基板处理装置的制作方法

本发明涉及一种基板处理装置。

背景技术：

在对半导体晶圆(以下称为“晶圆”)进行成膜、蚀刻等真空处理的基板处理装置中，为了提高生产率，设置有多个处理模块，在各处理模块中在真空气氛下对晶圆进行处理(参照例如专利文献1、2)。

在多个处理模块连接有用于输送基板的真空输送模块，在真空输送模块与大气输送模块之间设置有用于向大气气氛和真空气氛进行切换的多个加载互锁模块。

在真空输送模块设置有具有多关节臂的输送机构和滑动机构。输送机构利用滑动机构在真空输送模块内滑动，在多个处理模块与真空输送模块之间以及真空输送模块与加载互锁模块之间进行晶圆的输送。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-216614号公报

专利文献2：日本特开2016-25168号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

不过，在滑动机构涂敷有润滑脂。因此，在利用输送机构的多关节臂向处理模块输送晶圆之际，润滑脂混入处理模块的内部，成为污染处理室的原因之一。另外，若在真空输送模块设置滑动机构，则真空输送模块变大，基板处理装置整体的占用面积增大。

对此，若不设置滑动机构就要向多个处理室输送晶圆，则需要延长多关节臂的全长。由此，真空输送模块也变大，基板处理装置的占用面积也增大。也想到增多多关节臂的臂数而缩短各臂的长度，但这样一来产生如下情况：多关节臂的动作变得复杂，并且，臂与关节之间的连接部位变多，而叉状件无法通过形成得较薄的晶圆的输送口，无法向处理模块内输送晶圆。

针对上述问题，在一方面，本发明的目的在于抑制基板处理装置的占用面积。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据一形态，提供一种基板处理装置，所述基板处理装置具有：多边形的输送室；处理室，其经由基板的输送口与所述输送室连接；以及输送机构，其配置于所述输送室，用于经由所述输送口在所述输送室与所述处理室之间输送基板，所述输送室和所述处理室具有俯视时重叠的区域。

发明的效果

就一方面来说，能够抑制基板处理装置的占用面积。

附图说明

图1a是表示输送机构的一个例子的图。

图1b是表示输送机构的一个例子的图。

图2是表示一实施方式的基板处理装置的俯视面的一个例子的图。

图3是表示图2的a-a面的一个例子的图。

图4a是用于说明一实施方式的输送机构的一个例子的图。

图4b是用于说明一实施方式的输送机构的一个例子的图。

图5是表示一实施方式的变形例的基板处理装置的俯视面的一个例子的图。

图6是表示一实施方式的变形例的输送机构的一个例子的图。

图7是表示一实施方式的另一变形例的基板处理装置的一个例子的图。

附图标记说明

1、基板处理装置；2、efem；3a、3b、加载互锁模块；4、处理模块；5、输送臂；6、输送机构；7、加载口；9、输送模块；9a、第1输送室；9b、第2输送室；9c、台阶部；20、foup；31、33、41、闸阀；42、43、输送口；60、基部；61、第1臂；62、第2臂；63a、第3臂；63b、第4臂；65、66、67、旋转轴；68、升降机构；s、台；w1、第1输送室的宽度；w2、第2输送室的宽度。

具体实施方式

以下，参照附图，对用于实施本发明的形态进行说明。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的结构，通过标注相同的附图标记，而省略重复的说明。

[输送机构的动作]

首先，在对本实施方式的输送机构的动作进行说明之前，参照图1a和图1b，对通常的基板处理装置中的输送机构的动作进行说明。在此，列举在基板处理装置中4个处理模块4隔着输送模块99两两相向地配置的结构作为一个例子来进行说明，但处理模块4的数量并不限于此。

