主动式RGB发光二极管像素组件的制作方法

本申请是有关于一种发光二极管像素组件，特别是一种主动式发光二极管像素组件。

背景技术：

随着微发光二极管(miniled)技术的逐渐发展，使得发光二极管显示器(leddisplay)的发展前景备受期待。

其中，发光二极管显示器依据驱动方式的差异可分为被动式驱动及主动式驱动两类。被动式驱动方式需要在基板上配置行列矩阵式的扫描电极和数据电极，并直接运用扫描信号来驱动各画数内的发光二极管芯片，但由于扫描电极与数据电极实行列矩阵式方式排列，电路配置复杂，导致被动式发光二极管像素组件的层数通常达到六层、八层或更多层电路，导致加工成本上升。

另一方面，主动式驱动方式则是直接在玻璃或聚酰亚胺(pi)基板上通过溅镀方式形成多个薄膜晶体管，而可对各像素内的发光二极管芯片各别控制，虽然主动式发光二极管显示器通过设置薄膜晶体管的方式降低载板的层数，但以溅镀方式形成薄膜晶体管的制程费用仍然较高，而玻璃基材有易碎的特性，聚酰亚胺基板则成本较高，使得现有的主动式发光二极管显示器虽然较为轻薄，但仍有成本较高等其他缺失。目前，以主动式驱动方式制作rgb发光二极管像素组件的概念已被提出，但上述问题仍然存在。

技术实现要素：

有鉴于此，本申请的主要目的在于提供一种制作成本较低且容易制作的主动式发光二极管像素组件。

为了达成上述及其他目的，本申请提供一种主动式rgb发光二极管像素组件，其包括一基板、一电路层、三个晶体管芯片、一防焊层及三个发光二极管芯片，电路层形成于基板上且包括一闸极电路、一源极电路、一汲极电路及多个对外电接点，该些对外电接点分别电性连接该闸级电路、该源极电路及该汲极电路，各晶体管芯片则具有一闸极端、一源极端及一汲极端，该些晶体管芯片的闸极端及源极端分别贴装于电路层的闸极电路及源极电路并分别形成电性连接，防焊层覆盖基板、电路层及晶体管芯片，且防焊层具有多个第一导通孔及多个第二导通孔，该些第一、第二导通孔内形成有导电层。各发光二极管芯片具有一n极电接点及一p极电接点，该些发光二极管芯片贴装于防焊层上，且该些第一导通孔的导电层分别电性连接于该些晶体管芯片的汲极端与该些发光二极管芯片的n极电接点之间，该些第二导通孔的导电层则分别电性连接于汲极电路与该些发光二极管芯片的p极电接点之间，该些发光二极管芯片分别用以发出红、绿、蓝光。

为了达成上述及其他目的，本申请提供一种主动式rgb发光二极管像素组件，其包括一基板、一电路层、三个晶体管芯片、一防焊层及三个发光二极管芯片，电路层形成于基板上且包括一闸极电路、一源极电路、一汲极电路及多个对外电接点，该些对外电接点分别电性连接该闸级电路、该源极电路及该汲极电路，各晶体管芯片则具有一闸极端、一源极端及一汲极端，该些晶体管芯片的闸极端及源极端分别贴装于电路层的闸极电路及源极电路并分别形成电性连接，防焊层覆盖基板、电路层及晶体管芯片，且防焊层具有多个第一导通孔及多个第二导通孔，该些第一、第二导通孔内形成有导电层。各发光二极管芯片具有一p极电接点及一n极电接点，该些发光二极管芯片贴装于防焊层上，且该些第一导通孔的导电层分别电性连接于该些晶体管芯片的汲极端与该些发光二极管芯片的p极电接点之间，该些第二导通孔的导电层则分别电性连接于汲极电路与该些发光二极管芯片的n极电接点之间，该些发光二极管芯片分别用以发出红、绿、蓝光。

本申请通过将晶体管芯片内埋于防焊层内，再利用导通孔使贴装于防焊层表面的两极分别电连接于晶体管芯片与汲极电极，不但实现了rgb发光二极管显示器的主动式驱动设计，而且层数相较于传统被动式发光二极管显示器更低，而成本又比现有采用薄膜晶体管的主动式发光二极管显示器更低，从而能够满足产业界对于发光二极管像素组件的轻薄化、降成本需求。

有关本申请的其它功效及实施例的详细内容，配合附图说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本申请主动式rgb发光二极管像素组件其中一实施例的局部分解立体图；

