12实施能量射线固化处理或热固化处理等，使粘合剂层12对粘接剂层13的粘合力减弱后，拾取芯片34。另外，本实施方式的半导体加工用带10虽成为于粘合剂层12上具备粘接剂层13的构成，但亦可不设置粘接剂层13地构成。该情况下，亦可于将晶片贴合于粘合剂层12上后用以仅使晶片截断，亦可于半导体加工用带的使用时，将与粘接剂层13同样制作的粘接膜与晶片一起贴合于粘合剂层12上，将晶片与粘接膜截断。<实施例>接着，为了更明确本发明的效果，针对实施例及比较例详细说明，但本发明并非限定于这些实施例者。[半导体加工用带的制作](1)基材膜的制作<基材膜a>将利用自由基聚合法合成的乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸乙酯共聚物的锌离聚物(甲基丙烯酸含量15％，甲基丙烯酸乙酯含量5％，软化点72℃，熔点90℃，密度0.96g/cm3，锌离子含量5质量％)的树脂微珠于230℃熔融，使用挤出机成形为厚150μm的长条膜。随后，以使该长条膜为厚90μm的方式沿td方向进行拉伸而制作基材膜a。<基材膜b>除了将长条膜厚度设为180μm，以使该长条膜为厚90μm的方式沿td方向进行拉伸以外，与基材膜a同样制作基材膜b。<基材膜c>除了将长条膜厚度设为215μm，以使该长条膜为厚90μm的方式沿td方向进行拉伸以外，与基材膜a同样制作基材膜c。<基材膜d>将利用自由基聚合法合成的乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸异丁酯共聚物的锌离聚物(甲基丙烯酸含量11％，甲基丙烯酸异丁酯含量9％，软化点64℃，熔点83℃，密度0.95g/cm3，锌离子含量4质量％)的树脂微珠于230℃熔融，使用挤出机成形为厚150μm的长条膜。随后，以使该长条膜为厚90μm的方式沿td方向进行拉伸而制作基材膜d。<基材膜e>将氢化苯乙烯系热塑性弹性体与均聚丙烯(pp)以52：48的配合比混合成的树脂微珠于200℃熔融，使用挤出机成形为厚150μm的长条膜。随后，以使该长条膜为厚90μm的方式沿td方向进行拉伸而制作基材膜e。<基材膜f>将氢化苯乙烯系热塑性弹性体与均聚丙烯(pp)以64：36的配合比混合成的树脂微珠于200℃熔融，使用挤出机成形为厚150μm的长条膜。随后，以使该长条膜为厚90μm的方式沿td方向进行拉伸而制作基材膜f。<基材膜g>除了将长条膜厚度设为150μm，以使该长条膜为厚90μm的方式于md方向拉伸以外，与基材膜a同样制作基材膜g。<基材膜h>除了将长条膜厚度设为150μm，以使该长条膜为厚90μm的方式于md方向拉伸以外，与基材膜d同样制作基材膜h。<基材膜i>除了将长条膜厚度设为90μm，未进行该长条膜的拉伸处理以外，与基材膜a同样制作基材膜i。<基材膜j>除了将长条膜厚度设为90μm，未进行该长条膜的拉伸处理以外，与基材膜d同样制作基材膜j。<基材膜k>除了将长条膜厚度设为90μm，未进行该长条膜的拉伸处理以外，与基材膜e同样制作基材膜k。<基材膜l>除了将长条膜厚度设为90μm，未进行该长条膜的拉伸处理以外，与基材膜f同样制作基材膜k。<基材膜m>除了将长条膜厚度设为110μm，以使该长条膜为厚90μm的方式沿td方向进行拉伸以外，与基材膜a同样制作基材膜m。<基材膜n>除了将长条膜厚度设为120μm，以使该长条膜为厚90μm的方式沿td方向进行拉伸以外，与基材膜a同样制作基材膜n。(2)丙烯酸系共聚物的调制作为具有官能团的丙烯酸系共聚物(a1)，调制包含丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸2-羟基乙酯及甲基丙烯酸、且丙烯酸2-乙基己酯的比率为60摩尔％、质均分子量70万的共聚物。接着，以碘价成为25的方式，添加甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯，调制玻璃化转变温度-50℃、羟基价10mgkoh/g、酸价5mgkoh/g的丙烯酸系共聚物。