显示装置的制作方法

显示装置
[0001]
相关申请的交叉引用
[0002]
本申请要求于2019年8月22日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0103055号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
[0003]
本发明的实施方式的方面涉及显示装置。


背景技术：

[0004]
显示装置通过使用发光元件(诸如，发光二极管)作为像素的光源来显示图像。发光二极管即使在恶劣的环境条件下也表现出相对良好的耐久性，并且在寿命和亮度方面表现出良好的性能。
[0005]
近来，已经进行了使用具有高可靠性无机晶体结构的材料制造发光二极管并且将其设置在显示装置的面板上并将其用作下一代像素光源的研究。作为该研究的一部分，已经进行了使用小至微米级或纳米级的发光二极管并使用该发光二极管作为每个像素的光源的发光显示装置的开发。


技术实现要素：

[0006]
根据本发明的实施方式的一方面，提供了包括发光元件的显示装置。根据本发明的实施方式的另一方面，提供了具有改善的对准的发光元件的显示装置。
[0007]
根据本发明的实施方式的另一方面，提供了显示装置，其中通过并行地(例如，同时地)形成设置在发光元件下方的绝缘层和围绕发光元件的堤图案，减少了制造成本和制造时间。
[0008]
然而，本发明的方面不限于以上提及的方面，并且本领域普通技术人员可以从以下描述中清楚地理解未提及的其它技术方面。
[0009]
根据本发明的一个或多个实施方式，显示装置包括：基板，包括在平面图中在第一方向上交替布置的第一区域和第二区域；第一电极和第二电极，位于基板上并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；第一绝缘层，位于基板上并且覆盖第一电极和第二电极；以及发光元件，位于第一绝缘层上并且电连接到第一电极和第二电极，第一绝缘层在第一区域中具有第一厚度并且在第二区域中具有比第一厚度厚的第二厚度，并且发光元件位于第一区域中。
[0010]
基板还可以包括位于第一区域和第二区域周围的堤区域，并且显示装置还可以包括位于基板上并且位于堤区域中的堤图案。
[0011]
堤图案可以与第一绝缘层整体地形成。
[0012]
堤图案可以具有比第一厚度和第二厚度中的每个厚的第三厚度。
[0013]
显示装置还可包括：第三电极，位于发光元件上并且电连接到发光元件的第一端部和第一电极；以及第四电极，位于发光元件上并电连接到发光元件的第二端部和第二电
极。
[0014]
基板还可以包括接触区域，并且第一绝缘层可以在接触区域中暴露第一电极的至少一部分和第二电极的至少一部分。
[0015]
在接触区域中，第一电极可以接触第三电极，并且第二电极可以接触第四电极。
[0016]
显示装置还可以包括位于基板和第一电极之间的第一堤层以及位于基板和第二电极之间的第二堤层，其中第一堤层的厚度和第二堤层的厚度中的每个比第一绝缘层的第二厚度厚。
[0017]
显示装置还可以包括第二绝缘层，第二绝缘层位于基板上并且覆盖第一绝缘层、发光元件、第三电极和第四电极。
[0018]
第一区域和第二区域可以在第二方向上延伸。
[0019]
第一区域可以在第一方向上彼此间隔开，并且第二区域可以围绕第一区域。
[0020]
第一绝缘层可以在第一电极和第二电极上具有第四厚度，并且第四厚度可以比第一厚度厚。
[0021]
根据本发明的一个或多个实施方式，显示装置包括：基板；第一电极和第二电极，位于基板上并且在第一方向上彼此间隔开；第一绝缘层，位于基板上并且覆盖第一电极和第二电极；发光元件，位于第一绝缘层上并且电连接到第一电极和第二电极；以及堤图案，位于基板上并且布置在发光元件周围，其中，第一绝缘层与堤图案整体地形成。
[0022]
显示装置还可包括：第三电极，位于发光元件上并且电连接到发光元件的第一端部和第一电极；以及第四电极，位于发光元件上并且电连接到发光元件的第二端部和第二电极。
[0023]
基板还可以包括接触区域，并且第一绝缘层可以在接触区域中暴露第一电极的至少一部分和第二电极的至少一部分。
[0024]
在接触区域中，第一电极可以接触第三电极，并且第二电极可以接触第四电极。
[0025]
显示装置还可以包括位于基板和第一电极之间的第一堤层以及位于基板和第二电极之间的第二堤层，其中第一堤层的厚度和第二堤层的厚度中的每个比堤图案的厚度薄。
[0026]
显示装置还可以包括第二绝缘层，第二绝缘层位于基板上并且覆盖第一绝缘层、堤图案、发光元件、第三电极和第四电极。
[0027]
详细描述和附图中包括一些其它实施方式的方面。
[0028]
根据本发明的一个或多个实施方式的一方面，提供了具有改善的对准的发光元件的显示装置。
[0029]
此外，根据本发明的实施方式的另一方面，提供了显示装置，其中通过并行地(例如，同时地)形成设置在发光元件下方的绝缘层和围绕发光元件的堤图案来减少制造成本和制造时间。
[0030]
然而，本发明的实施方式的方面和效果不限于以上描述的那些，并且进一步的各方面和效果被包括在本说明书中。
附图说明
[0031]
图1是根据示例性实施方式的发光元件的立体图。
[0032]
图2是示意性地示出根据示例性实施方式的显示装置的平面图。
[0033]
图3a和图3b是示出根据示例性实施方式的像素的电路图。
[0034]
图4是示出根据另一示例性实施方式的像素的电路图。
[0035]
图5是根据示例性实施方式的像素的平面图。
[0036]
图6是沿着图5的线vi-vi’截取的剖视图。
[0037]
图7是沿着图5的线vii-vii’截取的剖视图。
