技术总结
本实用新型公开了一种高压LED芯片，其包括基片，设于基片上的第一发光结构与第二发光结构，位于所述第一发光结构与第二发光结构之间的切割道；以及设于所述第一发光结构、第二发光结构和切割道上的钝化层；第一发光结构包括第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、设于第二半导体层的第一电极和设于第一半导体层的第二电极；第二发光结构包括第三半导体层、第二有源层、第四半导体层、设于第三半导体层的第三电极和设于第四半导体层的第四电极；第三电极和第四电极通过设于切割道的金属薄膜导电连接。本实用新型中通过特殊的结构设计，有效缩减了该种类LED芯片的光刻作业次数，制造成本下降了20‑40％。
技术研发人员：王兵;王硕;张状;邓梓阳;庄家铭
受保护的技术使用者：佛山市国星半导体技术有限公司
技术研发日：2019.05.22
技术公布日：2019.12.20