线圈电子组件的制作方法

本申请要求于2019年3月6日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0025755号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

本公开涉及一种线圈电子组件。

背景技术：

近来，随着诸如通信装置、显示装置等的信息技术(it)装置越来越小型化和轻薄化，促进在这种it装置中使用的诸如电感器、电容器、晶体管等各种元件的小型化和轻薄化的技术的研究不断进行。在这方面，电感器已迅速被具有小尺寸和高密度、能够被自动地表面安装的片所替代。另外，已经开发出通过镀覆工艺在绝缘基板的顶表面和底表面上形成线圈图案并且在线圈图案的上部和下部层叠、压制和固化其中磁性粉末颗粒和树脂混合的磁性片来制造的薄膜型器件。

然而，随着薄膜型电感器的片尺寸也已减小，主体的体积已经减小。因此，用于在主体中形成线圈的空间也减小，并且形成的线圈的匝数减少。

如上所述，当形成线圈的面积减小时，会难以确保高电感并且线圈的宽度可能减小。因此，dc电阻和ac电阻会增大，并且品质因数q会降低。

尽管片尺寸减小，但为了实现高电感和高品质因数q，线圈需要形成为在小型化的主体中占据尽可能大的面积。另外，需要通过增加内部线圈的面积并使磁通量平稳地流动来改善诸如电感l、品质因数q等的电感器性能。

技术实现要素：

本公开的一方面在于提供一种线圈电子组件，尽管片尺寸减小，但是所述线圈电子组件也可通过在相同片尺寸内增加形成线圈部的面积来实现高电感。

本公开的一方面在于提供一种线圈电子组件，所述线圈电子组件可通过显著减小安装基板和外电极与磁通量流动的干扰的影响来改善诸如电感l、品质因数q等的性能。

本公开的一方面在于提供一种线圈电子组件，所述线圈电子组件可通过增加线圈部中的芯部的面积、线圈部的最外部分与主体的外部之间的边缘部分的设计自由度(随着片尺寸减小，设计自由度受到限制)等来实现性能的改善。

根据本公开的一方面，一种线圈电子组件包括：主体，具有彼此相对的第一表面和第二表面以及彼此相对并且将所述第一表面和所述第二表面彼此连接的第三表面和第四表面；绝缘基板，设置在所述主体内；第一线圈部和第二线圈部，分别设置在所述绝缘基板的相对表面上；第一引出部，连接到所述第一线圈部的一端并且从所述主体的所述第一表面和所述第三表面暴露；第二引出部，连接到所述第二线圈部的一端并且从所述主体的所述第二表面和所述第三表面暴露；以及第一外电极和第二外电极，分别覆盖所述第一引出部和所述第二引出部。所述绝缘基板包括：支撑部，支撑所述第一线圈部和所述第二线圈部；第一尖端，从所述主体的所述第一表面和所述第三表面暴露并且支撑所述第一引出部，以及第二尖端，从所述主体的所述第二表面和所述第三表面暴露并且支撑所述第二引出部。

根据本公开的一方面，一种线圈电子器件包括：主体，具有彼此相对的第一表面和第二表面以及彼此相对并且将所述第一表面和所述第二表面彼此连接的第三表面和第四表面；绝缘基板，设置在所述主体内；第一线圈部和第二线圈部，分别设置在所述绝缘基板的相对表面上；第一引出部，设置在所述绝缘基板上，连接到所述第一线圈部的一端，并且从所述主体的所述第一表面和所述第三表面暴露；第二引出部，设置在所述绝缘基板上，连接到所述第二线圈部的一端，并且从所述主体的所述第二表面和所述第三表面暴露；以及第一外电极和第二外电极，分别覆盖所述第一引出部和所述第二引出部。所述第一外电极和所述第二外电极中的每个包括设置在所述第一引出部和所述第二引出部中的相应的一个上的第一导电层以及覆盖所述第一导电层的第二导电层。所述第一导电层具有位于所述绝缘基板的从所述主体暴露的部分上的凹部。

