1.具有多金属栅结构的hemt器件,其特征在于，包括：algan/gan外延、源漏电极及栅电极；所述algan/gan外延上表面的两端分别连接源漏电极；所述栅电极与algan/gan外延上表面连接；所述栅电极包含第一层金属x和第二层金属y；所述栅电极剥离后形成的与(al)gan接触的金属结构为y/x/y。
2.根据权利要求1所述的具有多金属栅结构的hemt器件,其特征在于，所述第一层金属x两侧的第二层金属y的长度为0.5-1μm。
3.根据权利要求1所述的具有多金属栅结构的hemt器件,其特征在于，所述二层金属y完全包裹住了第一层金属x。
4.根据权利要求1所述的具有多金属栅结构的hemt器件,其特征在于，所述栅电极到源极的距离小于栅电极到漏极的距离。
5.一种制备权利要求1-4任一项所述的具有多金属栅结构的hemt器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）在algan/gan外延上定义源漏电极窗口，制备源漏电极并进行退火形成欧姆接触；
（2）定义栅电极光刻窗口，制备多金属栅结构y/x/y，得到所述具有多金属栅结构的hemt器件。
6.根据权利要求5所述的具有多金属栅结构的hemt器件的制备方法,其特征在于，步骤（2）所述栅电极的光刻窗口设计为1-2μm。
7.根据权利要求5所述的具有多金属栅结构的hemt器件的制备方法,其特征在于，步骤（2）所述多金属栅结构y/x/y中，第一层金属x采用电子束蒸发方式沉积，第二层金属y采用磁控溅射方式沉积；且第二层金属y的厚度要大于第一层金属x的厚度。
8.根据权利要求5所述的具有多金属栅结构的hemt器件的制备方法,其特征在于，步骤（2）所述多金属栅结构y/x/y中，第一层金属x为ni、ti、tin中的一种，第二层金属y为cu、w、ni中的一种。