本公开总体上涉及一种传感器装置。特别地，本公开涉及一种具有传感器芯片和汇流排的传感器装置。
背景技术：
：：传感器装置可以包含传感器芯片和汇流排。汇流排可以被设计为引导待测量的电流，而传感器芯片可以被设计为检测由流过汇流排的电流感应出的磁场。在这里，可以以无接触的方式进行传感器芯片和汇流排之间的测量。传感器装置的制造商一直致力于改进其产品。特别地，在这里，值得期望的是，提供良好的传感器性能以及传感器芯片与汇流排之间的可靠绝缘。技术实现要素：多个不同方面涉及一种传感器装置。该传感器装置包括汇流排。传感器装置还包括布置在汇流排上的电介质。传感器装置还包括布置在电介质上的传感器芯片，其中传感器芯片被设计为检测由流过汇流排的电流感应出的磁场。在沿着电介质的整个周缘的区域中，电介质的面向汇流排的面与汇流排间隔开。多个不同方面涉及一种传感器装置。该传感器装置包括引线框架，该引线框架包括第一部分和第二部分，其中第一部分的厚度大于第二部分的厚度。传感器装置还包括由引线框架的第一部分形成的汇流排。传感器装置还包括由引线框架的第二部分形成的连接引线。传感器装置还包括布置在连接引线上的传感器芯片，其中传感器芯片被设计为检测由流过汇流排的电流感应出的磁场。在传感器芯片在汇流排上的正射投影中，传感器芯片至少部分地与汇流排重叠。附图说明在下文中借助附图详细解释根据本公开的传感器装置。在附图中示出的元件并不一定按相对于彼此的正确比例绘制。相同的附图标记可以表示相同的部件。图1示意性地示出了根据本公开的传感器装置100的横截面侧视图。图2示意性地示出了根据本公开的传感器装置200的横截面侧视图。图3示意性地示出了根据本公开的传感器装置300的横截面侧视图。图4示意性地示出了根据本公开的传感器装置400的横截面侧视图。图5示意性地示出了根据本公开的传感器装置500的横截面侧视图。图6示意性地示出了根据本公开的传感器装置600的横截面侧视图。图7示意性地示出了根据本公开的传感器装置700的横截面侧视图。图8示意性地示出了根据本公开的传感器装置800的横截面侧视图。图9示意性地示出了根据本公开的传感器装置900的横截面侧视图。图10示意性地示出了根据本公开的传感器装置1000的横截面侧视图。图11示意性地示出了根据本公开的传感器装置1100的横截面侧视图。图12示意性地示出了根据本公开的传感器装置1200的横截面侧视图。图13示意性地示出了根据本公开的传感器装置1300的横截面侧视图。图14示意性地示出了根据本公开的传感器装置1400的透视图。图15示意性地示出了根据本公开的传感器装置1500的透视图。图16示意性地示出了根据本公开的传感器装置1600的透视图。图17包括图17a至图17c，图17a至图17c示意性地示出了可以包含在根据本公开的传感器装置中的汇流排1700a至1700c的俯视图。图18包括图18a和图18b，图18a和图18b示意性地示出了可以包含在根据本公开的传感器装置中的汇流排1800a和1800b的俯视图。具体实施方式图1示意性地示出了根据本公开的传感器装置100的横截面侧视图。以一般的方式示出传感器装置100，以便定性地描述本公开的各方面。传感器装置100可以具有在图1中为了简单起见而未示出的另外的方面。例如，传感器装置100可以以结合根据本公开的其它传感器装置描述的方面扩展。对于图1的说明同样可以适用于在本文中描述的其它传感器装置。传感器装置100可以具有引线框架(leadframe)，该引线框架具有第一部分2和第二部分4。在引线框架的第一部分2上方可以布置有彼此堆叠的第一电介质6和第二电介质8。在第一电介质6上方可以布置具有一个或多个传感器元件12的传感器芯片10。