根据本公开的一方面，一种线圈电子器件包括：主体，具有彼此相对的第一表面和第二表面以及彼此相对并且将所述第一表面和所述第二表面彼此连接的第三表面和第四表面；绝缘基板，设置在所述主体内；第一线圈部和第二线圈部，分别设置在所述绝缘基板的相对表面上；第一引出部，设置在所述绝缘基板上，连接到所述第一线圈部的一端，并且从所述主体的所述第一表面和所述第三表面暴露；第二引出部，设置在所述绝缘基板上，连接到所述第二线圈部的一端，并且从所述主体的所述第二表面和所述第三表面暴露；第一外电极和第二外电极，分别覆盖所述第一引出部和所述第二引出部；以及氧化物层，覆盖所述主体的一部分。

所述主体可以是1608尺寸或更小。

所述线圈部可形成为垂直于或基本上垂直于所述主体的所述第一表面和所述第二表面。

所述线圈部可形成为相对于所述主体的所述第三表面或所述第四表面以80至100度的角度直立。

覆盖所述第一引出部的所述第一外电极可形成为延伸到所述主体的所述第一表面和所述第三表面，但是可不形成在所述主体的所述第四表面上，覆盖所述第二引出部的所述第二外电极可形成为延伸到所述主体的所述第二表面和所述第三表面，但是可不形成在所述主体的所述第四表面上。

附图说明

通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其它方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：

图1是示出根据本公开中的实施例的线圈电子组件的线圈部的示意性透视图；

图2是沿图1中示出的线圈电子组件的线i-i'截取的截面图；

图3是沿图2中示出的根据本公开中的示例实施例的线圈电子组件的线ii-ii'截取的截面图；以及

图4是沿图2中示出的根据本公开中的另一示例实施例的线圈电子组件的线ii-ii'截取的截面图。

具体实施方式

在此使用以描述本公开的实施例的术语不意在限制本公开的范围。冠词“一”和“一个”是单数的，因为它们具有单个指示物，然而在本文中使用单数形式不应排除存在多于一个指示物。换言之，除非上下文另有明确说明，否则以单数形式提及的本公开的元件的数量可以是一个或更多个。将进一步理解，当在此使用术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”时，列举所述特征、数字、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

在实施例的描述中，在任何一个元件被描述为形成在另一元件上(或下)的情况下，这样的描述包括两个元件形成为彼此直接接触的情况以及两个元件彼此间接接触使得一个或更多个其它元件介于两个元件之间的情况两者。另外，当在一个元件被描述为形成在另一元件上(或下)的情况下，这种描述可包括一个元件相对于另一元件形成在上侧或下侧的情况。

此外，为了便于描述，可夸大附图中的组件的尺寸。换言之，由于为了便于描述而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此以下实施例不限于此。

在附图中，x方向将被定义为第一方向或长度方向，y方向将被定义为第二方向或宽度方向，并且z方向将被定义为第三方向或厚度方向。

在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。相同或对应的元件将始终由相同的相应附图标记表示，并且不管附图标记如何都详细描述不多于一次。

在电子装置中使用各种类型的电子组件。为了去除噪声等目的，可在这些电子组件之间适当地使用各种类型的线圈组件。

在电子装置中，线圈组件可用作例如功率电感器、高频(hf)电感器、通用磁珠、用于高频的磁珠(ghz磁珠)、共模滤波器等。

在下文中，将在假设根据示例实施例的线圈电子组件10是用于电源电路的电力线的薄膜电感器的情况下描述本公开。然而，除了薄膜电感器之外，根据示例实施例的线圈电子组件可适当地应用于片式磁珠、片式滤波器等。

实施例1

图1是示出根据本公开中的实施例的线圈电子组件的线圈部的示意性透视图。图2是沿图1中示出的线圈电子组件的线i-i'截取的截面图。图3是沿图2中示出的根据本公开中的示例实施例的线圈电子组件的线ii-ii'截取的截面图。