[0038]
图8是沿着图5的线viii-viii’截取的剖视图。
[0039]
图9是沿着图5的线ix-ix’截取的剖视图。
[0040]
图10是根据另一示例性实施方式的像素的平面图。
[0041]
图11是沿着图10的线xi-xi’截取的剖视图。
具体实施方式
[0042]
本发明的方面和特征以及其实现方法将通过参考附图描述的一些示例性实施方式阐明。然而，本发明可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些示例性实施方式使得本公开将是彻底的并且将本发明的范围完全传达给本领域的技术人员。此外，本发明由权利要求的范围限定。
[0043]
应当理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，其可以直接在该另一元件或层上，或者还可以存在一个或多个介于中间的元件或层。在整个说明书中，相同的参考标号表示相同的元件。
[0044]
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种组成元件，但是这些组成元件不受这些术语的限制。这些术语用于将一个组成元件和另一组成元件区分开。因此，下面描述的第一组成元件可以是在本发明的技术精神内的第二组成元件。当解释单数时，除非明确地相反描述，否则其可以被解释为复数含义。
[0045]
此外，为了清楚地说明本发明，可以在附图中省略与本发明的特征不直接相关的元件中的一些。此外，在附图中，元件中的一些可以以稍微夸大的尺寸、比率等示出。对于全部附图中相同或相似的组成元件，可以提供相同的参考标号和符号，即使它们被显示在不同的附图上，并且可以省略重复的描述。
[0046]
还应理解，本文中使用的术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”指定存在所阐述的特征或部件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征或部件。
[0047]
在本文中所阐述的实施方式中，当层、区域或部件连接到另一层、区域或部件时，这些层、区域或部件可彼此直接连接，或者这些层、区域或部件也可通过它们之间的另一层、区域或部件而彼此间接连接。
[0048]
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思的示例性实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还应当理解，诸如在常用词典中定义的那些术语应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于正式的含义解释，除非在本文中明确地如此定义。
[0049]
本文中，参考附图，将更详细地描述本公开的一些示例性实施方式。
[0050]
图1是根据本发明的示例性实施方式的发光元件的立体图。
[0051]
参照图1，根据本发明的示例性实施方式的发光元件ld包括第一半导体层11、第二半导体层13以及插置在第一半导体层11和第二半导体层13之间的有源层12。例如，发光元件ld可以被实现为叠层，其中第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13被顺序堆叠。
[0052]
根据本发明的示例性实施方式，发光元件ld可以设置成在一方向上延伸的棒形状。当发光元件ld的延伸方向被称为长度方向时，发光元件ld可以在长度方向上具有第一端和第二端。
[0053]
在本发明的示例性实施方式中，第一半导体层11和第二半导体层13中的一个可以设置在发光元件ld的第一端处，并且第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可以设置在发光元件ld的第二端处。
[0054]
在本发明的示例性实施方式中，发光元件ld可以设置成棒形状。这里，术语“棒形状”可以包括在长度方向上为长(即，具有大于1的长宽比)的杆状形状或棒状形状，诸如圆柱体或多边形圆柱体。例如，发光元件ld的长度可以大于发光元件ld的直径。然而，本发明不限于此。例如，发光元件ld可以具有核-壳结构。
[0055]
例如，发光元件ld可以被制造成足够小以具有约微米级或纳米级的直径和/或长度。例如，发光元件ld的直径可以是600nm或更小，并且发光元件ld的长度可以是4μm或更小，但是发光元件ld的尺寸不限于此。可以改变发光元件ld的尺寸以满足发光元件ld所应用至的显示装置的要求。
[0056]
例如，第一半导体层11可以包括至少一个n型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括诸如inalgan、gan、algan、ingan、aln或inn的半导体材料中的至少一种，并且可以包括掺杂有诸如si、ge、sn等的第一掺杂剂的半导体层。
[0057]
然而，构成第一半导体层11的材料不限于此，并且第一半导体层11可以由除此之外的各种材料中的任一种形成。
[0058]
有源层12可以形成在第一半导体层11上，并且可以形成为单量子阱结构或多量子阱结构。在实施方式中，有源层12可以发射具有400nm到900nm的波长的光，并且可以使用双异质结构。根据本发明的示例性实施方式，掺杂有掺杂剂的包覆层(未示出)可以形成在有源层12上和/或下方。例如，包覆层可以实现为algan层或inalgan层。此外，诸如algan和inalgan的材料也可以用作有源层12。然而，除此之外，各种材料中的任一种可以形成有源层12。
[0059]
