技术特征：
技术总结
本发明涉及一种抗PID效应的高效黑硅电池片的制备方法，属于黑硅电池技术领域。首先通过常规工艺进行黑硅制绒、扩散，随后将酸刻蚀去除PSG后的硅片放入到扩散炉中进行预钝化处理，最后进行PECVD镀膜和丝网印刷，得到抗PID效应的高效黑硅电池片。本发明通过预钝化工艺在黑硅表面制备致密SiO2，保证黑硅复杂绒面结构表面均已沉积SiO2薄膜；PECVD工序中通过调整SiH4流量实现降低SINx薄膜折射率，提高SiNx的减反效果尤其是短波段的光吸收，发挥出黑硅电池在短波段高量子效率的优势。
技术研发人员：孙腾;缪若文;管高飞;沙忠宇;徐明靖
受保护的技术使用者：无锡尚德太阳能电力有限公司
技术研发日：2019.08.29
技术公布日：2019.10.29