1.igbt器件结构，包括半导体衬底、沟槽区、栅氧化层、发射极电极、绝缘介质层、n+发射极区、n型基区、n型场终止区、p型基区、p+深阱区、p型集电极区和集电极，其特征在于，还包括形成于所述半导体衬底正面和所述沟槽区内的复合栅电极，复合栅电极是由平面栅极与沟槽栅极相结合构成。
2.根据权利要求1所述的igbt器件结构，其特征在于，所述复合栅电极包括水平导电沟道和垂直导电沟道，水平导电沟道直接连接到垂直导电沟道，形成电子导通通路，水平导电沟道形成于所述半导体衬底正面，垂直导电沟道形成于所述沟槽区内。
3.根据权利要求1所述的igbt器件结构，其特征在于，所述复合栅电极为仅通过一次导电介质淀积与刻蚀形成的t型结构。
4.根据权利要求1至3任一所述的igbt器件结构，其特征在于，所述p型基区填充所述沟槽区的上半部分，作为平面mos与垂直mos结构的阱区。
5.根据权利要求1至3任一所述的igbt器件结构，其特征在于，所述n+发射极区内形成深度为0.3-0.5um的浅槽。
6.根据权利要求1至3任一所述的igbt器件结构，其特征在于，所述n+发射极区的下方形成所述p+深阱区。