参照图1至图3，根据示例实施例的线圈电子组件10包括主体50、绝缘基板23、线圈部42和44、引出部62和64、以及外电极851和852，并且还可包括虚设引出部63和65以及绝缘层72。

主体50可形成线圈电子组件10的外型，并且绝缘基板23设置在主体50中。

主体50可形成为具有近似六面体的形状。

主体50具有在x方向上彼此相对的第一表面101和第二表面102、在z方向上彼此相对的第三表面103和第四表面104、以及在y方向上彼此相对的第五表面105和第六表面106。彼此相对的第三表面103和第四表面104中的每个可将第一表面101和第二表面102彼此连接。

作为示例，主体50可被形成为使得其上设置有将稍后描述的外电极851和852的线圈电子组件10具有0.2±0.1mm的长度、0.25±0.1mm的宽度、0.4mm的最大厚度，但其长度、宽度和厚度不限于此。

主体50可包括磁性材料和绝缘树脂。具体地，主体50可通过层压绝缘树脂和包括分散在绝缘树脂中的磁性材料的至少一个磁性片来形成。然而，除了磁性材料设置在绝缘树脂中的结构之外，主体50可具有另一结构。例如，主体50可包括诸如铁氧体的磁性材料。

磁性材料可以是铁氧体粉末颗粒或金属磁性粉末颗粒。

铁氧体粉末颗粒可以是例如尖晶石型铁氧体(诸如，mg-zn基、mn-zn基、mn-mg基、cu-zn基、mg-mn-sr基、ni-zn基铁氧体)、六方铁氧体(诸如，ba-zn基、ba-mg基、ba-ni基、ba-co基、ba-ni-co基铁氧体等)、石榴石铁氧体(诸如，y基铁氧体)和li基铁氧体中的至少一种。

金属磁性粉末颗粒可包括从铁(fe)、硅(si)、铬(cr)、钴(co)、钼(mo)、铝(al)、铌(nb)、铜(cu)和镍(ni)构成的组中选择的至少一种。例如，金属磁性粉末颗粒可包括孔离子粉末颗粒(poreionpowderparticle)、fe-si基合金粉末颗粒、fe-si-al基合金粉末颗粒、fe-ni基合金粉末颗粒、fe-ni-mo基合金粉末颗粒、fe-ni-mo-cu基合金粉末颗粒、fe-co基合金粉末颗粒、fe-ni-co基合金粉末颗粒、fe-cr基合金粉末颗粒、fe-cr-si基合金粉末颗粒、fe-si-cu-nb基合金粉末颗粒、fe-ni-cr基合金粉末颗粒和fe-cr-al基合金粉末颗粒中的至少一种。

金属磁性粉末颗粒可以是非晶的或结晶的。例如，金属磁性粉末颗粒可以是fe-si-b-cr基非晶合金粉末颗粒，但不限于此。

铁氧体粉末颗粒和金属磁性粉末颗粒中的每种可具有约0.1μm至约30μm的平均直径，但平均直径不限于此。

主体50可包括分散在树脂中的两种或更多种类型的磁性材料。表述“两种或更多种类型的磁性材料”是指分散在树脂中的磁性材料通过平均直径、成分、结晶度和形状中的任意一个彼此区分的事实。

绝缘树脂可单独或组合地包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等，但不限于此。

绝缘基板23可设置在主体50内部，并且可具有分别在其上设置第一线圈部42和第二线圈部44的两个表面。绝缘基板23可包括支撑线圈部42和44的支撑部24、以及支撑引出部62和64的尖端231和232。支撑部24以及尖端231和232将在后面描述。