当预定电压的电场或更大电压的电场施加到发光元件ld的两端时，发光元件ld在电子-空穴对在有源层12中结合时发射光。通过使用该原理控制发光元件ld的光发射，发光元件ld可以用作包括显示装置的像素的各种发光器件的光源。
[0060]
第二半导体层13可以设置在有源层12上，并且可以包括与第一半导体层11的类型不同类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括诸如inalgan、gan、algan、ingan、aln、inn的半导体材料中的至少一种，并且可以包括掺杂有诸如mg等的第二掺杂剂的半导体层。然而，形成第二半导体层13的材料不限于此，并且第二半导体层13可由各种材料中的任一种形成。
[0061]
根据本发明的示例性实施方式，除了以上描述的第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13之外，发光元件ld还可以包括位于每个层上和/或在每个层下方的不同的磷光体层、有源层、半导体层和/或电极层。
[0062]
此外，发光元件ld还可以包括绝缘层14。然而，根据本发明的示例性实施方式，可以省略绝缘层14或者可以将绝缘层14设置成仅覆盖第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13的一部分。例如，绝缘层14可以设置在发光元件ld的除了发光元件ld的两端之外的部分处，使得发光元件ld的两端可以被暴露。
[0063]
为了更好地理解和易于描述，图1示出了这样的形状，在该形状中，绝缘层14的一部分被示出为去除的，但是发光元件ld的所有侧可以被绝缘层14围绕。
[0064]
根据本发明的示例性实施方式，绝缘层14可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘层14可以包括诸如sio2、si3n4、al2o3和tio2的绝缘材料中的至少一种，但不限于此。绝缘层14可以包括各种绝缘材料中的任一种。
[0065]
绝缘层14可以防止或基本上防止由于有源层12接触除了第一半导体层11和第二半导体层13之外的导电材料而可能发生的电短路。此外，通过形成绝缘层14，可以最小化或减少发光元件ld的表面缺陷，以改善寿命和效率。此外，当紧密地设置多个发光元件ld时，绝缘层14可以防止或基本上防止在发光元件ld之间可能发生的不希望的短路。
[0066]
可以不同地改变根据本发明的示例性实施方式的发光元件ld的类型、结构和形状。
[0067]
图2是示意性地示出根据示例性实施方式的显示装置的平面图。
[0068]
参照图1和图2，根据实施方式的显示装置1000可以包括基板sub和设置在基板sub上的多个像素pxl。更详细地，显示装置1000可以包括用于显示图像的显示区域da和除显示区域da之外的非显示区域nda。
[0069]
显示区域da可以是其中设置有用于显示图像的像素pxl的区域。非显示区域nda可以是其中设置有用于驱动显示区域da的像素pxl的驱动器和用于连接像素pxl和驱动器的各种线单元(未示出)的区域。
[0070]
显示区域da可以具有各种形状中的任一种。例如，显示区域da可以设置成各种形状(诸如，包括由直线形成的边的闭合多边形、包括由曲线形成的边的圆形、椭圆形等或者包括由直线和曲线形成的边的半圆形、半椭圆形等)中的任一种。
[0071]
当显示区域da包括多个区域时，每个区域也可以设置成各种形状(诸如，包括由直线形成的边的闭合多边形或者包括由曲线形成的边的半圆形、半椭圆形等)中的任一种。此外，多个区域的面积可以彼此相同或不同。
[0072]
在本发明的示例性实施方式中，将作为示例描述其中显示区域da设置为具有包括直线的边的四边形形状的一个区域的情况。
[0073]
非显示区域nda可以设置在显示区域da的至少一侧处。在本发明的示例性实施方式中，非显示区域nda可以围绕显示区域da。
[0074]
像素pxl可以在基板sub上设置在显示区域da中。像素pxl中的每个可以包括由相应的扫描信号和数据信号驱动的至少一个发光元件ld。
[0075]
像素pxl可以包括发射白光和/或有颜色的光的发光元件(例如，图1中的“ld”)。每个像素pxl可以发射红色光、绿色光和蓝色光中的任一种，但不限于此。例如，每个像素pxl可以发射青色光、品红色光、黄色光和白色光中的任一种。
[0076]
像素pxl可以设置成多个，并且沿着在第一方向dr1上延伸的行和在与第一方向dr1交叉的第二方向dr2上延伸的列以矩阵形式布置。然而，像素pxl的布置形式不受特别限
制，并且可以以各种形式中的任一种来布置。
[0077]
驱动器可以通过线单元(未示出)向每个像素pxl提供信号，从而控制像素pxl的驱动。为了更好地理解和易于描述，在图2中省略了线单元。
[0078]
在实施方式中，驱动器可以包括通过扫描线向像素pxl提供扫描信号的扫描驱动器sdv、通过发射控制线向像素pxl提供发射控制信号的发射驱动器edv、通过数据线向像素pxl提供数据信号的数据驱动器ddv以及时序控制器(未示出)。时序控制器可以控制扫描驱动器sdv、发射驱动器edv和数据驱动器ddv。
[0079]
在示例性实施方式中，每个像素pxl可以由有源像素形成。然而，能够应用于本发明的像素pxl的类型、结构和/或驱动方法不受特别限制。
[0080]
图3a和图3b是各自示出根据示例性实施方式的像素的电路图。特别地，图3a和图3b示出了构成有源类型的发光显示面板的像素pxl的示例。图3a和图3b示出了连接到第j数据线dj(这里，j是大于1的正整数)和第i扫描线si(这里，i是大于1的正整数)的一个像素pxl，以便更好地理解和易于描述。
