1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
隔离结构，形成于所述衬底中，并在所述衬底中界定出多个有源区；
字线沟槽，形成于所述衬底与所述隔离结构上；以及
字线，设于所述字线沟槽中，所述字线穿过所述有源区及所述隔离结构；其中，
在所述字线沟槽的深度方向上，位于所述有源区上的所述字线的高度大于至少部分位于所述隔离结构上的所述字线的高度。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于所述有源区上的所述字线沟槽的深度大于至少部分位于所述隔离结构上的所述字线沟槽的深度。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构上的所述字线沟槽的深度小于所述有源区上的所述字线沟槽的深度的区域的高度为28nm～32nm。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述字线沟槽的宽度方向上，位于所述隔离结构上的所述字线的宽度大于位于所述有源区上的所述字线的宽度。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，在所述字线沟槽的宽度方向上，位于所述隔离结构上的所述字线的宽度为20nm～35nm。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，至少一个所述有源区设有两条所述字线穿过。
7.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述字线朝向所述字线沟槽开口的一侧为平面。
8.一种半导体存储器，其特征在于，包括权利要求1～7任一项所述的半导体结构。