1.一种导电性薄膜，其依次具备第1金属层和树脂薄膜，
所述第1金属层的厚度为10nm以上且200nm以下，
所述第1金属层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度rz为100nm以下。
2.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其中，所述树脂薄膜的与所述第1金属层处于相反侧的表面的表面粗糙度ra为30nm以下。
3.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其中，所述树脂薄膜的所述第1金属层侧的表面的表面粗糙度ra为0.5nm以上且10nm以下。
4.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其还具备基底层，所述基底层配置于所述树脂薄膜与所述第1金属层之间。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的导电性薄膜，其还具备第2金属层，所述第2金属层配置于所述树脂薄膜的与所述第1金属层相反的一侧，
所述第2金属层的厚度为10nm以上且200nm以下，
所述第2金属层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度rz为100nm以下。
6.根据权利要求5所述的导电性薄膜，其中，所述树脂薄膜的所述第2金属层侧的表面的表面粗糙度ra为0.5nm以上且10nm以下。
7.根据权利要求5所述的导电性薄膜，其中，所述第1金属层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度ra及所述第2金属层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度ra中的至少一者为0.5nm以上且10nm以下。
8.根据权利要求5所述的导电性薄膜，其还具备基底层，所述基底层配置于所述树脂薄膜与所述第2金属层之间。
9.根据权利要求5所述的导电性薄膜，其中，所述第1金属层的厚度与所述第2金属层的厚度之差的绝对值为5nm以下。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的导电性薄膜，其被卷绕成卷状。