[0081]
参考图3a，像素pxl可以包括至少一个发光元件ld和与其连接的用于驱动发光元件ld的像素驱动电路dc。
[0082]
发光元件ld的第一电极(例如，阳极)可以经由像素驱动电路dc连接到第一驱动电源vdd，并且发光元件ld的第二电极(例如，阴极)可以连接到第二驱动电源vss。
[0083]
第一驱动电源vdd和第二驱动电源vss可以具有彼此不同的电势。例如，第二驱动电源vss的电势可以比第一驱动电源vdd的电势低发光元件ld的阈值电压或更多。
[0084]
在实施方式中，发光元件ld可以发射具有与由像素驱动电路dc控制的驱动电流对应的亮度的光。
[0085]
图3a示出了其中一个像素pxl中仅包括一个发光元件ld的示例性实施方式，但是本发明不限于此。例如，像素pxl可以包括彼此并联和/或串联连接的多个发光元件ld。
[0086]
根据本发明的示例性实施方式，像素驱动电路dc可以包括第一晶体管m1、第二晶体管m2和存储电容器cst。然而，像素驱动电路dc的结构不限于图3a中所示的示例性实施方式。根据示例性实施方式，像素pxl还可以包括像素感测电路(未示出)。像素感测电路可测量每个像素pxl的驱动电流的值，并且将所测量的值传送到外部电路(例如，时序控制器)以补偿每个像素pxl。
[0087]
第一晶体管m1(即，开关晶体管)的第一电极连接到第j数据线dj，并且其第二电极连接到第一节点n1。这里，第一晶体管m1的第一电极和第二电极可以是彼此不同的电极，并且当第一电极是源电极时，第二电极可以是漏电极。第一晶体管m1的栅电极可以连接到第i扫描线si。
[0088]
当从第i扫描线si提供第一晶体管m1可以导通的电压(例如，栅极导通电压)的扫描信号时，第一晶体管m1可以导通以电连接第j数据线dj和第一节点n1。此时，可以将相应帧的数据信号提供给第j数据线dj，并且因此，可以将数据信号传送给第一节点n1。传送给第一节点n1的数据信号可以存储在存储电容器cst中。
[0089]
第二晶体管m2(即，驱动晶体管)的第一电极可连接到第一驱动电源vdd，并且其第二电极可电连接到发光元件ld的第一电极(例如，阳极)。第二晶体管m2的栅电极可以连接到第一节点n1。第二晶体管m2可以响应于第一节点n1的电压来控制提供给发光元件ld的驱
动电流的量。
[0090]
存储电容器cst的一个电极可以连接到第一驱动电源vdd，并且其另一电极可以连接到第一节点n1。存储电容器cst可以利用与提供给第一节点n1的数据信号对应的电压进行充电，并且保持充电的电压直到下一帧的数据信号被提供。
[0091]
为了更好地理解和易于描述，图3a示出了相对简单的像素驱动电路dc，其包括用于将数据信号传送到像素pxl中的第一晶体管m1、用于存储数据信号的存储电容器cst以及用于将与数据信号对应的驱动电流提供给发光元件ld的第二晶体管m2。
[0092]
然而，本发明不限于此，并且可以不同地改变像素驱动电路dc的结构。例如，像素驱动电路dc还可以包括至少一个晶体管(诸如，用于补偿第二晶体管m2的阈值电压的晶体管、用于初始化第一节点n1的晶体管和/或用于控制发光元件ld的发射时间的晶体管)和/或其它电路元件(诸如，用于升高第一节点n1的电压的升压电容器等)。
[0093]
此外，包括在像素驱动电路dc中的晶体管(例如，第一晶体管m1和第二晶体管m2二者)在图3a中被示为p型晶体管，但是本发明不限于此。例如，包括在像素驱动电路dc中的第一晶体管m1和第二晶体管m2中的至少一个可以是n型晶体管。
[0094]
例如，参考图3b，像素驱动电路dc的第一晶体管m1和第二晶体管m2可以被实现为n型晶体管。除了由于晶体管类型的改变而导致的一些组成元件的连接位置的改变之外，图3b中所示的像素驱动电路dc在配置和/或操作方面类似于图3a中所示的像素驱动电路dc。因此，将省略其进一步的详细描述。
[0095]
图4是示出根据另一示例性实施方式的像素的电路图。为了更好地理解和易于描述，图4示出了连接到第j数据线dj、第i-1扫描线si-1、第i扫描线si和第i+1扫描线si+1的一个像素pxl。
[0096]
参照图4，根据本发明的另一示例性实施方式的像素pxl可以包括发光元件ld、第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7以及存储电容器cst。
[0097]
发光元件ld的第一电极(例如，阳极)可以经由第六晶体管t6连接到第一晶体管t1，并且发光元件ld的第二电极(例如，阴极)可以连接到第二驱动电源vss。发光元件ld可以发射具有与从第一晶体管t1提供的电流量对应的亮度(例如，预定亮度)的光。
[0098]
第一晶体管t1(即，驱动晶体管)的一个电极可以经由第五晶体管t5连接到第一驱动电源vdd，并且其另一电极可以经由第六晶体管t6连接到发光元件ld的第一电极。第一晶体管t1可以响应于与第一晶体管t1的栅电极连接的第一节点n1的电压来控制从第一驱动电源vdd经由发光元件ld流到第二驱动电源vss的电流量。
[0099]
第二晶体管t2(即，开关晶体管)可以连接在第j数据线dj和第一晶体管t1的一个电极之间。第二晶体管t2的栅电极可以连接到第i扫描线si。第二晶体管t2可以在栅极导通电压的扫描信号被提供给第i扫描线si时导通以电连接第j数据线dj和第一晶体管t1的一个电极。
[0100]
第三晶体管t3可以连接在第一晶体管t1的另一电极和第一节点n1之间。第三晶体管t3的栅电极可以连接到第i扫描线si。第三晶体管t3可以在栅极导通电压的扫描信号被提供给第i扫描线si时导通以电连接第一晶体管t1的另一电极和第一节点n1。
[0101]
