一种提高二极管开关速度的方法与流程

技术特征：

1.一种提高二极管开关速度的方法，其特征在于，在pn结或pin结周围进行铂扩散；

其中，铂扩散处理的条件为：在惰性气体的环境下，在800～1100℃退火30～120min。

2.根据权利要求1所述的提高二极管开关速度的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将硅片进行氧化，按照设计方案在氧化后的硅片上进行基区光刻；

2)采用注入杂质的方法对基区进行掺杂；

3)在1100～1200℃的温度下进行杂质再分布，形成pn结；

4)在硅片背面进行蒸铂，在惰性气体下进行退火处理。

3.根据权利要求2所述的提高二极管开关速度的方法，其特征在于，步骤2)中，基区的掺杂浓度为1×10¹⁵～1×10¹⁶cm^-3。

4.根据权利要求2所述的提高二极管开关速度的方法，其特征在于，步骤4)中，在硅片背面蒸铂形成的铂层厚度为10～200nm。

技术总结
本发明公开了一种提高二极管开关速度的方法，属于微电子制作领域。本发明的提高二极管开关速度的方法，在硅片背面进行铂扩散，即在800～1100℃、惰性气体下退火30～120min，二极管的反向恢复时间在IF＝1.0A、VR＝30V时，可控制在20～80ns，在IF＝25A、VR＝160V时，可控制在25～100ns，本发明通过掺铂控制少子寿命，本发明的方法制造的硅基半导体分立器件具有开关速度快、漏电流小、可靠性高的特点。

技术研发人员：王健;鲁红玲;杨晓文;侯斌;张志新
受保护的技术使用者：西安微电子技术研究所
技术研发日：2020.05.26
技术公布日：2020.09.01