(3)粘接剂组合物的调制于包含环氧树脂“1002”(三菱化学股份有限公司制，固形双酚a型环氧树脂，环氧当量600)40质量份、环氧树脂“806”(三菱化学股份有限公司制商品名，双酚f型环氧树脂，环氧当量160，比重1.20)100质量份、固化剂“dyhard100sf”(degussa制商品名，双氰胺)5质量份、氧化硅填料“so-c2”(admafine股份有限公司制商品名，平均粒径0.5μm)200质量份及作为氧化硅填料的“aerosilr972”(日本aerosil股份有限公司制商品名，一次粒径的平均粒径0.016μm)3质量份的组合物中添加mek并搅拌混合，作成均匀的组合物。于其中，添加苯氧基树脂“pkhh”(inchem制商品名，质均分子量52,000，玻璃化转变温度92℃)100质量份、作为偶联剂的“kbm-802”(信越硅酮股份有限公司制商品名，巯基丙基三甲氧基硅烷)0.6质量份以及作为固化促进剂的“curezol2phz-pw”(四国化成股份有限公司制商品名，2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑，分解温度230℃)0.5质量份，搅拌混合直至均匀。进而将其用100网目的过滤器过滤，通过真空脱泡，获得粘接剂组合物的清漆。<实施例1>对于上述丙烯酸系共聚物100质量份，添加5质量份的作为多异氰酸酯的coronatel(日本聚氨酯制)，并添加作为光聚合引发剂的esacurekip150(lamberti公司制)3质量份，将所得的混合物溶解于乙酸乙酯，并搅拌而调制粘合剂组合物。接着，于经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜所形成的剥离衬垫上以干燥后的厚度成为10μm的方式涂布该粘合剂组合物，于110℃干燥3分钟后，与基材膜贴合，制作于基材膜上形成了粘合剂层的粘合片。接着，于经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜所形成的剥离衬垫上以干燥后的厚度成为20μm的方式涂布上述粘接剂组合物，于110℃干燥5分钟，制作于剥离衬垫上形成了粘接剂层的粘接膜。将粘合片以可对于环框覆盖开口部的方式贴合般截断为图3等所示的形状。另外，将粘接膜以可覆盖晶片背面般截断为图3等所示的形状。然后，将所述粘合片的粘合剂层侧与所述粘接膜的粘接剂层侧如图3等所示般以于粘接膜的周围形成露出粘合剂层12的部分的方式予以贴合，制作半导体加工用带。<实施例2～8、比较例1～6>除了使用表1中记载的基材膜以外，利用与实施例1同样的方法，制作实施例2～8及比较例1～6的半导体加工用带。对于实施例、比较例的半导体加工用带的粘合带，切割为长度24mm(测定变形量的方向)、宽度5mm(与测定变形量的方向正交的方向)，制成试样片。针对所得试样片，使用热机械特性试验机(rigaku股份有限公司制，商品名：tma8310)，以拉伸载荷法在以下的测定条件测定于md、td这2个方向上的温度所致的变形。(测定条件)测定温度：-60～100℃升温速度：5℃/min测定载荷：19.6mn环境气体：氮环境(100ml/min)取样：0.5s夹具间距：20mm然后，由下述式(1)算出热变形率，求出md方向、td方向各自方向上的于40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值，算出其和。其结果示于表1、2。热变形率tma(％)＝(试样长度的位移/测定前的试样长度)×100(1)[芯片缺损的评价]利用以下所示方法，针对所述实施例及所述比较例的各半导体加工用带，将晶片截断为芯片，评价芯片缺损。实施下述工序：(a)于形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序，(b)对所述晶片的分割预定部分照射激光光，而于所述晶片内部形成基于多光子吸收的改性区域的工序，(c)磨削所述晶片背面的背面研磨工序，(d)于70～80℃加热了所述晶片的状态下，对所述晶片背面贴合所述半导体加工用带的粘接剂层的工序，(e)自所述晶片表面剥离所述表面保护带的工序，(f)通过使所述半导体加工用带扩张，而使所述晶片与所述粘接剂层沿着截断线而截断，获得多个带粘接剂膜的芯片的工序，(g)通过使所述半导体加工用带的不与所述芯片重叠的部分(存在芯片的区域与环框之间的圆环状区域)加热并收缩，而去除(f)扩张工序中产生的松弛并保持该芯片的间隔的工序，及(h)自半导体加工用带的粘合剂层拾取带有所述粘接剂层的所述芯片的工序。