1.一种基于单片机的智能大功率过零接触器装置，其特征在于：包括电源，所述电源与变压整流电路相连，所述变压整流电路与单片机和驱动器相连，所述单片机分别与检测电路、通信器以及驱动器相连，所述驱动器与接触器相连。
2.根据权利要求1所述的一种基于单片机的智能大功率过零接触器装置，其特征在于：所述变压整流电路包括变压器，所述变压器输入端接220v交流电，输出端分别与整流二极管d1的正极以及整流二极管d4的负极相连，所述整流二极管d1的负极与整流二极管d2的负极相连，所述整流二极管d2的正极与整流二极管d4的负极相连，所述整流二极管d4的正极与整流二极管d3的正极相连，所述整流二极管d2的负极和整流二极管d4的正极分别经并联设置的滤波电容c1和c2与三端稳压芯片u2的line端以及common端连接，所述三端稳压芯片u2的vreg端经滤波电容c3与驱动器相连；
所述整流二极管d2的负极和整流二极管d4的正极分别经并联设置的滤波电容c4和c6与三端稳压芯片u3的line端以及common端连接，所述三端稳压芯片u3的vreg端经并联设置的滤波电容c5和c7与单片机相连。
3.根据权利要求2所述的一种基于单片机的智能大功率过零接触器装置，其特征在于：所述检测电路包括光耦耦合器u1a、u1b、u1c，所述光耦耦合器u1a的输入端经反向并联连接的保护二极管d5与三相电源相连，所述光耦耦合器u1b的输入端经反向并联连接的保护二极管d6与三相电源相连，所述光耦耦合器u1c的输入端经反向并联连接的保护二极管d7与三相电源相连；
所述光耦耦合器u1a的输出端的12号引脚、光耦耦合器u1b的输出端的10号引脚以及光耦耦合器u1c的输出端的8号引脚与5v电源相连，所述光耦耦合器u1a的输出端的11号引脚、光耦耦合器u1b的输出端的9号引脚以及光耦耦合器u1c的输出端的7号引脚分别串接分压电阻r4、r7、r6后接地，分压电阻r4、r7、r6分别与开关三极管q1、q2以及q3的基极相连，所述开关三极管q1、q2、q3的发射集分别串联分压电阻r5、r8、r9后接地，电阻r5、r8、r9与单片机相连。
4.根据权利要求3所述的一种基于单片机的智能大功率过零接触器装置，其特征在于：所述整流二极管d2的负极和整流二极管d4的正极分别的滤波电容c8两端相连，滤波电容c8并联连接有滤波电容c9，所述滤波电容c9的两端分别与三端稳压芯片u1的vin端以及分压电阻r2的一端连接，所述分压电阻r2的另一端与三端稳压芯片u1的adj端相连，三端稳压芯片u1的adj端和vout端与分压电阻r1的两端相连，所述分压电阻r2的一端和所述三端稳压芯片u1的vout端分别与滤波电容c10两端连接，所述三端稳压芯片u1的vout端经分压电阻ri和滤波电容c10与通信器相连。
5.根据权利要求4所述的一种基于单片机的智能大功率过零接触器装置，其特征在于：所述保护二极管d5、保护二极管d6以及保护二极管d7的负极分别连接有限流电阻r11、r10、r3。
6.根据权利要求5所述的一种基于单片机的智能大功率过零接触器装置，其特征在于：所述通信器包括esp8266芯片，所述esp8266芯片的cv3接口与三端稳压芯片u1的vout端相连，所述esp8266芯片的gng接口接地，所述esp8266芯片的txd接口与单片机的rxd接口相连，所述esp8266芯片的rxd接口与单片机的txd接口相连。
7.根据权利要求6所述的一种基于单片机的智能大功率过零接触器装置，其特征在于：驱动器包括驱动芯片l298n，所述驱动芯片l298n的in1接口与单片机的p12接口相连，所述驱动芯片l298n的in2接口与单片机的p13接口相连，所述驱动芯片l298n的gnd接口、isena接口以及isenb接口相互连接并接地，所述驱动芯片l298n的out1接口与接触器的relay+接口相连，所述驱动芯片l298n的out2接口与接触器的relay-接口相连，所述驱动芯片l298n的out1接口分别与二极管d8的正极和二极管d9的负极相连，所述驱动芯片l298n的out2接口分别与二极管d10的正极和二极管d11的负极相连，所述驱动芯片l298n的out3接口分别与二极管d12的正极和二极管d13的负极相连，所述驱动芯片l298n的out4接口分别与二极管d14的正极和二极管d15的负极相连，所述二极管d9、d11、d13以及d15的正极相连并接地，所述二极管d8、d10、d112以及d14的负极相连并与驱动芯片l298n的vs接口相连，所述驱动芯片l298n的vs接口与三端稳压芯片u2的vreg端相连。