一种基于GaN的DC-DC转换器的磁集成系统的制作方法

文档序号:22838219发布日期:2020-11-06 16:34阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种基于gan的dc-dc转换器的磁集成系统,其特征在于,包括第一平面磁柱(1)、第二平面磁柱(2)、第三平面磁柱(3)、第四平面磁柱(4)、第一平面电感线圈(l1)及第二平面电感线圈(l2);

第一平面磁柱(1)、第二平面磁柱(2)、第三平面磁柱(3)及第四平面磁柱(4)依次位于正方形四个角的位置处,第一平面电感线圈(l1)及第二平面电感线圈(l2)均为己字形结构,且第一平面电感线圈(l1)的中部穿过第一平面磁柱(1)与第四平面磁柱(4)之间以及第二平面磁柱(2)与第三平面磁柱(3)之间,且第二平面磁柱(2)位于第一平面电感线圈(l1)一侧的开口位置处,第四平面磁柱(4)位于第二平面电感线圈(l2)另一侧的开口位置处,第二平面电感线圈(l2)的中部穿过第一平面磁柱(1)与第二平面磁柱(2)之间以及第三平面磁柱(3)与第四平面磁柱(4)之间,且第三平面磁柱(3)位于第二平面电感线圈(l2)一侧的开口位置处,第一平面磁柱(1)位于第二平面电感线圈(l2)另一侧的开口位置处。

2.根据权利要求1所述的基于gan的dc-dc转换器的磁集成系统,其特征在于,还包括衬底,其中,第一平面磁柱(1)、第二平面磁柱(2)、第三平面磁柱(3)及第四平面磁柱(4)均位于衬底上。

3.根据权利要求2所述的基于gan的dc-dc转换器的磁集成系统,其特征在于,第一平面电感线圈(l1)位于第二平面电感线圈(l2)与衬底之间。


技术总结
本发明公开了一种基于GaN的DC‑DC转换器的磁集成系统,第一平面电感线圈及第二平面电感线圈均为己字形结构,且第一平面电感线圈的中部穿过第一平面磁柱与第四平面磁柱之间以及第二平面磁柱与第三平面磁柱之间,且第二平面磁柱位于第一平面电感线圈一侧的开口位置处,第四平面磁柱位于第二平面电感线圈另一侧的开口位置处,第二平面电感线圈的中部穿过第一平面磁柱与第二平面磁柱之间以及第三平面磁柱与第四平面磁柱之间,且第三平面磁柱位于第二平面电感线圈一侧的开口位置处,第一平面磁柱位于第二平面电感线圈另一侧的开口位置处,该系统能够通过分立电感进行解耦集成,以增大变换器的功率密度。

技术研发人员:王来利;于龙洋;冯舒婷;李超杰;杨成子;伍敏
受保护的技术使用者:西安交通大学
技术研发日:2020.07.08
技术公布日:2020.11.06
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