技术特征：
技术总结
本发明提供一种三维存储器，包括：半导体结构，所述半导体结构具有衬底、位于衬底上的堆叠结构以及位于所述衬底中的第一源极线；穿过所述堆叠结构的第一沟道孔和第二沟道孔，所述第一沟道孔与所述第二沟道孔交替排列；位于所述第一沟道孔内的第一垂直沟道结构和位于所述第二沟道孔内的第二垂直沟道结构；第二源极线，形成于所述堆叠结构远离所述衬底的顶端；穿过所述第二源极线的第一插塞和第一隔离层；穿过所述第一源极线的第二插塞和第二隔离层。
技术研发人员：胡斌;肖莉红
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2019.02.19
技术公布日：2019.06.14