1.一种金属陶瓷衬底(1)，所述金属陶瓷衬底包括：
-具有陶瓷的绝缘层(11)，所述绝缘层具有第一厚度(d1)；和
-连结在所述绝缘层(11)上的金属化层(12)，所述金属化层具有第二厚度(d2)，
其中所述第一厚度(d1)小于250μm并且所述第二厚度(d2)大于200μm并且其中所述第一厚度(d1)和所述第二厚度(d2)的尺寸确定为，使得
--所述金属化层(12)的热膨胀系数和所述金属陶瓷衬底(1)的热膨胀系数之间的差值与
--所述金属陶瓷衬底(1)的热膨胀系数的比值具有小于0.25、优选小于0.2并且特别优选小于0.15或甚至小于0.1的值。
2.根据权利要求1所述的金属陶瓷衬底(1)，
其中所述第一厚度(d1)大于30μm，优选大于60μm并且特别优选大于90μm。
3.根据上述权利要求中任一项所述的金属陶瓷衬底(1)，
其中所述绝缘层(11)在与所述金属化层(12)相对置的那一侧上连结有具有第三厚度(d3)的另外的金属化层(13)，其中所述第一厚度(d1)、所述第二厚度(d2)和/或所述第三厚度(d3)的尺寸确定为，使得
-所述另外的金属化层(13)和/或所述金属化层(12)的热膨胀系数和所述金属陶瓷衬底(1)的热膨胀系数之间的差值与
-所述金属陶瓷衬底(1)的热膨胀系数的比值具有小于0.25，优选小于0.2并且特别优选小于0.15或甚至小于0.1的值。
4.根据权利要求3所述的金属陶瓷衬底(1)，
其中为了稳定，所述另外的金属化层(13)不具有中断部，尤其不具有绝缘槽。
5.根据上述权利要求中任一项所述的金属陶瓷衬底(1)，
其中所述第二厚度(d2)和/或所述第三厚度(d3)大于300μm，优选大于400μm并且特别优选大于500μm。
6.根据上述权利要求中任一项所述的金属陶瓷衬底(1)，
其中热膨胀系数与材料特定的参数和/或泊松比相关。
7.根据上述权利要求中任一项所述的金属陶瓷衬底(1)，
其中所述第二厚度(d2)和所述第三厚度(d3)基本上一致。
8.根据上述权利要求中任一项所述的金属陶瓷衬底(1)，
其中所述另外的金属化层(13)的平行于所述主延伸平面(hse)测量的第三延伸(e3)与所述金属化层(12)的平行于所述主延伸平面(hse)测量的第二延伸(e2)的比值具有1.01和1.4之间的值。
9.一种用于制造金属陶瓷衬底(1)的方法，所述方法包括：
-提供具有第一厚度(d1)的绝缘层(11)，所述绝缘层具有陶瓷，其中所述第一厚度(d1)小于300μm；
-提供连结在所述绝缘层(11)上的、具有第二厚度(d2)的金属化层(12)，其中所述第二厚度(d2)大于200μm；并且
-将所述金属化层(12)连结于所述绝缘层(11)，其中所述第一厚度(d1)和/或所述第二厚度(d2)的尺寸确定为，使得
-所述金属化层(12)的热膨胀系数和所述金属陶瓷衬底(1)的热膨胀系数之间的差值与
-所述金属陶瓷衬底(1)的热膨胀系数的比值具有小于0.25，优选小于0.2，并且特别优选小于0.15或甚至小于0.1的值。
10.根据权利要求9所述的方法，其中将所述金属化层(12)借助于dcb法、dab法或活性焊接法连结于所述绝缘层(11)。
11.根据权利要求9或10所述的方法，
其中将所述金属陶瓷衬底(1)借助于激光刮刻、激光切割或水射流切割来分割。