另外，(d)工序中，以晶片的截断线沿着基材膜的md方向及td方向的方式，将晶片贴合于半导体加工用带。(f)工序中，以disco股份有限公司制dds2300，将贴合于半导体加工用带的切割用环框利用disco股份有限公司制dds2300的扩张环押下，-而将半导体加工用带的晶片贴合部位外周的不与晶片重叠的部分按压于圆形的顶起构件，从而实施扩张。作为(f)工序的条件，以扩张速度300mm/sec、扩张高度10mm的方式调整扩张量。此处，所谓扩张量，是指押下前与押下后的环框与顶起构件的相对位置的变化量。芯片尺寸成为1×1mm见方。(g)工序于常温以扩张速度1mm/sec、扩张高度10mm的条件再度进行扩张后，于下述条件下进行热收缩处理。[条件1]加热器设定温度：220℃热风量：40l/min加热器与半导体加工用带的间隔：20mm加热器旋转速度：7°/sec[条件2]加热器设定温度：220℃热风量：40l/min加热器与半导体加工用带的间隔：20mm加热器旋转速度：5°/sec针对实施例1～8及比较例1～6的半导体加工用带，于上述(g)工序后，进行时取，评价芯片缺损的有无。于上述(g)工序的条件1、条件2两者拉起拾取对象芯片时未发生与相邻的芯片的干涉而芯片缺损者作为优良品以“◎”评价，于条件1未发生因与相邻的芯片干涉所致的芯片缺损，但于条件2有芯片缺损发生且发生率小于1％者作为良品以“○”评价，于条件2发生因与相邻芯片的干涉所致的芯片缺损且发生率为1％以上且小于3％者作为容许品以“△”评价，于条件1、条件2两者发生因与相邻的芯片干涉所致的芯片缺损且发生率为3％以上者作为不良品以“×”评价。其结果示于表1、2。另外，评价时，如图8所示，针对粘合带的md方向上的无缺损的图8最右侧端的芯片50a周边，同样地于粘合带的md方向上的无缺损的图8最左侧端的芯片50b周边、粘合带的td方向上的无缺损的最两端芯片51周边、位于中央的芯片52周边，各拾取100个芯片进行评价。[表1]实施例1实施例2实施例3实施例4实施例5实施例6实施例7实施例8基材膜abcdefgh加工前厚度[μm]150180215150150150150150加工后厚度[μm]9090909090909090md方向的热变形率的平均值-1.0-0.60.11.01.20.7-6.7-2.4td方向的热变形率的平均值-7.1-7.9-b.5-4.6-3.3-1.63.02.3md、td方向的热变形率的平均值之和-8.1-8.5-8.4-3.6-2.1-0.9-3.7-0.1芯片缺损的评价结果◎◎◎○△△○△[表2]比较例1比较例2比较例3比较例4比较例5比较例6基材膜ijklmn加工前厚度[μm]90909090110120加工后厚度[μm]909090909090md方向的热变形率的平均值-1.400.30.8-1.3-1.2td方向的热变形率的平均值3.62.60.90.82.01.3md、td方向的热变形率的平均值之和2.12.61.31.60.70.1芯片缺损的评价结果××××××如表1所示，实施例1～8的半导体加工用带中，粘合带的md方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值、与td方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值之和为负值，故可良好地抑制因与相邻芯片接触而发生的拾取时的芯片缺损。另一方面，比较例1～6的半导体加工用带中，如表2所示，粘合带的md方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值、与td方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值之和并非负值，故成为伴随与相邻芯片接触的于拾取时的芯片缺损的抑制较差的结果。符号说明10：半导体加工用带11：基材膜12：粘合剂层13：粘接剂层22：顶起构件28：加热收缩区域29：温风喷嘴当前第1页12