1.一种白光发光二极管外延结构，包括依次设置的衬底、缓冲层、n型gan层、应力释放层、有源层、阻挡层和p型gan层，其特征在于，所述有源层包括若干个周期的量子阱结构，所述量子阱结构包括若干个蓝光量子阱层、若干个黄光量子阱层和一个gan量子垒层，所述外延结构在预设驱动电流下激发出黄光和蓝光。
2.如权利要求1所述的白光发光二极管外延结构，其特征在于，所述蓝光量子阱层和黄光量子阱层具有ingan制成。
3.如权利要求2所述的白光发光二极管外延结构，其特征在于，蓝光量子阱层的厚度与黄光量子阱层的厚度比例为(1:5)～(5:1)。
4.如权利要求1所述的白光发光二极管外延结构，其特征在于，所述有源层包括6～10个周期的量子阱结构，所述量子阱结构依次包括蓝光量子阱层、黄光量子阱层和gan量子垒层。
5.如权利要求1所述的白光发光二极管外延结构，其特征在于，所述n型gan层的厚度为1～5μm，所述p型gan层的厚度为10～100nm。
6.如权利要求1所述的白光发光二极管外延结构，其特征在于，所述应力释放层包括若干个周期的ingan/gan，ingan的厚度小于10nm，gan的厚度小于10nm。
7.如权利要求1所述的白光发光二极管外延结构，其特征在于，所述阻挡层为p型algan层。