技术总结
本公开提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和分布式布拉格反射镜；所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的第一表面上；所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；所述分布式布拉格反射镜铺设在所述衬底的第二表面上，所述第二表面为所述第一表面的相反表面；所述N型半导体层的部分边缘区域为光线散射结构，所述光线散射结构由具有晶体缺陷的晶体结构形成。本公开有利于提升LED的正面出光效率。效率。效率。
技术研发人员：兰叶 吴志浩 李鹏
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2020.07.30
技术公布日：2021/1/29