第四晶体管t4可以连接在第一节点n1和初始化电源vint之间。第四晶体管t4的栅
电极可以连接到第i-1扫描线si-1。第四晶体管t4可以在栅极导通电压的扫描信号被提供给第i-1扫描线si-1时导通以将初始化电源vint的电压提供给第一节点n1。这里，初始化电源vint可以设置成低于数据信号的电压。
[0102]
第五晶体管t5可以连接在第一驱动电源vdd和第一晶体管t1的一个电极之间。第五晶体管t5的栅电极可以连接到第i发射控制线ei。第五晶体管t5可以在栅极导通电压的发射控制信号被提供给第i发射控制线ei时导通，并且可以在其它情况下截止。
[0103]
第六晶体管t6可以连接在第一晶体管t1的另一电极和发光元件ld的第一电极之间。第六晶体管t6的栅电极可以连接到第i发射控制线ei。第六晶体管t6可以在栅极导通电压的发射控制信号被提供给第i发射控制线ei时导通，并且可以在其它情况下截止。
[0104]
第七晶体管t7可以连接在初始化电源vint和发光元件ld的第一电极之间(在图4中，连接在初始化电源vint和与发光元件ld的第一电极连接的第二节点n2之间)。第七晶体管t7的栅电极可以连接到第i+1扫描线si+1。第七晶体管t7可以在栅极导通电压的扫描信号被提供给第i+1扫描线si+1时导通以将初始化电源vint的电压提供给发光元件ld的第一电极(或者第二节点n2)。
[0105]
存储电容器cst可以连接在第一驱动电源vdd和第一节点n1之间。存储电容器cst可存储与数据信号对应的电压和第一晶体管t1的阈值电压。
[0106]
在实施方式中，包括在像素驱动电路dc中的晶体管(例如，第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7)在图4中全部被示出为p型晶体管，但是本发明不限于此。例如，第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7中的至少一个可以是n型晶体管。
[0107]
图5是根据示例性实施方式的像素的平面图；图6是沿着图5的线vi-vi’截取的剖视图；图7是沿着图5的线vii-vii’截取的剖视图；图8是沿着图5的线viii-viii’截取的剖视图；并且图9是沿着图5的线ix-ix’截取的剖视图。
[0108]
为了更好地理解和易于描述，每个电极被简化并在图6至图9中被示出为单电极层，但本发明不限于此。在本发明的实施方式中，“形成和/或设置在相同的层中”可以意指它们在相同的工艺中形成。
[0109]
为了更好地理解和易于描述，在图5中示出了在第一方向dr1上对准的多个发光元件ld，但是发光元件ld的布置不限于此。例如，发光元件ld可以在第一像素电极rel1和第二像素电极rel2之间的倾斜方向上对准。
[0110]
参照图1至图9，根据示例性实施方式的显示装置1000可以包括基板sub、第一堤层bnk1和第二堤层bnk2、第一像素电极rel1和第二像素电极rel2、第一接触电极cne1和第二接触电极cne2、第一绝缘层ins1和第二绝缘层ins2。
[0111]
基板sub可以包括绝缘材料，诸如玻璃、有机聚合物、石英等。在实施方式中，基板sub可以由具有柔性的材料形成以弯曲或折叠，并且可以具有单层结构或多层结构。
[0112]
第一堤层bnk1和第二堤层bnk2可以设置在基板sub上。第一堤层bnk1和第二堤层bnk2之间可以设置有用于设置发光元件ld的空间。在示例性实施方式中，第一堤层bnk1和第二堤层bnk2可以在基板sub上在第一方向dr1上以大于一个发光元件ld的长度隔开。
[0113]
第一堤层bnk1和第二堤层bnk2可以是包括有机材料或无机材料的绝缘材料，但是
第一堤层bnk1和第二堤层bnk2的材料不限于此。
[0114]
在实施方式中，第一堤层bnk1和第二堤层bnk2中的每个可以具有具备以一定角度(例如，预定角度)倾斜的侧的梯形形状。然而，第一堤层bnk1和第二堤层bnk2的形状不限于此，并且可以具有诸如半椭圆形、圆形和四边形的各种形状中的任一种。
[0115]
第一堤层bnk1和第二堤层bnk2中的每个的厚度hb可以比稍后描述的第一绝缘层ins1的第一厚度h1和第二厚度h2厚。因此，发光元件ld可以在第一堤层bnk1和第二堤层bnk2之间设置的空间中稳定地对准。
[0116]
第一像素电极rel1(或第一电极)和第二像素电极rel2(或第二电极)中的每个可以设置在相应的堤层bnk1和bnk2上。例如，第一像素电极rel1可以设置在第一堤层bnk1上，并且第二像素电极rel2可以设置在第二堤层bnk2上。
[0117]
第一像素电极rel1和第二像素电极rel2可以对应于第一堤层bnk1和第二堤层bnk2的形状设置。因此，第一像素电极rel1可以具有与第一堤层bnk1的倾斜度对应的形状，并且第二像素电极rel2可以具有与第二堤层bnk2的倾斜度对应的形状。
[0118]
在实施方式中，第一像素电极rel1和第二像素电极rel2可以在基板sub上设置成在第一方向dr1上彼此间隔开且一个发光元件ld位于它们之间，并且第一像素电极rel1和第二像素电极rel2可以在基板sub上在与第一方向dr1交叉的第二方向dr2上延伸，。
[0119]
在示例性实施方式中，第一像素电极rel1可以设置成与发光元件ld中的每个的第一端部ep1相邻，并且可以通过第一接触电极cne1(或第三电极)与发光元件ld中的每个电连接，并且第二像素电极rel2可以设置成与发光元件ld中的每个的第二端部ep2相邻，并且可以通过第二接触电极cne2(或第四电极)与发光元件ld中的每个电连接。
[0120]
