1.一种半导体检测装置，其特征在于，包括：
晶圆承载装置，用于承载待检测晶圆；
电晕放电系统，用于对所述待检测晶圆表面进行电晕喷电；
电荷检测系统，用于检测所述待检测晶圆表面沉积的正离子或者负离子的电荷量；
入射光系统，用于向所述待检测晶圆发射第一入射光，所述第一入射光经待检测晶圆的反射形成第一反射光；
光学信号分拣系统，用于自所述第一反射光中分拣出非线性光学信号；
控制系统，用于根据所述非线性光学信号获取所述待检测晶圆的第一缺陷信息。
2.如权利要求1所述的半导体检测装置，其特征在于，所述电晕放电系统包括：
电晕枪，所述电晕枪具有针状电晕电极，所述针状电晕电极放电，使所述待检测晶圆周围空气产生电离作用而形成正负离子，正离子或者负离子沉积于所述待检测晶圆表面；
电晕驱动部，用于为所述针状电晕电极放电施加电压。
3.如权利要求2所述的半导体检测装置，其特征在于，所述控制系统包括：
电晕放电控制部，用于接收所述电荷检测系统检测的电荷量信息，并根据所述电荷量信息，控制所述电晕驱动部的启闭。
4.如权利要求1所述的半导体检测装置，其特征在于，所述电荷检测系统包括：
传感器，用于获取所述待检测晶圆表面的瞬时位移电流信息；
探测部，用于根据所述传感器获取的所述瞬时位移电流信息，探测所述待检测晶圆表面沉积的正离子或者负离子的电荷量。
5.如权利要求4所述的半导体检测装置，其特征在于，所述传感器位于所述晶圆承载装置上。
6.如权利要求2所述的半导体检测装置，其特征在于，所述入射光系统包括：第一光源，用于发射第一初始入射光；第一入射光调制单元，用于对所述第一初始入射光进行调制，形成发射至所述待检测晶圆的所述第一入射光。
7.如权利要求6所述的半导体检测装置，其特征在于，所述第一光源包括激光发射器。
8.如权利要求6所述的半导体检测装置，其特征在于，所述第一入射光调制单元包括：调制装置，用于改变所述第一初始入射光的光强、偏振参数和焦距中的一者或多者；监控装置，用于监控所述第一入射光的入射光信息，并将所述入射光信息反馈至所述控制系统。
9.如权利要求8所述的半导体检测装置，其特征在于，所述入射光信息包括：功率、光强、偏振参数和光脉冲参数。
10.如权利要求6所述的半导体检测装置，其特征在于，还包括：光束整形系统，将所述第一入射光整形成第一环形入射光，所述第一环形入射光经待检测晶圆的反射形成所述第一反射光。
11.如权利要求10所述的半导体检测装置，其特征在于，还包括：第一聚焦单元，用于将所述第一环形入射光聚焦至所述待检测晶圆表面。
12.如权利要求11所述的半导体检测装置，其特征在于，所述电晕枪位于所述光束整形系统与所述待检测晶圆之间。
13.如权利要求11所述的半导体检测装置，其特征在于，所述电晕枪位于所述光束整形系统的一侧，且所述电晕枪与所述光束整形系统朝向所述待检测晶圆的投影具有间隔。
14.如权利要求6所述的半导体检测装置，其特征在于，所述入射光系统还用于向所述待检测晶圆表面发射第二入射光，所述第二入射光经待检测晶圆的反射形成第二反射光，所述第一入射光和所述第二入射光在相同时间、相同入射点入射所述待检测晶圆表面。
15.如权利要求14所述的半导体检测装置，其特征在于，所述入射光系统还包括：第二光源，用于发射第二初始入射光；第二入射光调制单元，用于对所述第二初始入射光进行调制，形成发射至待检测晶圆的所述第二入射光；脉冲延迟单元，用于延迟所述第一入射光，使得所述第一入射光和所述第二入射光在相同时间入射到待检测晶圆的表面。
16.如权利要求15所述的半导体检测装置，其特征在于，所述入射光系统还包括：第二聚焦单元：用于将所述第一入射光和所述第二入射光聚焦于所述待检测晶圆的相同入射点。
17.如权利要求16所述的半导体检测装置，其特征在于，所述针状电晕电极对准所述第一入射光和所述第二入射光聚焦的相同入射点。
18.如权利要求15所述的半导体检测装置，其特征在于，还包括：附加信号采集系统，用于根据所述第二反射光获取附加光学信号，并将所述附加光学信号传输至所述控制系统。
19.如权利要求1所述的半导体检测装置，其特征在于，还包括：附加信号采集系统，用于自所述第一反射光中获取附加光学信号，并将所述附加光学信号传输至所述控制系统。
20.如权利要求1所述的半导体检测装置，其特征在于，所述非线性光学信号包括二次谐波信号、三次谐波信号、和频响应信号以及差频响应信号。
21.如权利要求1所述的半导体检测装置，其特征在于，还包括：晶圆对准对焦系统，包括：成像单元，用于获取待测晶圆表面不同位置的成像图案；变换器，用于获取所述待测晶圆在第一方向上的位置信息，所述第一方向垂直于所述待测晶圆表面。
