1.一种功率器件终端结构的形成方法，包括：
在有源区外的至少一个环形区域内注入氧离子，并对所述半导体衬底进行第一退火工艺制程，形成氧化硅隔离区；
在所述有源区外的至少两个环形区域内注入掺杂离子，并对所述半导体衬底进行第二退火工艺制程，形成场限环；
其中，所述场限环的导电类型与所述半导体衬底的导电类型相反，所述氧化硅隔离区和场限环间隔设置。
2.根据权利要求1所述的功率器件终端结构的形成方法，其特征在于，所述在有源区外的至少一个环形区域内注入氧离子的步骤中，包括：
在所述半导体衬底的表面形成第一牺牲氧化层；
在所述第一牺牲氧化层表面形成图形化的第一硬掩模层；
通过所述图形化的第一硬掩模层和第一牺牲氧化层，使用至少两次注入工艺制程向所述半导体衬底注入氧离子；
去除剩余的所述第一硬掩模层和第一牺牲氧化层。
3.根据权利要求2所述的功率器件终端结构的形成方法，其特征在于，所述使用至少两次注入工艺制程向所述半导体衬底注入氧离子的步骤中，每次注入工艺制程使用的氧离子的注入能量和注入深度不同。
4.根据权利要求3所述的功率器件终端结构的形成方法，其特征在于，300kev～500kev注入能量的氧离子注入到距离所述半导体衬底表面2um～3um深度的区域，50kev～300kev注入能量的氧离子注入到距离所述半导体衬底表面0um～2um深度的区域。
5.根据权利要求2所述的功率器件终端结构的形成方法，其特征在于，所述并对所述半导体衬底进行第一退火工艺制程的步骤中，所述退火的温度为1000℃～1300℃。
6.根据权利要求5所述的功率器件终端结构的形成方法，其特征在于，所述退火的温度为1200℃～1300℃，以形成氧离子分布为矩形分布的氧化硅隔离区。
7.根据权利要求5所述的功率器件终端结构的形成方法，其特征在于，所述退火的温度为1000℃～1200℃，以形成氧离子分布为高斯分布的氧化硅隔离区。
8.根据权利要求1所述的功率器件终端结构的形成方法，其特征在于，所述在所述有源区外的至少两个环形区域内注入掺杂离子的步骤中，包括：
在所述半导体衬底的表面形成第二牺牲氧化层；
在所述第二牺牲氧化层表面形成图形化的第二硬掩模层；
通过所述图形化的第二硬掩模层和第二牺牲氧化层，使用注入工艺制程向所述有源区外的环形区域内注入掺杂离子；
去除剩余的所述第二硬掩模层和第二牺牲氧化层。
9.根据权利要求8所述的功率器件终端结构的形成方法，其特征在于，所述并对所述半导体衬底进行第二退火工艺制程的步骤中，所述退火温度为1000℃。
10.一种如权利要求1～9任一项所述的形成方法形成的终端结构，设于半导体衬底内，其特征在于，所述功率器件终端结构设有：
场限环，围绕有源区环形设有至少两个所述场限环，所述场限环的导电类型与所述半导体衬底的导电类型相反；
氧化硅隔离区，所述氧化硅隔离区设于相邻的所述场限环之间。