在实施方式中，第一像素电极rel1和第二像素电极rel2可以设置在相同的平面上，并且可以具有相同的高度。当第一像素电极rel1和第二像素电极rel2具有相同的高度时，发光元件ld可以更稳定地连接到第一像素电极rel1和第二像素电极rel2。
[0121]
第一像素电极rel1和第二像素电极rel2可以由导电材料形成。在实施方式中，导电材料可以包括诸如ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、ti的金属以及它们的合金中的任一种。
[0122]
此外，第一像素电极rel1和第二像素电极rel2可以形成为单层，但不限于此，并且可以形成为多层。
[0123]
这里，第一像素电极rel1和第二像素电极rel2的材料不限于以上描述的材料。例如，第一像素电极rel1和第二像素电极rel2可以由具有恒定反射率的导电材料形成，使得从发光元件ld的两个端部ep1和ep2发射的光在沿其显示图像的方向(例如，前方向)上行进。
[0124]
在实施方式中，由于第一像素电极rel1和第二像素电极rel2具有与第一堤层bnk1和第二堤层bnk2的形状对应的形状，所以从发光元件ld中的每个的两个端部ep1和ep2发射的光可以被第一像素电极rel1和第二像素电极rel2反射，以进一步在第三方向dr3上行进。因此，可以改善从发光元件ld中的每个发射的光的发射效率。
[0125]
在示例性实施方式中，第一堤层bnk1和第二堤层bnk2可以用作反射构件，该反射构件与设置在其上的第一像素电极rel1和第二像素电极rel2一起改善从发光元件ld中的每个发射的光的发射效率。
[0126]
第一像素电极rel1和第二像素电极rel2中的一个可以是阳极，并且另一个可以是阴极。在本发明的示例性实施方式中，第一像素电极rel1可以是阳极，并且第二像素电极rel2可以是阴极。
[0127]
为了更好地理解和易于描述，第一像素电极rel1和第二像素电极rel2被示出为直接设置在基板sub上，但不限于此。例如，第一像素电极rel1和第二像素电极rel2与基板sub之间可以进一步设置有用无源矩阵或有源矩阵来驱动显示装置1000的组成元件。
[0128]
第一像素电极rel1可以连接到第一连接线cnl1，并且第二像素电极rel2可以连接到第二连接线cnl2。在实施方式中，第一连接线cnl1可以与第一像素电极rel1整体地设置，并且第二连接线cnl2可以与第二像素电极rel2整体地设置。
[0129]
第一连接线cnl1可以通过第一接触孔ct1电连接到第一电力线(未示出)。第二连接线cnl2可以通过第二接触孔ct2电连接到第二电力线dvl。
[0130]
在实施方式中，第一像素电极rel1上可以设置有第一盖电极cpl1，并且第二像素电极rel2上可以设置有第二盖电极cpl2。
[0131]
第一盖电极cpl1和第二盖电极cpl2中的每个防止或基本上防止在显示装置1000的制造过程期间可能发生的对第一像素电极rel1和第二像素电极rel2的损坏。第一盖电极cpl1和第二盖电极cpl2可以由透明导电材料形成，但不限于此。
[0132]
在实施方式中，第一盖电极cpl1可以直接设置在第一像素电极rel1上以电连接到第一像素电极rel1，并且第二盖电极cpl2可以直接设置在第二像素电极rel2上以电连接到第二像素电极rel2。
[0133]
第一绝缘层ins1可以设置在第一盖电极cpl1和第二盖电极cpl2上。在示例性实施方式中，第一绝缘层ins1可以完全设置在基板sub上，以覆盖以上描述的第一堤层bnk1和第二堤层bnk2、第一像素电极rel1和第二像素电极rel2以及第一盖电极cpl1和第二盖电极cpl2。
[0134]
此外，第一绝缘层ins1可以设置在基板sub和发光元件ld中的每个之间。第一绝缘层ins1可以填充基板sub和发光元件ld之间的空间，并且可以稳定地支撑发光元件ld。
[0135]
在实施方式中，第一绝缘层ins1可以包括由基于光刻胶的有机材料形成的光敏有机层中的一个或多个层，但不限于此。
[0136]
在平面图中，每个像素pxl可以被划分为发光区域ea和堤区域ba。发光区域ea可以是将从发光元件ld发射的光发射到外部的包括发光元件ld的区域，并且堤区域ba可以是设置成围绕发光区域ea以将每个像素pxl的发光区域ea彼此区分开或分开的区域。堤区域ba可以是其中设置有稍后将描述的堤图案bnk3的区域。
[0137]
发光区域ea可以包括第一区域va和第二区域ra。第一区域va可以是其中设置有发光元件ld的区域，并且第二区域ra可以是设置在第一区域va周围的区域以将第一区域va中的发光元件ld对准。换言之，发光元件ld可以通过第二区域ra而在第一区域va中对准。在平面图中，第一区域va和第二区域ra可以通过在与第一像素电极rel1和第二像素电极rel2的延伸方向(例如，第二方向dr2)交叉的方向(例如，第一方向dr1)上延伸来设置。此外，第一区域va和第二区域ra可以在第二方向dr2上交替设置。
[0138]
第一绝缘层ins1可以在每个区域中具有不同的厚度。在这种情况下，第一绝缘层ins1的厚度可以指在第三方向dr3上自基板sub起的叠层的厚度。
[0139]
如图6和图7中所示，第一绝缘层ins1可以在第一区域va中以第一厚度h1设置，并且第一绝缘层ins1可以在第二区域ra中以第二厚度h2设置。
[0140]
如图9中所示，第一绝缘层ins1的设置在第一区域va中的部分的第一厚度h1和第一绝缘层ins1的设置在第二区域ra中的部分的第二厚度h2可以彼此不同。在实施方式中，第一绝缘层ins1的第一厚度h1可以比第一绝缘层ins1的第二厚度h2薄。换言之，第一绝缘层ins1可以在第二方向dr2上具有形成在表面上的不均匀图案。
