接触结构、半导体器件结构及其制备方法与流程

技术总结
本发明涉及一种接触结构、半导体器件结构及其制备方法，接触结构包括：导电插塞；钝化保护层，覆盖所述导电插塞的侧壁。上述接触结构中通过在导电插塞的侧壁形成钝化保护层，防止导电插塞暴露于空气中，避免导电插塞的表面被氧化，在酸洗工艺中钝化保护层可以保护导电插塞不被去除，确保导电插塞的形貌完整，保证了器件的导电性能。器件的导电性能。器件的导电性能。


技术研发人员：金星
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2019.10.11
技术公布日：2021/4/12