技术特征：
技术总结
本发明公开一种Micro‑LED阵列及其制备方法，涉及LED封装领域，主要包括硅基板、金属基板以及位于硅基板、金属基板之间的多个相同的发光芯片；发光芯片由下向上依次设置金属触点、p型氮化镓层、多量子阱层和n型氮化镓层；硅基板上设置有布线，金属触点通过布线与硅基板电气互联，金属基板设置在n型氮化镓层上；金属触点作为发光芯片的p电极；金属基板作为发光芯片的n电极；当硅基板通电后，电流从金属触点流向金属基板，实现Micro‑LED阵列的发光。本发明公开的Micro‑LED阵列及其制备方法，能够实现Micro‑LED阵列的无金线封装。
技术研发人员：殷录桥;张建华;张豆豆
受保护的技术使用者：上海大学
技术研发日：2019.08.15
技术公布日：2019.11.12