图1a的(a)表示基板处理装置的上表面(俯视面)，图1a的(b)表示其侧面。在输送模块99的内部设置有具有多关节臂的输送机构6。输送机构6由基部60支承。

多关节臂具有第1臂61、第2臂62以及第3臂63。在第3臂63上保持有两张晶圆w，但要保持的晶圆w的张数并不限于此，既可以是1张，也可以是多张。

第1臂61、第2臂62以及第3臂63分别以能够旋转(回转)和进退的方式连接。由此，输送机构6使各臂动作而向规定的处理模块4输送晶圆w。在图1a的(a-1)和(b-1)所示的例子中，利用各臂的动作，第3臂63经由输送口42进入被配置到图1a的(a-1)的左下的处理模块4，将未处理晶圆w载置于处理模块4的规定位置，并使第3臂63从处理模块4退出。在对该晶圆w执行了规定的处理之后，如图1a的(a-2)和(a-3)所示，第3臂63从输送口42进入而输出处理后的晶圆w，全部的臂被收纳于输送模块99内。此外，在图1a的(a-3)中，第1臂61、第2臂62以及第3臂63在俯视下被折叠成1个。在本说明书中，将第3臂63与图1a的(a-3)所示的输送模块99的内壁的宽度w3方向平行的状态，或第3臂63与随后论述的图4b的(c-4)所示的输送模块9的内壁的宽度w1方向平行的状态设为“平行状态”。另外，如图1a的(a-3)所示，将从第3臂63的基端部到位于顶端部的延长线上的晶圆w的顶端的长度设为“l”。长度l比输送模块99的内壁的宽度w3小，比输送模块9的内壁的宽度w1大。

在接着图1a的图1b中，输送机构6向接下来的处理模块4输送晶圆w。在图1b的(a-4)和(a-5)所示的输送的情况下，输送机构6使第3臂63的顶端部朝向与图1a的(a-1)的状态相反的方向。具体而言，如图1b的(a-4)所示，输送机构6使第2臂62和第3臂63逆时针旋转，而使第3臂63的顶端部成为反向。接着，输送机构6向图1b的(a-5)的状态转变，使第3臂63经由输送口42进入附图的右上的处理模块4来输送晶圆w。

另一方面，在图1b的(a-6)和(a-7)所示的输送的情况下，输送机构6使第3臂63的顶端部从排列配置到输送模块99的左侧的长边的两个处理模块4中的一者向另一者(在此，从附图的左下向左上)的输送口42移动。

对于图1b所示的(a-4)→(a-5)和(a-6)→(a-7)中任一输送，若从第3臂63的基端部到位于顶端部的延长线上的晶圆w的顶端的长度l也不比输送模块99的内壁的宽度w3小，则在第3臂63成为平行状态时输送模块99的内壁与晶圆w的顶端干涉，无法向规定的处理模块4输送晶圆w。由于该设计上的制约，无法使输送模块99的横向的宽度w3比长度l小，导致基板处理装置的占用面积增大的结果。对此，以下对可抑制占用面积的本发明的一实施方式的基板处理装置进行说明。

此外，在以下的本实施方式的基板处理装置的输送机构6的说明中，如图1a的(a-3)所示，各臂的从基端部到顶端部的长度相等。

[基板处理装置]

首先，参照图2，对本实施方式的基板处理装置1的结构的一个例子进行说明。图2是表示本实施方式的基板处理装置1的俯视面的一个例子的图。基板处理装置1具有输送模块9和4个处理模块4。输送模块9为矩形的真空输送室，但并不限于此，也可以是六边形等多边形。

处理模块4为矩形的真空处理室，用于进行成膜处理、蚀刻处理、灰化处理等。在本实施方式中，处理模块4在输送模块9的两侧相向地各配置有两个。不过，处理模块4的个数并不限于此，也可以是例如1个或两个以上。另外，处理模块4的配置并不限于此，也可以例如不相向配置。

各处理模块4具有4个台s，以便载置晶圆w，能够同时处理4张晶圆w。不过，可在处理模块4内同时处理的晶圆w的张数并不限于4张，也可以是1张、两张以上。

在输送模块9设置有用于输送晶圆w的输送机构6。输送机构6经由输送口42在输送模块9与处理模块4之间输送晶圆w。输送模块9利用闸阀41的开闭来控制与处理模块4之间的开闭。

输送机构6具有多关节臂和与多关节臂连接的基部60，该多关节臂具有第1臂61、第2臂62以及第3臂63a。基部60与输送模块9的长边侧的内壁相邻或接近地配置。在基部60，借助旋转轴65以第1臂61的基端部能够旋转的方式连接有该第1臂61的基端部。在第1臂61的顶端部，借助旋转轴66以第2臂62的基端部能够旋转的方式连接有该第2臂62的基端部。在第2臂62的顶端部，借助旋转轴67以第3臂63a的基端部能够旋转的方式连接有该第3臂63a的基端部。

