一种双排离子刻蚀微调机构及离子刻蚀设备的制作方法

本实用新型涉及离子刻蚀技术领域，具体是一种双排离子刻蚀微调机构及离子刻蚀设备。

背景技术：

现有的离子刻蚀微调系统，如图1～3所示，包括单排挡板机构1、传动机构2、微调挡板3、单排石墨分流板4、单排挡板传动轴承5、氩离子6、单排测试探针8和工件托盘13，单排挡板机构1的中部下方设置有离子枪11，离子枪11设置有氩离子进口12，单排挡板机构1的上方设置有工件托盘13，工件托盘13的上方设置有测试头7，测试头7的下方设置有单排测试探针8，单排挡板机构1位于离子枪11的正上方设置有单排石墨分流板4，单排挡板机构1与单排石墨分流板4之间设置有微调挡板3，微调挡板3和传动机构2传动连接，传动机构2设置于单排挡板传动轴承5上方，单排挡板机构1的两侧设置有单排挡板传动轴承5，单排挡板传动轴承5与单排挡板机构1底部设置的单排挡板电机10驱动连接，工件依次单排摆放到工件托盘13上，通过传送机构传送至离子枪11正上方，氩离子6从氩离子进口12处进入离子枪11中，离子枪11使氩离子6加速，加速后的氩离子6经过单排石墨分流板4被分成单排离子束9。

现有机构正常工作只能刻蚀、测量单排晶振，大大浪费了离子枪11的使用效率，工作效率低下，因此，针对以上现状，迫切需要开发一种双排离子刻蚀微调机构，以克服当前实际应用中的不足。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种双排离子刻蚀微调机构及离子刻蚀设备，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种双排离子刻蚀微调机构，包括双排测试头、双排测试探针、离子枪、双排挡板机构、工件托盘和双排石墨分流板，所述离子枪设置于双排挡板机构的中部下方，所述双排挡板机构上位于离子枪的上方设置有双排石墨分流板，所述离子枪的底部设置有氩离子进口，所述双排挡板机构的上方设置有工件托盘。

作为本实用新型进一步的方案：所述双排挡板机构包括双排挡板基座，所述双排挡板基座和双排石墨分流板之间安装有挡板挡片，所述双排挡板基座下方安装有双排挡板电机，所述双排挡板电机与设置在双排挡板基座两侧的双排挡板传动轴承驱动连接，所述双排挡板传动轴承通过传动轴承固定轴与双排挡板基座连接，所述双排挡板传动轴承与传动摆臂传动连接，所述挡板挡片包括挡板组件，所述挡板组件与传动摆臂传动连接。

作为本实用新型进一步的方案：所述工件托盘的上方设置有双排测试头，所述双排测试头的下方设置有双排测试探针，所述双排测试头与测量系统电性连接进行信号传输。

作为本实用新型进一步的方案：所述双排挡板电机与控制电源电性连接，所述控制电源与测量系统电性连接。

一种离子刻蚀设备，包括所述的双排离子刻蚀微调机构。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该结构在原有基础增加一倍挡板数量，能刻蚀和测量双排晶振，很大提高了测试系统的利用率，使测试效率提高了一倍，使得离子枪使用效率大幅度提高，生产效率比原有基础大大提高。

附图说明

图1为现有技术的结构示意图。

图2为现有技术中单排挡板机构的俯视图。

图3为工件托盘的结构示意图。

图4为本实用新型的结构示意图。

图5为本实用新型中双排挡板机构的俯视图。

图中：1-单排挡板机构，2-传动机构，3-微调挡板，4-单排石墨分流板，5-单排挡板传动轴承，6-氩离子，7-测试头，8-单排测试探针，9-单排离子束，10-单排挡板电机，11-离子枪，12-氩离子进口，13-工件托盘，14-双排挡板机构，15-双排挡板基座，16-双排挡板传动轴承，17-挡板挡片，18-传动摆臂，19-挡板组件，20-传动轴承固定轴，21-双排测试头，22-双排测试探针，23-双排离子束，24-双排挡板电机，25-双排石墨分流板，26-测量系统。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。

下面详细描述本专利的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利，而不能理解为对本专利的限制。

在本专利的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利的限制。

在本专利的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利中的具体含义。

实施例1

请参阅图3～5，本实用新型实施例中，一种双排离子刻蚀微调机构，包括双排测试头21、双排测试探针22、离子枪11、双排挡板机构14、工件托盘13和双排石墨分流板25，所述离子枪11设置于双排挡板机构14的中部下方，所述双排挡板机构14上位于离子枪11的上方设置有双排石墨分流板25，所述离子枪11的底部设置有氩离子进口12，所述双排挡板机构14的上方设置有工件托盘13，工件依次双排放置于工件托盘13上方，所述工件托盘13由传动机构传送到离子枪11的正上方，氩离子6从氩离子进口12处进入到离子枪11中，打开离子枪11电源，使离子枪11对氩离子6进行加速，高速的氩离子6通过双排石墨分流板25被分成和工件托盘13对应的双排离子束23。

请参阅图4～5，本实用新型实施例中，一种双排离子刻蚀微调机构，所述双排挡板机构14包括双排挡板基座15，所述双排挡板基座15和双排石墨分流板25之间安装有挡板挡片17，所述双排挡板基座15下方安装有双排挡板电机24，所述双排挡板电机24与设置在双排挡板基座15两侧的双排挡板传动轴承16驱动连接，所述双排挡板传动轴承16通过传动轴承固定轴20与双排挡板基座15连接，所述双排挡板传动轴承16与传动摆臂18传动连接，所述挡板挡片17包括挡板组件19，所述挡板组件19与传动摆臂18传动连接，通过控制双排挡板电机24的电源，可使双排石墨分流板25和双排挡板基座15之间的挡板挡片17移动，对双排石墨分流板25和离子枪11之间进行遮挡。

请参阅图4～5，本实用新型实施例中，一种双排离子刻蚀微调机构，所述工件托盘13的上方设置有双排测试头21，所述双排测试头21的下方设置有双排测试探针22，所述双排测试头21与测量系统26电性连接进行信号传输，通过双排测试探针22将双排测试头21和工件托盘13连接在一起，测量系统26交替对两排工件进行测试。

请参阅图4～5，本实用新型实施例中，一种双排离子刻蚀微调机构，所述双排挡板电机24与控制电源电性连接，所述控制电源与测量系统26电性连接，根据测量系统26的测量结果，打开对应低于标准频率的晶体的挡板挡片17，使用高速氩离子对晶体电极上的银进行刻蚀，待每个晶体频率高于或等于标准频率时依次关闭挡板挡片17。

实施例2

一种离子刻蚀设备，包括如实施例1所述的双排离子刻蚀微调机构。

以上的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本实用新型的保护范围，这些都不会影响本实用新型实施的效果和专利的实用性。