绝缘基板23可具有10微米(μm)至60μm的厚度。当绝缘基板23的厚度小于10μm时，线圈部42和44之间会发生电短路。当绝缘基板23的厚度大于60μm时，线圈电子组件10的厚度可能增大，使得不利于轻薄化。与绝缘基板23具有60μm的厚度时相比，当绝缘基板23具有30μm的厚度时，ls(μh)增加7.2％并且isat(a)增加8.9％。与绝缘基板23具有30μm的厚度时相比，当绝缘基板23具有20μm的厚度时，ls(μh)增加2.5％并且isat(a)增加2.2％。

绝缘基板23可利用绝缘材料形成，所述绝缘材料包括诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺树脂的热塑性树脂或者感光绝缘树脂、或者其中绝缘树脂浸渍有诸如玻璃纤维和无机填料的增强材料的绝缘材料。例如，绝缘基板23可利用诸如半固化片、abf(ajinomotobuild-upfilm)、fr-4、双马来酰亚胺三嗪(bt)膜、感光电介质(pid)膜等的绝缘材料形成，但绝缘基板23的绝缘材料不限于此。

无机填料可以是从由二氧化硅(sio2)、氧化铝(al2o3)、碳化硅(sic)、硫酸钡(baso4)、滑石、粘土、云母粉末颗粒、氢氧化铝(al(oh)3)、氢氧化镁(mg(oh)2)、碳酸钙(caco3)、碳酸镁(mgco3)、氧化镁(mgo)、氮化硼(bn)、硼酸铝(albo3)、钛酸钡(batio3)和锆酸钙(cazro3)构成的组中选择的至少一种。

当绝缘基板23利用包括增强材料的绝缘材料形成时，绝缘基板23可提供更好的刚性。当绝缘基板23利用不包括玻璃纤维的绝缘材料形成时，绝缘基板23可有利于减小线圈部42和44的整个厚度。当绝缘基板23利用包括感光绝缘树脂的绝缘材料形成时，可减少形成线圈部42和44的工艺的数量，以有利于降低制造成本和形成精细过孔。

支撑部24可以是设置在绝缘层23的第一线圈部42和第二线圈部44之间以支撑线圈部42和44的一个区域。

尖端231和232可从绝缘基板23的支撑部24延伸，以支撑引出部62和64以及虚设引出部63和65。具体地，可在第一引出部62和第一虚设引出部63之间设置第一尖端231，以支撑第一引出部62和第一虚设引出部63。可在第二引出部64和第二虚设引出部65之间设置第二尖端232，以支撑第二引出部64和第二虚设引出部65。

尖端231和232指的是分别从设置在主体50的第一表面101和第二表面102上的引出部62和64延伸到与设置在主体50的第三表面103上的引出部62和64相对应的区域的区域。

线圈部42和44可分别设置在绝缘基板23的两个表面上，并且可呈现线圈电子组件的特性。例如，当根据示例实施例的线圈电子组件10用作功率电感器时，线圈部42和44可将电场储存为磁场并且保持输出电压以稳定电子装置的功率。

根据示例实施例，第一线圈部42和第二线圈部44可形成为相对于主体50的第三表面103或第四表面104直立。

如图1中示出，表述“形成为相对于主体50的第三表面103或第四表面104直立”是指线圈部42和44与绝缘基板23之间的接触表面形成为垂直或者基本上垂直于主体50的第三表面103或第四表面104的事实。例如，线圈部42和44与绝缘基板23之间的接触表面可形成为相对于主体50的第三表面103或第四表面104以80度至100度的角度直立。

当主体50小型化为1608尺寸、1006尺寸或更小时，形成厚度大于宽度的主体50，并且主体50在xz方向上的截面面积大于主体50在xy方向上的截面面积。因此，线圈部42和44可形成为相对于主体50的第三表面103或第四表面104直立，以增加可形成线圈部42和44的面积。

