技术特征：
1.一种承载结构，其特征在于，包括强化层，该强化层包含聚硅氧烷、二氧化硅及聚对苯二甲酸乙二酯薄膜，其中，该聚硅氧烷于该强化层中占有5～30重量百分比，该二氧化硅于该强化层中占有1～20重量百分比，该聚对苯二甲酸乙二酯薄膜于该强化层中占有60～85重量百分比。2.如权利要求1所述的承载结构，其特征在于，该承载结构还包括承载板，其上依序形成有一离形层、该强化层及一结合层。3.一种电子封装件的制法，其特征在于，包括：提供一如权利要求1或2中任一项所述的承载结构；于该承载结构上进行电子元件的封装制程；以及移除该承载结构。4.如权利要求3所述的电子封装件的制法，其特征在于，该电子元件的封装制程包括：形成线路结构于该承载结构上；设置该电子元件于该线路结构上；以及形成包覆层于该线路结构上，使该包覆层包覆该电子元件。5.如权利要求4所述的电子封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于移除该承载结构后，外露出该线路结构，以形成导电元件于该线路结构上。6.如权利要求3所述的电子封装件的制法，其特征在于，该电子元件的封装制程包括：设置该电子元件于该承载结构上；以及形成包覆层于该承载结构上，使该包覆层包覆该电子元件。7.如权利要求6所述的电子封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于移除该承载结构后，形成线路结构于该包覆层与该电子元件上，使该线路结构电性连接该电子元件。8.如权利要求6所述的电子封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于移除该承载结构前，形成线路结构于该包覆层与该电子元件上，使该线路结构电性连接该电子元件。9.如权利要求7或8所述的电子封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成导电元件于该线路结构上。10.如权利要求3所述的电子封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于移除该承载结构后，进行切单制程。
技术总结
本发明涉及一种电子封装件的制法及其承载结构，包括强化层，其包含聚硅氧烷、二氧化硅及PET薄膜，其中，该聚硅氧烷于该强化层中占有5～30重量百分比，该二氧化硅于该强化层中占有1～20重量百分比，该聚对苯二甲酸乙二酯薄膜于该强化层中占有60～85重量百分比，以经由该承载结构进行半导体封装制程，以提升制程的可靠度。可靠度。可靠度。
技术研发人员：林泽源 廖俊明 陈宏棋 郑有志
受保护的技术使用者：矽品精密工业股份有限公司
技术研发日：2020.07.31
技术公布日：2022/1/21