1.一种cu2se薄膜材料的制备方法，其特征在于：先利用热蒸发法在清洗干净的cu片上沉积一层se薄膜，然后将沉积se薄膜的cu片进行热压退火，得到cu2se薄膜材料。
2.根据权利要求1所述的cu2se薄膜材料的制备方法，其特征在于：将cu片衬底分别用乙醇、丙酮和去离子水超声清洗20～30min，然后用氮气吹干，得到清洗干净的cu片。
3.根据权利要求1所述的cu2se薄膜材料的制备方法，其特征在于：利用热蒸发法在清洗干净的cu片上沉积一层se薄膜的条件为：热蒸发系统真空度为6×10-3～3×10-4pa，沉积的se薄膜的厚度为500nm～4μm。
4.根据权利要求1所述的cu2se薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述热压退火的温度为150～300℃、时间为5～30min、压强为2～15mpa。
5.根据权利要求4所述的cu2se薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述热压退火的温度为200～280℃、时间为15～20min、压强为8～10mpa。
6.根据权利要求1所述的cu2se薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述cu2se薄膜材料与cu片形成cu2se/cu热发电器件。