例如，当主体50具有1.6±0.2mm的长度并且宽度为0.8±0.05mm时，主体50的厚度可满足1.0±0.05mm的范围(1608尺寸)。当主体50具有1.0mm的长度和0.6mm的宽度时，主体50的厚度可满足0.8mm的最大范围(1006尺寸)。由于主体50的厚度大于主体50的宽度，因此当线圈部42和44垂直于主体50的第三表面103或第四表面104时，与当线圈部42和44平行于主体50的第三表面103或第四表面104时相比，可确保更大的面积。形成线圈部42和44的面积越大，电感l和品质因数q越高。

第一线圈部42和第二线圈部44中的每个可具有形成围绕芯部71的至少一匝的扁平螺旋形状。作为示例，第一线圈部42可在绝缘基板23的一个表面上形成围绕芯部的至少一匝。

线圈部42和44可包括具有扁平螺旋形状的线圈图案。在绝缘基板23中，设置在彼此相对的两个表面上的线圈部42和44可通过形成在绝缘基板23中的过孔电极46彼此电连接。

线圈部42和44以及过孔电极46可包括具有改善的导电性的金属。例如，线圈部42和44以及过孔电极46可利用银(ag)、钯(pd)、铝(al)、镍(ni)、钛(ti)、金(au)、铜(cu)、铂(pt)或它们的合金形成。

引出部62和64可分别从主体50的第一表面101和第二表面102暴露。具体地，第一引出部62和第一虚设引出部63可从主体50的第一表面101暴露，并且第二引出部64和第二虚设引出部65可从主体50的第二表面102暴露。

当主体50满足1006尺寸时，第一引出部62具有0.2±0.1mm的长度和0.25±0.1mm的宽度，且第一引出部62的厚度可满足0.4mm的最大范围。另外，当主体50满足1006尺寸时，第二引出部64具有0.2±0.1mm的长度和0.25±0.1mm的宽度，且第二引出部64的厚度可满足0.4mm的最大范围。参照图1和图2，设置在绝缘基板23的一个表面上的第一线圈部42的一端可延伸以形成第一引出部62，并且第一引出部62可从主体50的第一表面101和第三表面103暴露。例如，本公开的第一引出部62可具有比主体50的宽度窄的宽度。另外，设置在绝缘基板23的相对表面上的第二线圈部44的一端可延伸以形成第二引出部64，并且第二引出部64可从主体50的第二表面102和第三表面103暴露。例如，本公开的引出部64可具有比主体50的宽度窄的宽度。第一引出部62和第二引出部64从第一表面101和第二表面102延伸以引出到第三表面103，并且可不设置在主体50的第四表面104、第五表面105和第六表面106上。

参照图1至图3，第一外电极851和第二外电极852与线圈部42和44分别通过设置在主体50内的引出部62和64连接，而不是通过设置在主体外的引出部直接连接。在对线圈部42和44进行镀覆的工艺之后，可执行修整绝缘基板23的工艺以形成引出部62和64设置在主体50内的结构。通过修整工艺形成的结构可包括支撑线圈部42和44的支撑部24、从主体50的第一表面101和第三表面103暴露并且支撑第一引出部62的第一尖端231以及从主体50的第二表面102和第三表面103暴露并且支撑第二引出部64的第二尖端232。

由于第一引出部62和第二引出部64可包括诸如铜(cu)的导电金属，并且第一引出部62和第二引出部64可设置在主体50内，因此与外电极的镀层形成在修整的绝缘基板上并且外电极设置在主体外的现有技术相比，由镀层厚度减小引起的凹坑的出现可减少。

虚设引出部63和65可设置在绝缘基板23的一个表面和另一表面上，以与引出部62和64相对应。根据示例实施例，线圈电子组件10还可包括：第一虚设引出部63，设置在绝缘基板23上的与第一引出部62相对的表面上；以及第二虚设引出部65，设置在与第二引出部64相对的表面上。