所提及的部件可以借助于固定材料14彼此固定。传感器芯片10可以通过电连接元件16与引线框架的第二部分4电连接。传感器装置100的部件可以至少部分地被封装材料18封装。引线框架通常可以具有一个或多个裸片焊盘以及一个或多个连接引线(lead)。在开始制造传感器装置时以及在制造传感器装置期间，裸片焊盘和连接引线可以例如通过连接片(verbindungsstege)彼此机械连接。在这里，特别地，裸片焊盘和连接引线可以由一件制成。在制造过程中，可以例如借助于切断连接片来使多个裸片焊盘中的一些裸片焊盘与连接引线彼此分离。在制造传感器封装件(传感器外壳)期间或在传感器封装件(传感器外壳)的制造结束时，特别是在利用封装材料封装待制造的传感器装置的部件之后，可以将裸片焊盘与连接引线分离。该分离可以包括以下各项中的一项或多项：机械地锯开、激光切割、切断、冲压、铣削、蚀刻。根据以上说明，在制造传感器装置100期间，引线框架的第一部分2和第二部分4可以彼此机械连接，但是在已完成制造的传感器装置100中，引线框架的第一部分2和第二部分4可以机械地相互分离。特别地，引线框架可以是导电的。例如，引线框架可以完全由金属和/或金属合金制成，特别是由铜、铜合金、镍、铁镍合金、铝、铝合金、钢、不锈钢制成。引线框架的第一部分2可以形成汇流排2，该汇流排2可以被设计为引导待测量的电流。特别地，第一部分或汇流排2可以一件式地构造。引线框架的第二部分4可以形成连接引线4。在图1的示例中，仅示出了一个连接引线4。在其它示例中，引线框架可以具有任何数目的其它连接引线4。汇流排2的厚度d1可以大于连接引线4的厚度d2。在一个示例中，引线框架可以是双规引线框架(dualgaugeleiterrahmen)。在另一示例中，引线框架可以包括具有不同厚度的两个引线框架。传感器芯片10或传感器元件12可以被设计为检测由流过汇流排2的电流感应出的磁场。基于所检测到的磁场或所感应出的磁场的所检测到的磁通密度，可以确定电流的强度。在这里，特别地，可以以电气隔离的方式或以无接触的方式检测所感应出的磁场。在这里，在传感器芯片10或传感器元件12的沿着y方向在汇流排2上的正射投影中，传感器芯片10或传感器元件12可以至少部分地与汇流排2重叠。由传感器芯片10检测到的物理信号可以被转换成电信号以便进一步处理，并且可以通过电连接元件16和连接引线4传输给另外的部件(未示出)，以便进一步处理或评估。在图1的示例中，电连接元件16可以是导线。在另外的示例中，电连接元件可以通过带(ribbon)或夹子形成。在图1的示例中，仅示出了传感器芯片10的一个传感器元件12。在另外的示例中，传感器芯片10可以具有一个或多个其它传感器元件。例如，传感器芯片10可以是具有两个传感器元件的差分磁场传感器芯片。传感器元件12例如可以是霍尔传感器元件、磁阻传感器元件、垂直霍尔传感器元件或磁通门传感器元件。磁阻xmr传感器元件可以被设计为amr传感器元件、gmr传感器元件或tmr传感器元件的形式。在图1的示例中，传感器元件12可以被布置在传感器芯片10的背离汇流排2的一侧上。在另一示例中，传感器元件12可以被布置在传感器芯片10的面向汇流排2的一侧上。在图1的示例中，电介质6、8可以彼此机械连接，并且形成共同的电介质。在沿着电介质6、8的整个周缘的区域中，(共同的)电介质6、8的面向汇流排2的面50可以与汇流排2间隔开。换句话说，在图1中，第一电介质6可以在沿第一电介质的在(负的)y方向上观察的整个周缘的区域中伸出或突出超过第二电介质8。通过这种方式可以提供底座(podest)，传感器芯片10可以被布置在该底座上。