1.一种场效应管，其特征在于，包括：
soi衬底；
第一外延层，所述第一衬底层同所述soi衬底连接，所述第一衬底层为n型外延层，所述第一外延层上设置有多个p垂直槽；
第二外延层，所述第二外延层同所述第一外延层连接。
2.根据权利要求1所述的一种场效应管，其特征在于，所述soi衬底片包括：
衬底片，所述衬底片为普通p型衬底片；
隐埋氧化层，所述隐埋氧化层同所述衬底层连接，所述隐埋氧化层通过热氧化形成，采用二氧化硅材质；
顶部硅层，所述顶部硅层同所述隐埋氧化层连接，所述顶部硅层同所述第一外延层连接。
3.根据权利要求2所述的一种场效应管，其特征在于，所述垂直槽为圆形槽。
4.根据权利要求1所述的一种场效应管，其特征在于，所述第二外延层上设置有深沟槽，所述深沟槽的两侧设置有二氧化硅夹层，所述二氧化硅夹层包括二氧化硅层、多晶硅层，所述二氧化硅层同所述多晶硅层连接，所述多晶硅层同另一个所述二氧化硅层连接；所述二氧化硅夹层位于深沟槽的两侧。
5.根据权利要求1所述的一种场效应管，其特征在于，所述第二外延层内置有源区第二类型阱，所述源区第二类型阱内设置有第二类型缓冲区，所述第二类型缓冲区内设置有源区第一类型阱，所述源区第一类型阱同第一类型浓注入区相邻设置，所述第一类型浓注入区同第二类型浓注入区相邻设置。
6.根据权利要求1所述的一种场效应管，其特征在于，所述第二外延层内还设置有漏区第二类缓冲区，所述漏区第二类缓冲区内设置有漏区第一类型阱，所述漏区第一类型阱内设置有漏区第一类缓冲区，所述漏区第一类型缓冲区中设置有漏区第一类浓注入区。
7.根据权利要求1所述的一种场效应管，其特征在于，所述第一类型浓注入区和第二类型浓注入区上设置有薄栅氧，所述第二外延层顶部设置有厚栅氧和场氧，所述厚栅氧和薄栅氧之间设置有沟槽隔离机构，所述厚栅氧设置在所述薄栅氧和场氧之间。
8.根据权利要求1所述的一种场效应管，其特征在于，所述厚栅氧上设置有多晶栅，所述场氧上设置有多晶场板，所述多晶栅和所述多晶场板的一侧设置有内偏移侧墙，所述内偏移侧墙同所述外侧墙连接。
9.根据权利要求1所述的一种场效应管，其特征在于，所述第一类型浓注入区和所述第二类型浓注入区同源引出线连接，所述多晶栅同所述栅引出线连接，所述漏区第一类型浓注入区同漏区引出线连接；
所述第二外延层同所述层间介质层连接，所述层间介质层上设置有铝场板，所述铝场板设置在所述厚栅氧的上方。
10.一种场效应管的制备方法，其特征在于，包括：
在soi衬底上，形成覆盖所述soi衬底的第一外延层，在所述第一外延层上开垂直槽，外延填充，将槽填满；在第一外延层上形成第二外延层。