1.一种静电保护电路，其特征在于，包括：寄生可控硅和触发电路；
所述寄生可控硅为第一pldmos的寄生结构；
所述第一pldmos包括n型轻掺杂的体区，p型轻掺杂的漂移区，栅极结构；
在所述体区中形成有由p+区组成的第一源端p+扩散区和由n+区组成的第一源端n+扩散区；
在所述漂移区中形成有由p+区组成的第一漏端p+扩散区；
所述漂移区中还形成有由n+区组成的第一漏端n+扩散区并通过插入所述第一漏端n+扩散区形成所述寄生可控硅；
所述栅极结构、所述第一源端n+扩散区和所述第一源端p+扩散区连接在一起形成阳极，所述阳极连接静电端；
所述第一漏端n+扩散区接地形成阴极；
所述第一漏端p+扩散区作为触发电极，所述第一漏端p+扩散区和所述第一漏端n+扩散区之间连接有第一电阻；
所述触发电路连接在所述寄生可控硅的所述阳极和所述触发电极之间。
2.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于：所述触发电路包括第二pldmos，第二电阻和第一电容；
所述第二pldmos的源极连接所述静电端、漏极连接所述触发电极；
所述第二电阻的第一端连接所述静电端，所述第二电阻的第二端连接所述第二pldmos的栅极和所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述触发电极。
3.如权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于：所述第二pldmos为能耐受静电电压的高压器件。
4.如权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于：所述第一电容为能耐受静电电压的高压器件。
5.如权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于：所述第二电阻为多晶硅电阻或者掺杂的扩散电阻。
6.如权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于：所述触发电路形成使所述寄生可控硅导通的触发电压的可调结构。
7.如权利要求6所述的静电保护电路，其特征在于：所述寄生可控硅导通的触发电压的可调结构包括所述第一电容，所述第一电容越大，所述触发电压越小。
8.如权利要求6所述的静电保护电路，其特征在于：所述寄生可控硅导通的触发电压的可调结构包括所述第二电阻，所述第二电阻越大，所述触发电压越小。
9.如权利要求6所述的静电保护电路，其特征在于：所述寄生可控硅导通的触发电压的可调结构包括所述第二pldmos的有效沟道宽度，所述第二pldmos的有效沟道宽度越小，所述触发电压越小。
10.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于：所述第一pldmos为能耐受静电电压的高压器件。
11.如权利要求10所述的静电保护电路，其特征在于：所述体区由高压n阱组成，所述漂移区由高压p阱组成，所述高压n阱和所述高压p阱都形成于p型半导体衬底中，所述体区和所述漂移区横向接触。
12.如权利要求11所述的静电保护电路，其特征在于：第一场氧形成在所述第一漏端p+扩散区和所述体区之间的所述漂移区的表面上，所述第一场氧的第一侧面和所述体区之间相隔有距离，所述第一场氧的第二侧面和所述第一漏端p+扩散区接触；
在所述第一漏端p+扩散区和所述第一漏端n+扩散区之间形成有第二场氧。
13.如权利要求12所述的静电保护电路，其特征在于：所述栅极结构覆盖在所述体区表面并横向延伸到所述第一场氧的表面上。
14.如权利要求12所述的静电保护电路，其特征在于：所述第一源端p+扩散区和所述栅极结构的第一侧面自对准，所述第一源端p+扩散区和所述第一源端n+扩散区之间隔离有第三场氧。
15.如权利要求12所述的静电保护电路，其特征在于：所述栅极结构由栅介质层和多晶硅栅叠加而成；
所述第一电阻为多晶硅电阻或者掺杂的扩散电阻。