22.如权利要求21所述的半导体检测装置，其特征在于，所述控制系统包括：成像运算单元，用于根据待测晶圆表面不同位置的成像图案获取所述待测晶圆的位置信息；第一位置控制单元，用于根据所述位置信息沿平行基准平面的方向移动所述晶圆承载装置，所述基准平面平行于所述待测晶圆表面。
23.如权利要求22所述的半导体检测装置，其特征在于，所述控制系统包括：第二位置控制单元，用于根据所述第一方向上的位置信息移动所述晶圆承载装置，以实现第一入射光在所述待测晶圆表面对焦。
24.如权利要求1所述的半导体检测装置，其特征在于，还包括：主信号采集系统，用于获取所述非线性光学信号，并将所述非线性光学信号传输至所述控制系统。
25.如权利要求1所述的半导体检测装置，其特征在于，所述光学信号分拣系统包括：滤光器，用于通过具有预设波长范围的部分第一反射光，以形成第一过渡光学信号；偏振器，用于通过具有预设偏振参数的所述第一过渡光学信号，以形成所述非线性光学信号。
26.如权利要求1所述的半导体检测装置，其特征在于，所述光学信号分拣系统包括：偏振器，用于通过具有预设偏振参数的部分第一反射光，以形成第二过渡光学信号；滤光器，用于通过具有预设波长范围的所述第二过渡光学信号，以形成所述非线性光学信号。
27.如权利要求1所述的半导体检测装置，其特征在于，所述晶圆承载装置包括：承载盘，用于承载待检测晶圆；设置于所述承载盘的固定装置，用于将待检测晶圆固定于承载盘表面；机械移动组件，用于驱动所述承载盘运动。
28.如权利要求1所述的半导体检测装置，其特征在于，还包括：光学准直单元：用于准直所述第一反射光，并使准直后的第一反射光入射至所述光学信号分拣系统。
29.一种采用如权利要求1至28任一项所述的半导体检测装置进行的检测方法，其特征在于，包括：
提供待检测晶圆；
对所述待检测晶圆表面进行第一电晕喷电；
向所述待检测晶圆发射第一子入射光，所述第一子入射光经待检测晶圆的反射形成第一子反射光；
获取所述第一子反射光，并从所述第一子反射光中分拣出第一非线性光学信号，测量所述第一非线性光学信号强度作为第一信号强度；
对所述待检测晶圆表面进行第二电晕喷电；
检测所述第二电晕喷电在待检测晶圆表面沉积的正离子或者负离子的电荷量，作为第二电荷量；
所述第二电荷量与所述第一电荷量累积求和作为当前总电荷量；
向所述待检测晶圆发射第二子入射光，所述第二子入射光经待检测晶圆的反射形成第二子反射光；
获取所述第二子反射光，并从所述第二子反射光中分拣出第二非线性光学信号，测量所述第二非线性光学信号强度作为第二信号强度；
循环多次对所述待检测晶圆表面进行电晕喷电，并对当前总电荷量进行更新，且测量与当前总电荷量相对应的非线性光学信号强度，直至当前总电荷量达到预设总电荷量；
获取所述待检测晶圆的第一缺陷信息。
30.如权利要求29所述的检测方法，其特征在于，所述电晕喷电包括：利用电晕枪的针状电晕电极放电，使所述待检测晶圆周围空气产生电离作用而形成正负离子，正离子或者负离子沉积于所述待检测晶圆表面。
31.如权利要求29所述的检测方法，其特征在于，所述待检测晶圆包括：基底、以及位于基底表面的介质层。
32.如权利要求31所述的检测方法，其特征在于，所述介质层的材料为铁电材料或者非铁电材料。
33.如权利要求32所述的检测方法，其特征在于，所述非线性光学信号包括二次谐波信号、三次谐波信号、和频响应信号以及差频响应信号。
34.如权利要求33所述的检测方法，其特征在于，当所述介质层的材料为铁电材料时，还包括：根据不同电晕强度下所述二次谐波信号值获取所述介质层的剩余极化强度值及矫顽电场值。
35.如权利要求33所述的检测方法，其特征在于，当所述介质层的材料为非铁电材料时，还包括：根据不同电晕强度下所述二次谐波信号值获取所述介质层的本征电荷密度及界面态密度值。
36.如权利要求31所述的检测方法，其特征在于，所述介质层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、高k介质材料、低k介质材料或超低k介质材料。
37.如权利要求36所述的检测方法，其特征在于，当所述介质层的材料为高k介质材料时，所述介质层的材料为氧化铪、氧化锆、氧化铪硅、氧化镧、氧化锆硅、氧化钛、氧化钽、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛或氧化铝。
38.如权利要求31所述的检测方法，其特征在于，所述第一缺陷信息包括所述基底与介质层之间界面处的界面电学属性缺陷；所述界面电学属性缺陷包括：界面态电荷势阱缺陷、介质层固有电荷分布及缺陷以及基底半导体掺杂浓度。