1.一种封装式电子装置，其包括：
热转移结构，其包含具有导电特征的电绝缘导热衬底；
半导体裸片，其安装到所述电绝缘导热衬底的所述导电特征，所述半导体裸片包含导电接触结构，以及电连接到所述导电接触结构的电子组件；
框架，和
电绝缘层合结构，其围封所述半导体裸片的一部分、所述框架的一部分和所述热转移结构的一部分。
2.根据权利要求1所述的封装式电子装置，其中所述电绝缘衬底包含陶瓷材料。
3.根据权利要求2所述的封装式电子装置，其中所述电绝缘衬底包含氧化铝、氮化铝、氮化硅、烧制或烧结的氧化锆陶瓷或氧化锆增韧氧化铝。
4.根据权利要求2所述的封装式电子装置，其另外包括具有电连接到所述导电接触结构的导电结构的重布层rdl结构。
5.根据权利要求4所述的封装式电子装置，其另外包括安装到所述热转移结构的所述导电层的散热片。
6.根据权利要求2所述的封装式电子装置，其另外包括安装到所述热转移结构的所述导电层的散热片。
7.根据权利要求1所述的封装式电子装置，其另外包括具有电连接到所述导电接触结构的导电结构的重布层rdl结构。
8.根据权利要求7所述的封装式电子装置，其另外包括安装到所述热转移结构的所述导电层的散热片。
9.根据权利要求1所述的封装式电子装置，其另外包括安装到所述热转移结构的所述导电层的散热片。
10.根据权利要求1所述的封装式电子装置，其中所述半导体裸片包含：
半导体衬底，其中所述电子组件安置于所述半导体衬底上或中；和
金属化结构，其安置于所述半导体衬底上方，其中所述导电结构从所述金属化结构向外延伸。
11.一种用于制造封装式电子装置的方法，所述方法包括：
将半导体裸片附接到电绝缘导热衬底上的导电特征；和
形成电绝缘层合结构以围封所述半导体裸片的一部分和所述电绝缘导热衬底的一部分。
12.根据权利要求11所述的方法，其另外包括：
将所述裸片和框架附接到载体结构；
形成所述电绝缘层合结构以围封所述框架的部分以及所述半导体裸片和所述电绝缘衬底的所述部分；和
在形成所述电绝缘层合结构之后移除所述载体结构。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述载体结构是胶粘带。
14.根据权利要求11所述的方法，其另外包括：
形成具有电连接到所述半导体裸片的导电接触结构的导电结构的重布层rdl结构。
15.根据权利要求14所述的方法，其另外包括：
将散热片安装到所述电绝缘导热衬底。
16.根据权利要求11所述的方法，其另外包括：
将散热片安装到所述电绝缘导热衬底。
17.根据权利要求11所述的方法，其中所述电绝缘导热衬底包含陶瓷材料。
18.一种集成电路ic，其包括：
热转移结构，其包含具有导电特征的电绝缘导热衬底；
半导体裸片，其安装到所述电绝缘导热衬底的所述导电特征，所述半导体裸片包含导电接触结构，以及电连接到所述导电接触结构的电子组件；
电绝缘层合结构，其围封所述半导体裸片的一部分和所述热转移结构的一部分；和
重布层rdl结构，其具有电连接到所述导电接触结构的导电结构。
19.根据权利要求18所述的ic，其另外包括安装到所述热转移结构的所述导电层的散热片。
20.根据权利要求18所述的ic，其中所述电绝缘导热衬底包含陶瓷材料。