技术特征：
技术总结
一种装置，所述装置包括化合物半导体芯片，所述化合物半导体芯片包括控制电极、第一负载电极和第二负载电极；第一引线，所述第一引线电耦接至所述控制电极；第二引线，所述第二引线电耦接至所述第一负载电极；第三引线，所述第三引线电耦接至所述第一负载电极。所述第三引线配置成能够提供来自所述第一负载电极的感测信号，所述感测信号是基于所述化合物半导体芯片的物理参数，并且，所述控制电极配置成能够接收基于所述感测信号的控制信号。第四引线，所述第四引线电耦接至所述第二负载电极。
技术研发人员：R·奥特伦巴;K·席斯
受保护的技术使用者：英飞凌科技奥地利有限公司
技术研发日：2016.03.30
技术公布日：2019.07.26