在这里，在垂直于y方向的平面中，电介质6可以比传感器芯片10和电介质8范围大。在图1的示例中，可以通过布置在汇流2与第一电介质6之间的第二电介质8来提供第一电介质6与汇流排2之间的间隔。在传感器芯片10与汇流排2之间产生的距离d3可以位于具有上限和下限的范围中。该范围的下限可以是约5微米或约10微米或约15微米或约20微米或约30微米或约40微米。该范围的上限可以是约2毫米或约1.5毫米或约1毫米或约500微米或约200微米或约100微米。在y方向上，电介质6、8可以具有基本上相同的或不同的厚度。在这里，电介质6、8的厚度沿着x方向可以是基本上恒定的。在(负的)y方向上观察，第二电介质8的轮廓或外形可以(特别是完全地)在第一电介质6的轮廓之内。类似地，在(负的)y方向上观察，传感器芯片10的轮廓或外形可以(特别是完全地)在第一电介质6的轮廓之内。电介质6、8的轮廓分别可以具有任何形状，例如圆形、卵形、椭圆形、正方形、矩形、多边形。电介质6、8可以分别包括以下材料中的一种材料：陶瓷、玻璃、硅酮基材料、聚合物基材料。在这里，电介质6、8可以由相同的或不同的材料制成。在一个特定示例中，电介质6、8中的一个或两个电介质可以被设计为由电介质材料制成的小板的形式。汇流排2与传感器芯片12的导电区域之间的爬电距离可以沿着电介质6、8的表面延伸。爬电距离可以定义为沿着固体电绝缘材料表面在两个导电部分之间的最短距离。当然，传感器装置100的爬电距离还可以取决于电介质6、8的形状和尺寸。例如，爬电距离可以沿着如在图1中示例性地以虚线形式示出的路径延伸。通过根据本公开的电介质6、8的形状，并且特别是通过汇流排2与电介质6、8之间的绕电介质6、8的整个周缘得到的间隔，可以增大传感器装置100的爬电距离。通过这种方式，可以改进传感器装置100相对于例如可能会出现的漏电流的鲁棒性。还可以在汇流排2与传感器芯片10之间提供提高的电气隔离。通过这种方式，可以避免或至少降低传感器装置100的可能的运行失效的风险。在(正的)y方向上观察，传感器芯片10的轮廓可以(特别是完全地)在第一电介质6的轮廓之内。通过这种相对布置，同样可以增大汇流排2与传感器芯片10之间的爬电距离。在另一示例中，还可以通过导电元件替代电介质8。通过这种方式，不必失去汇流排2与传感器芯片10之间的电气隔离，并且始终可以通过电介质6提供汇流排2与传感器芯片10之间的电气隔离。特别地，可以根据元件8的电导率对磁测量的质量的影响来选择元件8的电导率。固定材料14例如可以分别包括以下各项中的一项或多项：碳填充的daf(晶片黏结薄膜，dieattachfilm)、碳填充的粘合剂、弱导电的玻璃焊料(glaslot)、不导电的daf、不导电的粘合剂、(特别是未填充银的)导电粘合剂。固定材料14的布置在传感器装置100的相应部件之间的各个部分可以由相同的或不同的材料构成。在图1中以定性的方式通过虚线示出了传感器装置100的封装材料18。在图14至图16中示出了根据本公开的具有外壳的传感器装置的示例性的透视图。封装材料18可以封装传感器装置100的一个或多个部件。在这里，汇流排2和连接引线4可以至少部分地从封装材料18中伸出，以便可以从封装材料18的外部接触汇流排2和连接引线4。特别地，封装材料18可以被布置在电介质6、8与汇流排2之间的间隔内，并且在这里，提供或提高汇流排2与传感器芯片10之间的电绝缘。特别地，封装材料18可以一件式地构造。封装材料18可以包括以下各项中的至少一项：模塑化合物(moldverbindung)、层压材料、环氧树脂、被填充的环氧树脂、玻璃纤维填充的环氧树脂、酰亚胺、热塑性塑料、热固性聚合物、聚合物混合物。