1.一种基于多层磁性复合结构的各向异性磁电阻，其特征在于，所述磁电阻包括基片，以及依次形成于基片之上的缓冲层薄膜、[nife/nico]n的多层薄膜和覆盖层薄膜，其中，n≥2。
2.根据权利要求1所述的基于多层磁性复合结构的各向异性磁电阻，其特征在于，所述缓冲层薄膜为ta或cu。
3.根据权利要求1所述的基于多层磁性复合结构的各向异性磁电阻，其特征在于，所述覆盖层薄膜为ta、sio2或al2o3。
4.根据权利要求1所述的基于多层磁性复合结构的各向异性磁电阻，其特征在于，所述[nife/nico]n的多层薄膜的总厚度为20～40nm。
5.一种基于多层磁性复合结构的各向异性磁电阻的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、采用薄膜溅射工艺在基片上沉积缓冲层薄膜；
步骤2、采用薄膜溅射工艺并在外磁场h的作用下，在步骤1处理后的基片上依次沉积[nife/nico]n的多层薄膜、覆盖层薄膜，其中，n≥2；
步骤3、将步骤2处理后得到的复合结构进行退火处理，退火温度为200～400℃，退火时间为30～120min，退火完成后，即可得到所述各向异性磁电阻。