第3臂63a能够沿着长度方向保持两张晶圆w。不过，可保持于第3臂63a的晶圆w的张数既可以是1张，也可以是多张。第3臂63a是位于多关节臂的顶端的臂，是叉状件的一个例子。

第3臂63a能够保持两张晶圆w，因此，输送机构6能够在4个处理模块4与输送模块9之间以及在输送模块9与加载互锁模块3a、3b之间高效地输送晶圆w。

第1臂61、第2臂62以及第3臂63a利用马达分别借助旋转轴65、66、67独立地旋转。另外，与第1臂61连接的旋转轴65能够利用随后论述的升降机构68伸缩。由此，多关节臂能够沿着上下方向移动。排气部11与设置到输送模块9的排气口90连接，将输送模块9的内部减压成规定的真空气氛。

在输送模块9的短边侧设置有两个加载互锁模块3a、3b。分别使两张晶圆w水平地排列载置于加载互锁模块3a、3b的内部。输送模块9借助晶圆w的输送口34和用于对输送口34进行开闭的闸阀33与加载互锁模块3a、3b连接。加载互锁模块3a、3b在与输送口34相向的面上借助晶圆w的输送口32和用于对输送口32进行开闭的闸阀31与efem(设备前端模块，equipmentfrontendmodule)2连接。efem2是大气压的输送室。

加载互锁模块3a、3b在输送模块9与efem2之间将内部切换成大气气氛和真空气氛。由此，将晶圆w从大气侧的efem2向真空侧的输送模块9输送，或从真空侧的输送模块9向大气侧的efem输送。此外，加载互锁模块3a、3b的个数并不限于两个，既可以是1个，也可以是多个。

在efem2设置有输送臂5。输送臂5用于在foup20与加载互锁模块3a、3b之间进行晶圆w的交接。efem2具有用于输入晶圆w的加载口7，foup20安装固定于加载口7。加载口7具有依据fims(前开口机械标准，front-openinginterfacemechanicalstandard)标准的开闭门21。开闭门21与设置到foup20的盖体连结而移动，从而foup20和efem2的内部连通，可进行晶圆w的交接。

基板处理装置1具备用于对晶圆w的输送、晶圆w的处理进行控制的控制部100。控制部100对处理模块4中的成膜处理等工艺、加载互锁模块3a、3b中的气氛的切换、输送机构6的晶圆w的输送动作、其他基板处理装置1的动作进行控制。

控制部100具有cpu、rom(只读存储器，readonlymemory)、ram(随机存取存储器，randomaccessmemory)等。cpu按照被存储到ram等的制程所设定的步骤，对处理模块4中的处理进行控制。另外，cpu从ram读出而执行用于进行输送机构6的多关节臂、输送臂5对晶圆w的输送的程序，在foup20、efem2、加载互锁模块3a、3b、输送模块9以及处理模块4间对晶圆w的输送进行控制。该程序被储存于例如硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等存储介质，并被安装于ram。

图2的基板处理装置1的结构是本发明的基板处理装置的一个例子，并不限于此。

[输送模块]

接着，一边参照图3一边对本实施方式的输送模块9进行说明。图3是表示从图2的a-a面观察输送模块9和处理模块4的端面的一个例子的图。出于说明的便利，以虚线表示输送模块9的内壁。

输送模块9具有第1输送室9a、第2输送室9b以及位于规定的高度的台阶部9c。第1输送室9a位于台阶部9c的上侧，第2输送室9b位于台阶部9c的下侧。在台阶部9c的上侧的第1输送室9a的两侧配置有处理模块4，与处理模块4连通的输送口42位于第1输送室9a的壁面。第1输送室9a利用闸阀41的开闭来控制经由输送口42与处理模块4之间的开闭。将被处理模块4夹着的第1输送室9a的内壁的宽度称为“第1宽度w1”。另外，将与第1宽度w1同向的第2输送室9b的内壁的宽度称为“第2宽度w2”。第1宽度w1比第2宽度w2小。由此，输送模块9和处理模块4具有俯视时重叠图3中以ar表示的宽度的区域。

