1.一种提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，包括如下步骤：
a、将衬底清洗后，放入原子层沉积的反应腔；
b、将第一反应前驱体通入反应腔，在衬底上形成单分子层；
c、将第二反应前驱体通入反应腔，与単分子层反应形成高介电栅介质层；
d、重复步骤b和c，以形成一定厚度的高介电栅介质层薄膜；
e、在反应腔中通入氟基等离子体，使高介电栅介质层进行氧缺陷修复，得氟化的高介电栅介质层薄膜。
2.根据权利要求1所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，步骤a中，所述衬底选自cmos或dram晶体管。
3.根据权利要求1所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，步骤b中，所述第一反应前驱体为高介电常数的金属氧化物的前驱体。
4.根据权利要求1所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，步骤b中，所述第一反应前驱体加热后，采用惰性气体作为载气，以脉冲形式引入反应腔。
5.根据权利要求1所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，步骤c中，所述第二反应前驱体选自氧气、臭氧、氧等离子体、水蒸气。
6.根据权利要求1所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，步骤c中，所述与単分子层反应的温度条件为200-300℃。
7.根据权利要求1所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，所述步骤b、步骤c、步骤e之后，均各需采用通入惰性气体脉冲以冲洗反应残留及副产物的步骤中。
8.根据权利要求4或7所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，所述惰性气体选自氮气、氩气。
9.根据权利要求1所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，所述方法还包括步骤e之后，重复步骤b-e。
10.根据权利要求1所述的提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，其特征在于，所述方法中，衬底温度保持在恒温，且温度低于500℃。