技术特征：
1.一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供基底结构，所述基底结构包括半导体衬底、位于所述半导体衬底一侧的至少一个鳍部及位于所述鳍部背离所述半导体衬底一侧表面的掩膜层；沿所述基底结构具有所述鳍部侧的裸露表面形成氧隔离膜；形成介质层覆盖所述氧隔离膜，所述介质层在所述半导体衬底至所述鳍部方向上依次划分为保留区及去除区；对所述介质层背离所述半导体衬底一侧表面进行平坦化处理直至裸露所述掩膜层；刻蚀去除所述掩膜层及所述介质层和所述氧隔离膜对应所述去除区的部分；在所述介质层背离所述半导体衬底一侧形成跨越所述鳍部的栅极结构。2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，沿所述基底结构具有所述鳍部侧的裸露表面形成氧隔离膜，包括：沿所述基底结构具有所述鳍部侧的裸露表面形成氮化硅膜，所述氮化硅膜为所述氧隔离膜。3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，沿所述基底结构具有所述鳍部侧的裸露表面形成氧隔离膜，包括：沿所述基底结构具有所述鳍部侧的裸露表面依次形成氮化硅膜和多晶硅膜，所述氮化硅膜和多晶硅膜的叠层膜为所述氧隔离膜。4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，形成介质层覆盖所述氧隔离膜，包括：形成氧化硅层覆盖所述氧隔离膜，所述氧化硅层为所述介质层。5.根据权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化硅层还掺杂有氮元素。6.一种鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底一侧的至少一个鳍部；覆盖所述半导体衬底裸露表面且延伸覆盖至所述鳍部部分侧面的氧隔离膜；覆盖所述氧隔离膜的介质层，所述介质层背离所述半导体衬底一侧表面与所述氧隔离膜延伸至所述鳍部处端部表面齐平；及位于所述介质层背离所述半导体衬底一侧且跨越所述鳍部的栅极结构。7.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，所述氧隔离膜包括氮化硅膜。8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，所述氧隔离膜包括氮化硅膜和多晶硅膜的叠层膜，其中所述氮化硅膜位于所述氧隔离膜靠近所述半导体衬底一侧。9.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，所述介质层包括氧化硅层。10.根据权利要求9所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，所述氧化硅层还掺杂有氮元素。
技术总结
本发明提供了一种鳍式场效应晶体管及其制作方法，方法包括：提供基底结构，基底结构包括半导体衬底、位于半导体衬底一侧的至少一个鳍部及位于鳍部背离半导体衬底一侧表面的掩膜层；沿基底结构具有鳍部侧的裸露表面形成氧隔离膜；形成介质层覆盖氧隔离膜；对介质层背离半导体衬底一侧表面进行平坦化处理直至裸露掩膜层；刻蚀去除掩膜层及介质层和氧隔离膜对应去除区的部分；在介质层背离半导体衬底一侧形成跨越鳍部的栅极结构。本发明通过氧隔离膜来隔绝氧元素进入鳍部，进而改善鳍部的侧壁被氧化而降低其平整度的情况，保证制备的鳍部的侧壁的平整度高，提高了鳍式场效应晶体管的制备质量，保证鳍式场效应晶体管的性能优良。保证鳍式场效应晶体管的性能优良。保证鳍式场效应晶体管的性能优良。
技术研发人员：李时璟 宋月春
受保护的技术使用者：泉芯集成电路制造（济南）有限公司
技术研发日：2020.07.28
技术公布日：2022/2/6