图2为本申请主动式rgb发光二极管像素组件其中一实施例的剖面示意图；

图3为本申请主动式rgb发光二极管像素组件另一实施例的剖面示意图。

符号说明

10：基板20：电路层

21：闸极电路22：源极电路

23：汲极电路24：对外电接点

30：晶体管芯片52：p极电接点

31：闸极端32：源极端

33：汲极端40：防焊层

41：第一导通孔42：第二导通孔

43、44：导电层45：第一电镀层

46：第二电镀层47、48：发光二极管焊垫

50：发光二极管芯片51：n极电接点

具体实施方式

请参考图1、图2，所绘示者为本申请主动式rgb发光二极管像素组件的其中一实施例，其包括一基板10、一电路层20、三个晶体管芯片30、一防焊层40及三个发光二极管芯片50。本申请的主动式rgb发光二极管像素组件都可作为一个显示器载板上的像素单位，并可被贴装于显示器载板上。

基板10可以采用一般电路板常用的基板材质，例如fr-4等级的环氧树脂。

电路层20形成于基板10上，且电路层20包括一闸极(gateelectrode)电路21、一源极(sourceelectrode)电路22、一汲极(drainelectrode)电路23及多个对外电接点24，对外电接点24分别电性连接闸级电路21、源极电路22及汲极电路23，对外电接点24是作为与一外部显示器载板电性连接的接口，其数量视各晶体管芯片30的电极端是否有共享电路而定，但对外电接点24的数量至少为三个。该些晶体管芯片30各具有一闸极端31、一源极端32及汲极端33三个电接点，其中闸极端31及源极端32分别贴装于电路层20的闸级电路21及源极电路22并分别形成电性连接，闸极端31与闸级电路21之间可能通过导电胶或锡球形成电性连接，源极端31与源极电路22之间亦同，本文的晶体管芯片30在贴设于基板10之前即已被预置成可实现晶体管的功能者，例如由晶圆分切制成的晶体管，本文的晶体管芯片30特别排除在基板10上以印刷或蒸镀等方式逐渐形成所述汲极端、源极端与门极端者，例如薄膜晶体管。本实施例中，电路层是以单层结构为例，在其他可能的实施方式中，电路层也可以是积层结构，使其具有较高的设计自由度，并可用以设计较复杂的线路，然而与被动式发光二极管显示器相较，本申请的结构层数仍会较少。

防焊层40覆盖基板10、电路层20及该些晶体管芯片30，且防焊层具有多个第一导通孔41及多个第二导通孔42，这些第一、第二导通孔41、42内分别形成有导电层43、44，第一、第二导通孔例如是以雷射穿孔或机械钻孔方式形成。

发光二极管芯片50各别具有一n极电接点51及一p极电接点52，其可为覆晶发光二极管芯片，且发光二极管芯片50贴装于防焊层40上，第一导通孔41的导电层43分别电性连接于晶体管芯片30的汲极端33及发光二极管芯片50的n极电接点51之间，第二导通孔42的导电层44则分别电性连接于汲极电路23与发光二极管芯片50的p极电接点52之间。为了增加n极电接点51及p极电接点52贴装的可靠性，可在第一导通孔41的导电层43顶面形成第一电镀层45，并在第二导通孔42的导电层44顶面形成一第二电镀层46，使n极电接点51及p极电接点52分别贴装于第一、电镀层45、46。作为一种rgb发光二极管像素组件，所贴装的发光二极管芯片分别用以发出红光、绿光及蓝光，以此组成一个像素单位。

本实施例中，晶体管芯片30为pnp型晶体管，亦即，当闸极端31为选择状态(开)时，电流会依序流经源极电路22、晶体管芯片30的源极端32而后流向汲极端33，最后进入n极电接点51并驱动发光二极管芯片50发光。

如图3所示，在其他可能的实施方式中，晶体管芯片可以是npn型晶体管，亦即，当闸极端31为选择状态(开)时，电流会从汲极电路23经由第二导通孔42内的导电层44进入n极电接点51并驱动发光二极管芯片50发光，而后经由p极电接点52依序经由第一导通孔41的导电层43流经汲极端33及源极端32，而后进入源极电路22。因此，本实施方式中，第一导通孔41的导电层43电性连接于汲极端33与p极电接点52之间，第二导通孔42的导电层44电性连接于汲极电路23与n极电接点51之间，p极电接点52及n极电接点51则分别贴装于第一、第二电镀层45、46上。

综合上述，本申请通过将晶体管芯片内埋于防焊层内，再利用导通孔使贴装于防焊层表面的两极分别电连接于晶体管芯片与汲极电极，不但实现了rgb发光二极管像素组件的主动式驱动设计，而且层数相较于传统被动式发光二极管显示器更少，而由于晶体管芯片的造价低，因此成本又比现有采用薄膜晶体管的主动式发光二极管显示器更低，从而能够满足产业界对于发光二极管像素组件的轻薄化、降成本需求。

以上所述的实施例及/或实施方式，仅是用以说明实现本申请技术的较佳实施例及/或实施方式，并非对本申请技术的实施方式作任何形式上的限制，任何本领域技术人员，在不脱离本申请内容所公开的技术手段的范围，当可作些许的更动或修改为其它等效的实施例，但仍应视为与本申请实质相同的技术或实施例。