第1输送室9a与第2输送室9b连通，并具有升降机构68，该升降机构68用于使输送机构6在第1输送室9a与第2输送室9b之间沿着高度方向升降(参照图4a的(d-1))。

[输送模块的宽度]

返回图2，输送模块9内的双点划线ra表示第3臂63a在多关节臂折叠起来的状态下的回转范围。在晶圆w保持于第3臂63a的顶端的状态下，晶圆w比第3臂63a的顶端向前伸出的状态是通常的状态。因而，双点划线ra表示在使第3臂63a以第3臂63a的旋转轴67为中心旋转时在第3臂63a的顶端部的延长线上延伸的晶圆w的顶端的轨迹。另外，以双点划线ra表示的回转半径为从第3臂63a的基端部的旋转轴67到位于该臂的顶端部的延长线上的晶圆w的顶端的长度l。长度l比第1输送室9a的第1宽度w1大，且比第2输送室9b的第2宽度w2小(参照图4b的(c-4))。

[输送模块中的输送机构的动作]

接着，一边参照图4a和图4b一边对本实施方式的输送模块9中的输送机构6的动作的一个例子进行说明。图4a的(c)表示基板处理装置的上表面(俯视面)，图4a的(d)表示其侧面。

在图4a的(c-1)和(d-1)所示的例子中，第1臂61、第2臂62以及第3臂63a利用升降机构68上升到第1输送室9a，第3臂63a经由输送口42进入被配置到图4a的(c-1)的左下的处理模块4，将未处理晶圆w载置于处理模块4的规定位置，使第3臂63a从处理模块4退出。在对该晶圆w执行了规定的处理之后，如图4a的(c-2)和(c-3)所示，第3臂63a从输送口42进入而输出处理后的晶圆w，第1臂61、第2臂62以及第3臂63a被收纳于第1输送室9a内。

在接着图4a的图4b中，在图4b的(c-4)、(c-5)和(c-7)中仅示出了第2输送室9b，在图4b的(c-6)和(c-8)中示出了第1输送室9a和第2输送室9b。

如图4b的(c-4)所示，第1输送室9a的第1宽度w1比长度l小，因此，第3臂63a无法如图1a的(a-2)所示那样取得平行状态。因此，多关节臂在第1输送室9a中使第3臂63a在相对于第1宽度w1倾斜的方向上倾斜地动作，经由输送口42向处理模块4输入晶圆w，或从处理模块4输出晶圆w。

另外，若在第1输送室9a内使第3臂63a旋转，则在第3臂63a成为平行状态时第1输送室9a的内壁与晶圆w的顶端干涉。因此，如图4b的(c-4)和(d-2)所示，利用升降机构68使输送机构6下降而从第1输送室9a向第2输送室9b收纳。

如图4b的(d-2)所示，在利用升降机构68使输送机构6下降而使输送机构6收纳到第2输送室9b之后，使各臂旋转。由此，在第2输送室9b内，能够不使晶圆w与输送模块9的内壁干涉地使第3臂63a旋转。

由此，使朝向输送模块9的左侧的第3臂63a的顶端部保持朝向左侧的状态从附图的左下向左上移动(图4b的(c-5))，或使朝向输送模块9的左侧的第3臂63a的顶端部向作为反转后的朝向的输送模块9的右侧移动(图4b的(c-7))。

并且，在使第3臂63a相对于平行状态斜着倾斜了的状态下，如图4b的(d-3)所示，利用升降机构68使输送机构6上升而从第2输送室9b向第1输送室9a收纳。这样的话，使第3臂63a相对于平行状态斜着倾斜，因此，即使例如如图4b的(c-6)所示，长度l比第1宽度w1大，也能够使输送机构6向第1输送室9a收纳。如此，如图4b的(c-6)和(c-8)所示，使第3臂63a在相对于平行状态斜着倾斜的状态下从第1输送室9a的输送口42进入，将晶圆w载置于规定的处理模块4，使第3臂63从处理模块4退出。

输送机构6的多关节臂的动作由控制部100控制。根据本实施方式的基板处理装置1，将输送模块9的宽度尺寸设为在高度方向上不同，在作为宽度尺寸较大的下部区域的第2输送室9b内使多关节臂回转，在作为宽度尺寸较小的上部区域的第1输送室9a内使多关节臂一边倾斜一边移动来进行臂的伸缩动作并输送晶圆w。

