1.一种半导体装置，具备：
电路部件，具有表面和背面，具有平面部；
端子部，比所述电路部件的所述平面部的所述表面靠上侧且与所述平面部平行地形成；
半导体元件，上表面处于比所述端子部的上表面靠下侧的位置，形成于所述电路部件的所述平面部的所述表面；
树脂层，配置于所述半导体元件上，具有所述半导体元件露出的多个第一开口部；
导电层，配置于所述树脂层上，上表面处于比所述端子部的上表面靠上侧的位置，在所述多个第一开口部与所述半导体元件接合；以及
密封部件，具有与所述平面部平行的上表面，对所述电路部件、所述半导体元件、所述树脂层、所述导电层及所述端子部的一部分一体地进行密封。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在配置有所述半导体元件的所述电路部件的所述平面部上具备连接部件，该连接部件为与所述半导体元件相同的高度，从所述半导体元件未露出的所述多个第一开口部露出并与所述导电层连接。
3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，
所述树脂层具有第二开口部，该第二开口部在俯视时包括所述电路部件的表面的配置有所述半导体元件的区域以外的区域而开口，被填充所述密封部件。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，
所述树脂层的所述半导体元件的外周部上的厚度比所述树脂层的所述半导体元件的外周部的外侧的厚度厚。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，
所述电路部件是引线框架。
6.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，
所述电路部件是在绝缘层的表面以及背面具有金属层的绝缘电路基板。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
所述连接部件与所述电路部件一体地设置。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的半导体装置，其中，
所述导电层具有与所述半导体元件的主电极接合的第一导电层和与所述半导体元件的控制电极接合的第二导电层，所述第一导电层的厚度比所述第二导电层的厚度厚。
9.根据权利要求5或者7所述的半导体装置，其中，
在所述电路部件的背面设置有热传导部件，所述热传导部件的下表面从所述密封部件露出。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
所述密封部件含有包含金属氧化物以及氮化物的至少一方的填充物。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
从所述密封部件的上表面至所述第一导电层的上表面的距离以及从所述密封部件的下表面至所述电路部件的背面的距离是0.1mm以上且1mm以下。
12.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
所述绝缘电路基板的所述绝缘层具备对所述绝缘层的表面的金属层和所述绝缘层的背面的金属层进行电连接的贯通孔。
13.根据权利要求1至12中的任意一项所述的半导体装置，其中，
在所述密封部件的上表面以及下表面的至少任一方具备冷却器。
14.一种电力变换装置，具备：
主变换电路，具有权利要求1至13中的任意一项所述的半导体装置，该主变换电路变换输入的电力而输出；以及
控制电路，将控制所述主变换电路的控制信号输出给所述主变换电路。