技术总结
本发明根据一些实施例提供了制造半导体结构的方法。该方法包括接收具有有源区域和隔离区域的衬底；在衬底上形成栅极堆叠件并且该栅极堆叠件从有源区域延伸至隔离区域；在栅极堆叠件的侧壁上形成内栅极间隔件和外栅极间隔件；在衬底上形成层间介电(ILD)层；去除隔离区域中的外栅极间隔件，从而在内栅极间隔件和ILD层之间产生气隙；并且对ILD层实施离子注入工艺，从而扩展ILD层以覆盖气隙。本发明的实施例还提供了具有气隙的半导体结构的制造方法和气隙的密封方法。
技术研发人员：孙宏彰;峰地辉;方子韦
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2019.07.15
技术公布日：2020.01.24