特别地，传感器装置100可以是无芯(kernlos)的传感器装置，即，传感器装置100可以不具有或者不使用磁场集中器(magnetischerfeldkonzentrator)，该磁场集中器用于集中由测量电流感应出的磁场。图2至图7示意性地示出了根据本公开的传感器装置200至700的横截面侧视图。传感器装置200至700可以至少部分地与图1的传感器装置100类似，使得对于图1的说明也可以适用于图2至图7中的每个附图。在图2的示例中，电介质6与汇流排2之间的已经结合图1讨论的间隔还可以通过电介质6的形状或造型(formung)来提供。通过造型，电介质6可以具有不同的厚度d4和d5。在这里，不同厚度的部分之间的过渡部例如可以具有台阶的形状。电介质6可以一件式地构造。在一个示例中，电介质可以是被造型的或结构化的玻璃小板。在另外的示例中，电介质6可以由已经结合图1所提及的材料中的一种材料制成。在图3的示例中，可以通过汇流排2的曲形(krümmung)或造型或形状提供电介质6与汇流排2之间的间隔。汇流排2可以具有两个部分或部段20a、20b，这两个部段20a、20b可以相对于y方向位于不同的水平n1和n2上。电介质6可以相对于汇流排2的两个部段20a、20b被布置为使得在电介质6与汇流排2之间产生间隔。在图3的示例中，汇流排2的将两个位于不同水平上的部段20a、20b相连接的部段20c可以与这两个部段20a、20b形成角度α。当然，角度α的值可以取决于汇流排2与电介质6之间所期望的间隔。例如，角度α可以具有在约10度至约90度之间的值。汇流排2的曲形可以通过任何过程提供，例如通过弯曲、冲压、压铸中的一种或多种过程来提供。在这里，特别地，汇流排2可以一件式地构造。在图4的示例中，汇流排2可以具有第一部段20a和第二部段20b，其中第一部段20a可以与电介质6相连接，并且第二部段20b相对于电介质6可以具有距离d6。汇流排2的第一部段20a可以形成基座20a(或底座或支柱)。可以通过布置在汇流排2上的基座20a提供电介质6与汇流排2之间的间隔，其中电介质6可以与基座20a机械连接。基座20a可以通过任何适当的过程构造，例如通过弯曲、冲压、压铸中的一种或多种过程来构造。在这里，特别地，汇流排2可以一件式地构造。在y方向上观察时，基座20a可以具有任何形状，例如圆形、卵形、椭圆形、正方形、矩形、多边形。在图5的示例中，可以通过汇流排2中的一个或多个凹部22(或孔或空腔或凹槽)来提供电介质6与汇流排2之间的间隔。电介质6可以相对于凹部22被布置为使得在电介质6与汇流排2之间产生根据本公开的间隔。在图5的侧视图中和/或在y方向上观察，凹部22可以具有任何形状，例如圆形、卵形、椭圆形、正方形、矩形、多边形。汇流排2中的凹部22可以通过任何适当的过程提供，例如通过冲压、压铸、蚀刻中的一种或多种过程来提供。在这里，特别地，汇流排2可以一件式地构造。与图5类似地，在图6的示例中，可以通过在汇流排2中的一个或多个凹部22来提供电介质与汇流排2之间的间隔。在另外的示例中，还可以通过结合上面的附图所描述的其它方式来提供该间隔。在图6的示例中，可以以可布设模制型引线框架(routablemoldedleadframe，rt-mlf)24的形式构造电介质。rt-mlf24例如可以具有在x方向上延伸的一个或多个电绝缘层压层，以及在y方向上延伸穿过层压层的导电过孔连接。在图6中，示例性地示出了rt-mlf24的电绝缘部段24a和导电部段24b。rt-mlf24可以具有任何数目的另外的电绝缘部段或导电部段，为了简单起见，在图6中未示出这些部段。rt-mlf24的电绝缘部段24a可以没有导电结构(例如，过孔连接)，并且可以提供汇流排2与传感器芯片10之间的电气隔离。