线圈部42和44、过孔电极46、引出部62和64以及虚设引出部63和65中的至少一个可包括至少一个导电层。

例如，当线圈部42和44、虚设引出部63和65以及过孔电极46通过镀覆形成在绝缘基板23的一个表面或另一表面上时，线圈部42和44、虚设引出部63和65以及过孔电极46中的每个可包括诸如非电镀层等的种子层和电镀层。电镀层可具有单层结构或多层结构。多层结构的电镀层可具有一个电镀层被另一电镀层覆盖的共形膜结构，或者可具有另一电镀层仅层叠在一个电镀层的一个表面上的结构。线圈部42和44的电镀层的种子层、引出部62和64的种子层、以及过孔电极46的种子层可彼此一体地形成，使得它们之间可不形成边界，但不限于此。线圈部42和44的电镀层、虚设引出部63和65的电镀层、以及过孔电极46的电镀层可彼此一体地形成，使得它们之间可不形成边界，但不限于此。

线圈部42和44、引出部62和64、虚设引出部63和65以及过孔电极46中的每个可利用诸如铜(cu)、铝(al)、银(ag)、锡(sn)、金(au)、镍(ni)、铅(pb)、钛(ti)或它们的合金的导电材料形成。

参照图3，虚设引出部63和65可与磁性片相邻地层叠，所述磁性片中设置有线圈部42和44、第一引出部62和第二引出部64，以引起与设置在主体50的第一表面101、第二表面102和第三表面103上的第一外电极851和第二外电极852的更多量的金属结合，并且改善线圈部42和44与外电极851和852之间以及电子组件和印刷电路板(pcb)之间的结合力。

第一虚设引出部63和第一引出部62设置成彼此相对应，且绝缘基板23介于第一虚设引出部63和第一引出部62之间，使得凹部a形成在包括金属的第一层85a(稍后将描述)的表面上。例如，由于与包括绝缘材料的绝缘基板23相比，第一层85a覆盖第一引出部62和第一虚设引出部63的更多部分，因此凹部a相对地设置在覆盖绝缘基板23的区域中。类似地，第二虚设引出部65和第二引出部64设置成彼此相对应，且绝缘基板23介于第二虚设引出部65和第二引出部64之间，使得凹部也形成在包括金属的第一层的与第二表面102相邻的表面上。类似地，由于与包括绝缘材料的绝缘基板23相比，这样的第一层覆盖第二引出部65和第二虚设引出部64的更多部分，因此凹部也相对地设置在覆盖绝缘基板23的邻近第二表面102的区域中。

第一外电极851可设置在主体50的第一表面101和第三表面103上，并且第二外电极852可设置在主体50的第二表面102和第三表面103上。

根据示例实施例，第一外电极851可设置在主体50的第一表面101和第三表面103上，以连接到从主体50的第一表面101和第三表面103暴露的第一引出部62，并且第二外电极852可设置在主体50的第二表面102和第三表面103上，以连接到从主体50的第二表面102和第三表面103暴露的第二引出部64。外电极851和852可具有比主体50的宽度窄的宽度。第一外电极851可以是覆盖第一引出部62并从主体50的第一表面101延伸以设置在第三表面103上，但不设置在主体50的第四表面104、第五表面105和第六表面106上的结构。第二外电极852可以是覆盖第二引出部64并从主体50的第二表面102延伸以设置在第三表面103上，但不设置在主体50的第四表面104、第五表面105和第六表面106上的结构。

由于外电极851和852设置在主体50的第一表面101、第二表面102和第三表面103的一部分上并且具有比主体50的宽度窄的宽度，因此可减小外电极851和852的干扰磁通量流动的影响，以改善诸如电感l、品质因数q等的电感性能。

外电极851和852可具有单层结构或多层结构。根据示例实施例，外电极851和852均可包括分别覆盖引出部62和64的第一层85a以及覆盖第一层85a的第二层85b。具体地，提供一种包括第一层85a(包括镍(ni))和第二层85b(包括锡(sn))的线圈电子组件。