[0141]
在实施方式中，设置在第一绝缘层ins1上的发光元件ld可以以分散在溶液(例如，预定溶液)中的形式来制备，并且可以通过喷墨印刷方法被提供给每个像素pxl的发光区域ea。例如，发光元件ld可以与挥发性溶剂混合并落入每个发光区域ea中。
[0142]
此时，当通过每个像素pxl的第一像素电极rel1和第二像素电极rel2提供电压(例如，预定电压)时，可以在第一像素电极rel1和第二像素电极rel2之间形成电场，并且然后可以在第一像素电极rel1和第二像素电极rel2之间对准发光元件ld。在将发光元件ld对准之后，可以将溶剂挥发或以其它方式去除，以将发光元件ld稳定地布置在第一像素电极rel1和第二像素电极rel2之间。
[0143]
如以上描述的，当第一绝缘层ins1在发光区域ea的第一区域va和第二区域ra中具有不同的厚度时，以分散在溶液中的形式设置的发光元件ld可以在其中第一绝缘层ins1具有相对低厚度的第一区域va中对准。因此，发光元件ld可以均匀地分布在整个发光区域ea中，而不是仅设置在发光区域ea的一侧上。
[0144]
为了更好地理解和易于描述，虽然在图5至图9中示出了其中发光元件ld不设置在第二区域ra中的结构，但是发光元件ld中的一些可以设置在第二区域ra中。然而，设置在第二区域ra中的发光元件ld的数量可以小于设置在第一区域va中的发光元件ld的数量。
[0145]
在实施方式中，发光区域ea中可以进一步设置有接触区域ca。接触区域ca可以设置成与发光区域ea的一侧相邻。
[0146]
如图8中所示，接触区域ca可以是其中不设置第一绝缘层ins1的区域。换言之，第一盖电极cpl1和第二盖电极cpl2可以在接触区域ca中暴露于外部。
[0147]
在接触区域ca中，第一盖电极cpl1可以接触第一接触电极cne1，并且第一盖电极cpl1可以通过第一接触电极cne1电连接到发光元件ld中的每个的端部(例如，第一端部ep1)。此外，第二盖电极cpl2可以接触第二接触电极cne2，并且第二盖电极cpl2可以通过第二接触电极cne2电连接到发光元件ld中的每个的另一端部(例如，第二端部ep2)。
[0148]
根据示例性实施方式，当不包括第一盖电极cpl1和第二盖电极cpl2时，第一像素电极rel1和第二像素电极rel2可以暴露于外部，第一像素电极rel1可以接触第一接触电极cne1，并且第二像素电极rel2可以接触第二接触电极cne2。
[0149]
在实施方式中，堤图案bnk3可以设置在堤区域ba中。在实施方式中，在平面图中，设置在发光区域ea中的至少一个发光元件ld可以被设置在相应像素pxl中的堤图案bnk3围绕。
[0150]
在实施方式中，如图5中所示，堤图案bnk3可以整体地连接和设置。此外，堤图案bnk3可以通过与第一绝缘层ins1相同的工艺与第一绝缘层ins1并行地(例如，同时地)形成。换言之，堤图案bnk3可以与第一绝缘层ins1整体地形成，并且堤图案bnk3可以包括与第一绝缘层ins1相同的材料。
[0151]
在实施方式中，堤图案bnk3可以类似于第一堤层bnk1和第二堤层bnk2具有朝顶部变窄的梯形剖面，但不限于此。在另一示例中，堤图案bnk3可以具有弯曲表面，该弯曲表面具有诸如朝顶部变窄的半圆形或半椭圆形的剖面。在本发明中，堤图案bnk3的形状和/或倾斜度不受特别限制，并且可以不同地改变。
[0152]
堤图案bnk3的第三厚度h3可以比以上描述的第一绝缘层ins1的第一厚度h1和第二厚度h2厚。此外，堤图案bnk3可以形成得比第一堤层bnk1和第二堤层bnk2厚。
[0153]
堤图案bnk3可以沿着每个像素pxl的边界设置，以防止或基本上防止相邻像素pxl之间的光泄漏。此外，堤图案bnk3可以防止或基本上防止在将发光元件ld在发光区域ea中对准的过程中包括发光元件ld的溶液泄漏到相邻的像素pxl。
[0154]
如上所述，堤图案bnk3可以与第一绝缘层ins1并行地(例如，同时地)形成，从而降低显示装置1000的制造成本和制造时间。
[0155]
第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以设置在第一绝缘层ins1和发光元件ld上。
[0156]
第一接触电极cne1可以覆盖第一像素电极rel1，并且在平面图中可以与第一像素电极rel1重叠。
[0157]
此外，第一接触电极cne1可以与每个发光元件ld的两个端部ep1和ep2中的一个部分地重叠。例如，第一接触电极cne1可以与每个发光元件ld的第一端部ep1部分地重叠。
[0158]
在接触区域ca中，第一接触电极cne1可以电连接到第一盖电极cpl1。由于第一盖电极cpl1电连接到第一像素电极rel1，所以第一接触电极cne1可以连接到第一像素电极rel1。
[0159]
第二接触电极cne2可以覆盖第二像素电极rel2，并且在平面图中可以与第二像素电极rel2重叠。
[0160]
在接触区域ca中，第二接触电极cne2可以电连接到第二盖电极cpl2。由于第二盖电极cpl2电连接到第二像素电极rel2，所以第二接触电极cne2可以连接到第二像素电极rel2。
[0161]
根据示例性实施方式，当省略第二盖电极cpl2时，第二接触电极cne2可以通过其中不设置第一绝缘层ins1的接触区域ca直接连接到第二像素电极rel2。
[0162]
在实施方式中，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2中的每个可以由透明导电材料形成，使得从发光元件ld中的每个发射的光可以在前方向上无损耗地行进。例如，透明导电材料可以包括ito、izo、itzo等。然而，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2的材料不限于以上描述的材料。
