技术总结
本实用新型公开了一种多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构及其制备方法，MOSFET结构，包括基片和外延层，且外延层上淀积有重掺杂多晶硅层形成源区，外延层内设有沟槽，沟槽内部和侧壁上淀积有栅氧化物层，且外延层内部的栅氧化层的厚度小于源区内的栅氧化物层的厚度。本实用新型的优点是：比传统MOSFET整个工艺流程更为简单，通过淀积多晶硅形成的源区宽度更易控制，增强了的源区的可靠性，且不会影响沟道长度。
技术研发人员：代萌;李承杰;顾嘉庆
受保护的技术使用者：上海格瑞宝电子有限公司
技术研发日：2019.07.02
技术公布日：2020.03.27