凹部a可设置在第一层85a的表面上。凹部a可设置在第一层85a上的覆盖绝缘基板23的区域中。由于绝缘基板23的电连接性不同于引出部62和64的电连接性，因此利用金属形成的第一层85a主要镀覆在引出部62和64以及虚设引出部63和65的表面上。因此，如图3中所示，设置在第一引出部62和第一虚设引出部63上的第一层85a可具有形成在与绝缘基板23的第一尖端231相对应的区域中的凹部a。虽然未在附图中示出，但设置在第二引出部64和第二虚设引出部65上的第一层85a也可具有设置在与绝缘基板23的第二尖端232相对应的区域中的凹部a。

绝缘层72可设置在主体50的表面上。在通过电镀形成外电极851和852之前，可在主体50的表面上选择性地形成绝缘层72以防止在主体50的表面的除了形成外电极851和852的区域之外的区域上执行镀覆。另外，在镀覆工艺之后，可防止在线圈电子组件和另一电子组件之间的电短路。

根据示例实施例，不同于现有技术的绝缘层，绝缘层72通过对从主体50的表面暴露的金属磁性粉末颗粒(例如，fe基磁性粉末颗粒)进行酸化来形成。例如，选择性地与铁(fe)反应的腐蚀剂可用于在主体50的表面的除了引出部62和64以及虚设引出部63和65暴露的区域之外的区域中选择性地形成绝缘层(fe氧化物层)。在这种情况下，绝缘层72是构成设置在主体50内的金属磁性粉末颗粒的成分(例如，fe基磁性材料)的氧化物。

例如，绝缘层72可包括氧化物层，该氧化物层包括从由fe、nb、si、cr或它们的合金构成的组中选择的复合物。如上所述，由于绝缘层72通过酸化形成，因此绝缘层72可形成在主体50的表面上并具有显著小的厚度。例如，绝缘层72的厚度可小于第一层85a的厚度。因此，与根据现有技术的线圈电子组件相比，可实现轻薄化。

实施例2

图4是沿图2中示出的根据本公开中的另一示例实施例的线圈电子组件的线ii-ii'截取的截面图。

根据该实施例的线圈电子组件100在第一层85a的形状上与根据第一实施例的线圈电子组件10不同。因此，此实施例将着重描述与第一实施例的第一层85a不同的第一层85a。第二实施例的其它组件的描述与第一实施例的组件的描述相同。

参照图4，外电极851和852可包括覆盖引出部62和64的第一层85a，以及覆盖第一层85a的第二层85b。通过调整诸如镀液的浓度、镀覆电流的强度、镀覆速率等参数，可形成为镍镀层的第一层85可具有设置在与绝缘基板23的尖端231和232相对应的区域周围的间隔部分。在这种情况下，绝缘基板23的尖端231和232可从第一层85暴露。因此，在第一层85a之后形成的第二层85b可与绝缘基板23的暴露区域接触。

如上所述，根据本公开，即使片尺寸减小，也可通过在相同片尺寸内增加形成线圈部的面积来改善线圈电子组件的质量。

另外，可通过显著减小安装基板和外电极与磁通量流动的干扰的影响来改善诸如电感l、品质因数q等的性能。

此外，可通过增加线圈部中的芯部的面积、线圈部的最外部分与主体的外部之间的边缘部分的设计自由度(随着片尺寸减小，设计自由度受到限制)等来实现高性能。根据本申请，由于使用相对薄的绝缘基板23以及使用l形引出部62和64，因此暴露到主体50的外表面的引出部62和64的表面面积增加。因此，外电极851和852所占据的表面积增加，从而可以改善与封装基板的粘合力。此外，由于垂直布置的线圈结构，增加了芯片安装面积。另外，在图3中，由于ni镀层通过覆盖绝缘基板23的凹部a连接，因此由外电极占据的表面积增加了凹部a这么多的量。

虽然以上已经示出并描述了示例实施例，但是对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可进行修改和变型。