这样的话，能够利用图3所示的输送模块9的台阶部9c来使第1输送室9a的第1宽度w1比第2输送室9b的第2宽度w2小。由此，输送模块9和处理模块4具有俯视时重叠ar的宽度的区域，能够将处理模块4向内侧配置(w2-w1)的宽度。其结果，能够抑制基板处理装置1的占用面积。

此外，在第2输送室9b中，也可以一边进行使第3臂63a旋转的动作一边进行除此之外的动作(使各臂前进、后退的动作)。在第1输送室9a中，无法进行使第3臂63a旋转成为平行状态的动作，但能够进行除此之外的动作。

以上，对如下情况进行了说明：在使第3臂63a的朝向与图4b的(c-4)的状态相同的朝向的情况下，对于使第3臂63a的顶端部朝向不同的方向的动作(图4b的(c-5))和使第3臂63a的朝向设为相对于图4b的(c-4)的状态反转后的朝向的动作(图4b的(c-7))中任一个，若也要在第1输送室9a内使第3臂63a旋转，则在第3臂63a成为平行状态时第1输送室9a的内壁与晶圆w的顶端干涉。

不过，对于使输送机构6上升后的位置处的多关节臂与第1输送室9a的内壁之间的干涉，在第1臂61、第2臂62以及第3臂63a中至少任一个基端部中也可能产生。例如，在第1臂61以旋转轴65为中心旋转之际，存在第1臂61的基端部同与基部60相邻的第1输送室9a的内壁干涉的情况。对于第2臂62和第3臂63a也同样。在该情况下，也通过在第2输送室9b中使第1臂61、第2臂62以及第3臂63a旋转，从而能够避免第1臂61、第2臂62以及第3臂63a的基端部与第1输送室9a的内壁之间的干涉。

另一方面，对于使第3臂63a的顶端部从在第1输送室9a的长边或相同边排列配置的两个处理模块4中的一者的输送口42朝向另一者的输送口42的动作，只要是使第1臂61和第2臂62不与第1输送室9a的内壁干涉地大幅度回转就能够不与第1输送室9a的内壁接触地使第3臂63a的顶端部朝向输送口42的情况，就无需图4b的(d-2)和(d-3)的升降动作，可全部在第1输送室9a内进行。

[变形例]

接着，一边参照图5和图6一边对本实施方式的变形例的基板处理装置1和输送机构6的一个例子进行说明。图5是表示本实施方式的变形例的基板处理装置1的俯视面的一个例子的图。图6是表示本实施方式的变形例的输送机构6的一个例子的图。

如图5所示，变形例的基板处理装置1在具有6个处理模块4这点以及多关节臂由4个臂组成这点上与图2所示的本实施方式的基板处理装置1不同，除此之外的结构与图2的基板处理装置1相同。

如图5和图6所示，在第2臂62的顶端部，借助旋转轴67以第3臂63a的基端部和第4臂63b的基端部能够旋转且沿着高度方向相互隔着间隙的方式连接有该第3臂63a的基端部和第4臂63b的基端部。

在第3臂63a和第4臂63b中，将上层侧设为第3臂63a，将下层侧设为第4臂63b。第3臂63a和第4臂63b是相同结构，以旋转轴67为中心相互独立地回转。如图6所示，将从第3臂63a的基端部到位于顶端部的延长线上的晶圆w的顶端的长度设为“l”。将从第4臂63b的基端部到位于顶端部的延长线上的晶圆w的顶端的长度也设为“l”。

第3臂63a和第4臂63b分别可沿着长度方向载置多张晶圆w。在本变形例中，第3臂63a和第4臂63b分别保持两张晶圆w。

因而，在本变形例中，第3臂63a和第4臂63b能够利用两臂最多保持4张晶圆w。由此，输送机构6能够在6个处理模块4与输送模块9之间以及输送模块9与加载互锁模块3a、3b之间高效地进行晶圆w的输送。

不过，图5的基板处理装置1的结构是本发明的基板处理装置的一个例子，并不限于此。

如图6所示，在本变形例的输送机构6中，第3臂63a和第4臂63b的长度构成得比第1臂61和第2臂62的长度小。并且，在本变形例中，图6所示的从第3臂63a和第4臂63b的基端部到位于顶端部的延长线上的晶圆w的顶端的长度l比第1宽度w1小。另外，从第1臂61的基端部到顶端部的长度l2比第1宽度w1大，且比第2宽度w2小。