[0163]
在本发明的示例性实施方式中，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以设置在相同的平面上。
[0164]
第二绝缘层ins2可以设置在第一接触电极cne1和第二接触电极cne2上。第二绝缘层ins2可以防止或基本上防止第一接触电极cne1和第二接触电极cne2暴露于外部，以防止或基本上防止第一接触电极cne1和第二接触电极cne2腐蚀。
[0165]
第二绝缘层ins2可以用作防止或基本上防止氧气、湿气等渗入到发光元件ld中的封装层。
[0166]
第二绝缘层ins2可包括由无机材料形成的无机绝缘层或由有机材料形成的有机
绝缘层。在实施方式中，第二绝缘层ins2可以形成为如图中所示的单层，但不限于此，并且第二绝缘层ins2可以由多层形成。
[0167]
根据示例性实施方式，第二绝缘层ins2上可以进一步设置有外涂层(未示出)。外涂层可以是平坦化层，其缓解由设置在其下的第一堤层bnk1和第二堤层bnk2、第一像素电极rel1和第二像素电极rel2以及第一接触电极cne1和第二接触电极cne2产生的台阶。此外，外涂层可以用作防止或基本上防止氧气、湿气等渗入到发光元件ld中的封装层。
[0168]
如以上描述的，设置在发光区域ea中的第一绝缘层ins1可以在每个区域中具有不同的厚度。第一绝缘层ins1的设置在第一区域va中的部分的第一厚度h1可以比第一绝缘层ins1的设置在第二区域ra中的部分的第二厚度h2薄，并且第一区域va和第二区域ra可以交替地设置以形成不均匀的图案。
[0169]
发光元件ld可以在第一区域va中对准，在第一区域va中，第一绝缘层ins1相对薄地设置。由于第一绝缘层ins1的厚度不同，发光元件ld可以均匀地分布，而不是仅设置在发光区域ea的一侧上。换言之，在每个像素pxl中，由于第一绝缘层ins1的不均匀图案，可以改善发光元件ld的对准。
[0170]
此外，设置在围绕发光区域ea的堤区域ba中的堤图案bnk3可以与第一绝缘层ins1并行地(例如，同时地)整体形成。因此，可以降低包括第一绝缘层ins1和堤图案bnk3的显示装置1000的制造成本，并且可以减少显示装置1000的制造时间。
[0171]
这里，将描述显示装置1000的另一示例性实施方式。在以下示例性实施方式中，与前述实施方式的部件相同的部件由相同的参考标号表示，并且可以省略或简化其描述。
[0172]
图10是根据另一示例性实施方式的像素的平面图；并且图11是沿着图10的线xi-xi’截取的剖视图。图10和图11的示例性实施方式与图5至图9的示例性实施方式的不同之处在于：第一区域va_1仅设置在设置有发光元件ld的区域中，并且第二区域ra_1设置成围绕第一区域va_1。
[0173]
在实施方式中，沿着图10的线xii-xii’截取的剖视图与作为沿着图5的线vii-vii’截取的剖视图的图7基本上相同，沿着图10的线xiii-xiii’截取的剖视图与作为沿着图5的线viii-viii’截取的剖视图的图8基本上相同，并且沿着图10的线xiv-xiv’截取的剖视图与作为沿着图5的线ix-ix’截取的剖视图的图9基本上相同。因此，省略了其详细描述，并且将主要描述作为沿着图10的线xi-xi’截取的剖视图的图11。
[0174]
参照图5至图11，根据另一示例性实施方式的像素pxl_1可以在平面图中包括发光区域ea_1和堤区域ba，其中，从发光元件ld发射的光在发光区域ea_1中发射，堤区域ba围绕发光区域ea_1的周界。发光区域ea_1可以包括其中设置有发光元件ld的多个第一区域va_1和围绕第一区域va_1的第二区域ra_1。
[0175]
发光区域ea_1中可以设置有包括形成在其表面上的不均匀图案的第一绝缘层ins1_1。第一绝缘层ins1_1可以在第一区域va_1中具有第一厚度h1，并且在第二区域ra_1中具有第二厚度h2(参见图7)。
[0176]
在实施方式中，堤区域ba中可以设置有堤图案bnk3以围绕发光元件ld。堤图案bnk3可以具有比第一厚度h1和第二厚度h2厚的第三厚度h3。在实施方式中，堤图案bnk3可以通过与第一绝缘层ins1_1相同的工艺与第一绝缘层ins1_1并行地(例如，同时地)形成，并且可以包括与第一绝缘层ins1_1相同的材料。
[0177]
在实施方式中，第一绝缘层ins1_1可以连续地设置在发光区域ea_1中，并且还可以设置在第一堤层bnk1和第二堤层bnk2上。第一绝缘层ins1_1的设置在第一堤层bnk1和第二堤层bnk2上的部分可以具有第四厚度h4。在实施方式中，第一绝缘层ins1_1的第一厚度h1可以不同于第四厚度h4。例如，第一绝缘层ins1_1的第四厚度h4可以比第一厚度h1厚。在实施方式中，第四厚度h4可以等于或小于第二厚度h2。
[0178]
图10至图11中所示的示例性实施方式中的第一绝缘层ins1_1可以在第一堤层bnk1和第二堤层bnk2上设置成比图5至图9中所示的示例性实施方式中的第一绝缘层ins1厚。因此，发光元件ld可以容易地设置在第一堤层bnk1和第二堤层bnk2之间，并且可以在像素pxl_1中进一步改善发光元件ld的对准。
[0179]
虽然参考附图描述了本发明的一些示例性实施方式，但是本发明所属技术领域的普通技术人员将理解的是，在不改变技术思想或基本特征的情况下，本发明可以以其它特定形式实现。因此，上述示例性实施方式应该被认为是描述性的，而不是为了限制的目的。