技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；在所述栅极结构两侧的鳍部中形成第一源漏掺杂层；在所述第一源漏掺杂层上形成至少一层第二源漏掺杂层，形成所述第二源漏掺杂层的步骤包括：形成位于衬底上且露出第一源漏掺杂层或位于下方第二源漏掺杂层的保护层；在保护层露出的第一源漏掺杂层或位于下方第二源漏掺杂层上形成第二源漏掺杂层；在所述保护层上形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述第二源漏掺杂层；在所述层间介质层和保护层中形成包围所述第一源漏掺杂层和第二源漏掺杂层的接触孔插塞。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一源漏掺杂层的步骤包括：刻蚀所述栅极结构两侧的鳍部，在所述栅极结构两侧的鳍部中形成凹槽；在所述凹槽中形成所述第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层的顶部高于所述鳍部的顶部。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二源漏掺杂层的数量为一个，形成所述第二源漏掺杂层的步骤包括：在所述栅极结构露出的衬底上形成露出所述第一源漏掺杂层顶部的保护层，所述保护层的顶部高于所述鳍部的顶部且低于所述第一源漏掺杂层的顶部；采用外延工艺，在所述保护层露出的所述第一源漏掺杂层上形成所述外延层，且在形成所述外延层的过程中原位自掺杂离子形成所述第二源漏掺杂层。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为介电材料。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层与所述层间介质层的材料相同。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述接触孔插塞的步骤包括：刻蚀所述层间介质层和保护层，形成露出所述第一源漏掺杂层和第二源漏掺杂层的接触孔；形成填充所述接触孔内的接触孔插塞。7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽为西格玛形。8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一源漏掺杂层或第二源漏掺杂层在沿垂直于鳍部的延伸方向为菱形结构。9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述接触孔后，形成所述接触孔插塞之前，还包括：在所述接触孔露出的第一源漏掺杂层和第二源漏掺杂层表面形成硅化物层。10.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；鳍部，凸出于所述衬底；栅极结构，横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；第一源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的鳍部中；保护层，位于所述衬底上、与第一源漏掺杂层同层且露出所述第一源漏掺杂层顶部；位于所述保护层露出的第一源漏掺杂层上的至少一层第二源漏掺杂层；
层间介质层，位于所述保护层上且覆盖所述第二源漏掺杂层；接触孔插塞，位于所述层间介质层和保护层中且包围所述第一源漏掺杂层和第二源漏掺杂层。11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一源漏掺杂层的顶部高于所述鳍部的顶部；所述第二源漏掺杂层的数量为一个；所述保护层的顶部高于所述鳍部的顶部且低于所述第一源漏掺杂层的顶部；所述第二源漏掺杂层包括位于保护层露出的第一源漏掺杂层上、掺杂有离子的外延层。12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的材料为介电材料。13.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层与所述层间介质层的材料相同。14.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。15.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：硅化物层，位于所述第一源漏掺杂层与所述接触孔插塞之间、以及所述第二源漏掺杂层与所述接触孔插塞之间。16.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，沿所述衬底表面的法线方向上，所述保护层顶部与所述第一源漏掺杂层顶部之间的距离为1纳米至3纳米。17.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，沿所述衬底表面的法线方向上，所述第二源漏掺杂层顶部低于所述栅极结构的顶部，且所述第二源漏掺杂层顶部与所述栅极结构顶部之间的距离为100埃米至500埃米。18.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一源漏掺杂层或第二源漏掺杂层在沿垂直于鳍部的延伸方向为菱形结构。