1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底内形成有相邻的阱区和漂移区；
栅极结构，位于所述阱区和漂移区交界处的基底上；
源区，位于所述栅极结构一侧的阱区内；
漏区，位于所述栅极结构另一侧的漂移区内；
硅化物阻挡层，位于所述栅极结构和所述漏区之间的基底上，所述硅化物阻挡层还延伸至所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁和部分顶壁上；
光吸收层，位于所述硅化物阻挡层上；
介电层，位于所述栅极结构露出的基底上，且所述介电层还覆盖所述栅极结构以及光吸收层；
导电结构，位于所述介电层内，且所述导电结构的底端位于所述光吸收层中或者位于所述光吸收层上。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述光吸收层为单层结构，包括第一能量吸收层。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一能量吸收层的材料为硅。
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一能量吸收层的厚度为3纳米至7纳米。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述光吸收层包括：高k介质层和位于所述高k介质层上的第一能量吸收层；或者，
所述光吸收层包括：第一能量吸收层以及位于所述第一能量吸收层上的高k介质层。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述光吸收层包括：第二能量吸收层、位于所述第二能量吸收层上的高k介质层以及位于所述高k介质层上的第一能量吸收层。
7.如权利要求5或6所述的半导体结构，其特征在于，所述高k介质层的材料为氮化硅或氮氧化硅。
8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二能量吸收层的厚度为3纳米至7纳米。
9.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二能量吸收层的材料为硅。
10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：金属硅化物层，位于所述光吸收层上。
11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述金属硅化物层的材料为钴硅化合物、镍硅化合物或钛硅化合物。
12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底内形成有相邻接的阱区和漂移区；
在所述阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极结构；
在所述栅极结构一侧的阱区内形成源区；
在所述栅极结构另一侧的漂移区内形成漏区；
在所述栅极结构和所述漏区之间的基底上形成硅化物阻挡层，所述硅化物阻挡层延伸至所述栅极结构中靠近所述漏区的侧壁和部分顶部上；
在所述硅化物阻挡层上形成光吸收层；
在所述栅极结构露出的基底上形成介电层，所述介电层还覆盖所述光吸收层以及栅极结构；
在所述介电层中形成导电结构，且所述导电结构的底端形成在所述光吸收层中或者所述光吸收层上。
13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成光吸收层的步骤包括：形成保形覆盖所述硅化物阻挡层的第一能量吸收层。
14.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成光吸收层的步骤包括：
在形成所述硅化物阻挡层后，形成保形覆盖所述硅化物阻挡层的高k介质层；
形成高k介质层后，形成覆盖高k介质层的第一能量吸收层。
15.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成光吸收层的步骤包括：
在形成所述硅化物阻挡层后，形成保形覆盖所述硅化物阻挡层的第二能量吸收层；
形成保形覆盖第二能量吸收层的高k介质层；
形成保形覆盖高k介质层的第一能量吸收层。
16.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成光吸收层的步骤包括：形成覆盖所述硅化物阻挡层的第一能量吸收层；形成覆盖所述第一能量吸收层的高k介质层。
17.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成方法还包括：在形成光吸收层后，形成介电层前，形成覆盖所述光吸收层的金属硅化物层。
18.如权利要求13至16任意一项权利要求所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积、化学气相沉积工艺或者sif4分解工艺形成所述第一能量吸收层。
19.如权利要求14、15或16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积或者化学气相沉积工艺形成所述高k介质层。
20.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积、化学气相沉积工艺或者sif4分解工艺形成所述第二能量吸收层。