在该结构中，第3臂63a和第4臂63b可在第1输送室9a内收纳和回转。另一方面，第1臂61和第2臂62无法在第1输送室9a内收纳和回转，而可在第2输送室9b内收纳和回转。

因而，在本变形例中，第1输送室9a收纳第3臂63a和第4臂63b。另一方面，第2输送室9b收纳第1臂61和第2臂62。此外，第3臂63a和第4臂63b是位于多关节臂的顶端的叉状件的一个例子。

由此，在本变形例中，在第2输送室9b内使第1臂61和第2臂62回转和进退，在第1输送室9a内使第3臂63a和第4臂63b回转和进退来向处理模块4输送第3臂63a和第4臂63b上的晶圆w。由此，不使多关节臂升降移动，就能够输送晶圆w。这些动作由控制部100控制。

在本变形例中，输送模块9也具有台阶部9c，从而输送模块9和处理模块4具有俯视时重叠ar的宽度的区域。其结果，能够缩小基板处理装置1的宽度，而能够抑制基板处理装置1的占用面积。此外，根据本变形例，无需用于使多关节臂升降的升降机构和使多关节臂升降的动作。此外，在本变形例中，包括多关节臂的输送机构6既可以位于例如输送模块9的长边侧的中央位置，也可以位于从其中央位置沿着输送模块9的长边侧偏离的位置。

最后，一边参照图7，一边对另一变形例的基板处理装置1进行说明。图7是表示另一变形例的基板处理装置1的一个例子的图。图7是从图2的a-a面观察基板处理装置1时的替代图3的另一个例子。

本变形例的基板处理装置1在具有后工序模块8这点上与图3的基板处理装置1不同，其他结构与图3的基板处理装置1相同。

在本变形例中，在台阶部9c的上侧的第1输送室9a的两侧配置有处理模块4，输送口42位于第1输送室9a的壁面。第1输送室9a利用闸阀41的开闭来控制经由输送口42与处理模块4之间的开闭。在台阶部9c的下侧的第2输送室9b的两侧配置有比处理模块4的宽度小的后工序模块8，输送口43位于第2输送室9b的壁面。第2输送室9b利用闸阀44的开闭来控制经由输送口43与后工序模块8之间的开闭。后工序模块8既可以配置于处理模块4的正下方，也可以沿着第2输送室9b的长边方向偏离地配置。

而且，处理模块4的外侧端面和后工序模块8的外侧端面在基板处理装置1的宽度方向上相同。因而，在本变形例的情况下，输送模块9和处理模块4也具有俯视时重叠ar的宽度的区域，且使处理模块4和后工序模块8的外侧端面相同，从而能够抑制基板处理装置1的占用面积。

此外，在后工序模块8中，在处理模块4中所执行的工序的后工序的处理被执行。作为后工序的处理的一个例子，可列举出脱气处理、灰化处理等。

以上，利用上述实施方式对基板处理装置进行了说明，但本发明的基板处理装置并不限定于上述实施方式，可在本发明的范围内进行各种变形和改良。上述多个实施方式所记载的事项能够在不矛盾的范围内组合。

例如，本发明也能够适用于设置有多个输送模块9的基板处理装置。在该情况下，在基板处理装置内串联的输送模块9由通路单元连接。在这样的基板处理装置1的结构中，也能够将本发明分别适用于多个输送模块9。由此，能够抑制基板处理装置1的占用面积。

在等离子体机构设置于本发明的处理模块的情况下，也可适用于capacitivelycoupledplasma(电容耦合等离子体，ccp)、inductivelycoupledplasma(电感耦合等离子体，icp)、radiallineslotantenna(径向线缝隙天线)、electroncyclotronresonanceplasma(电子回旋共振等离子体，ecr)、heliconwaveplasma(螺旋波等离子体，hwp)中的任一类型。

在本说明书中，列举半导体晶圆w作为基板的一个例子而进行了说明。不过，基板并不限于此，也可以是lcd(液晶显示器，liquidcrystaldisplay)、fpd(平板显示器，flatpaneldisplay)所使用的各种基板、cd基板、印刷基板等。