传感器芯片10可以通过第一电连接元件16a，通过导电部段24b并且通过第二电连接元件16b与连接引线4电连接。通过这种方式，可以在x方向上的较大距离上提供传感器芯片10与连接引线4之间的布线。图7的传感器装置700可以至少部分地与图6的传感器装置600类似。与图6相比，图7中的电介质可以通过基板(substrat)26(或电路板)构造。与图6的rt-mlf24类似地，图7的基板26可以具有一个或多个电绝缘部段26a或导电部段26b。特别地，基板26可以在基板26的上侧和/或下侧上具有重新布线结构(umverdrahtungsstruktur)。可以以与图6类似的方式提供传感器芯片10与连接引线4之间的重新布线。图8示意性地示出了根据本公开的传感器装置800的横截面侧视图。以一般的方式示出传感器装置800，以便定性地描述本公开的各方面。传感器装置800可以具有在图8中为了简单起见而未示出的另外的方面。例如，传感器装置800可以以结合根据本公开的其它传感器装置描述的方面扩展。对于图8的说明同样可以适用于在本文中描述的其它传感器装置。传感器装置800可以具有引线框架(leadframe)，该引线框架具有第一部分2和第二部分4。在第二部分4上方可以布置有具有一个或多个传感器元件12的传感器芯片10。传感器芯片10可以通过固定材料14固定在引线框架的第二部分4上。在图8的示例中，固定材料14可以被布置在传感器芯片10的下侧的整个表面上。在另外的示例中，固定材料不必沉积在整个表面上，而是例如可以仅被布置在传感器芯片10与引线框架的第二部分4的接触面之间。传感器芯片10可以通过一个或多个电连接元件16与引线框架的第二部分4电连接。传感器装置800的一个或多个部件可以至少部分地被封装材料18封装。传感器装置800的部件可以类似于根据本公开的以上所描述的传感器装置的对应部件。因此，例如，对于图1的传感器装置100的部件的说明也适用于图8的传感器装置800的部件。引线框架的第一部分2可以形成汇流排2，特别地，该汇流排2可以一件式地构造。引线框架的第二部分4可以形成一个或多个连接引线4。汇流排2的厚度d1可以大于连接引线4的厚度d2。引线框架例如可以是双规引线框架。传感器芯片10或传感器元件12可以被设计为检测由流过汇流排2的电流感应出的磁场。在这里，在传感器芯片10或传感器元件12的沿着y方向在汇流排2上的正射投影中，传感器芯片10或传感器元件12可以至少部分地与汇流排2重叠。例如，特别是在gmr传感器元件的情况下，可以使用传感器元件12相对于汇流排2的如在图8中示例性地示出的布置。在另一示例中，传感器元件12可以是霍尔传感器元件，特别地，该霍尔传感器元件可以被布置为较靠近汇流排2的棱边。在这里，传感器元件12和汇流排2可以仅部分重叠，或者还可以完全不重叠。在图8的示例中，传感器芯片10可以被布置在连接引线4的远离汇流排2的面上。传感器芯片10与汇流排2之间的距离d3可以在具有上限和下限的范围中。该范围的下限可以是约5微米或约10微米或约15微米或约20微米或约30微米或约40微米。该范围的上限可以是约2毫米或约1.5毫米或约1毫米或约500微米或约200微米或约100微米。传感器芯片10可以仅通过其下侧的部分部段布置在连接引线4上，而下侧的另一部段可以伸出超过连接引线4。特别地，传感器元件12可以被布置在传感器芯片10的该突出区域中。传感器芯片10可以被布置在连接引线4上，使得在y方向上观察，传感器元件12被布置在汇流排2上方。连接引线4可以是曲形的或弯曲的，使得传感器元件12可以以所描述的方式被布置在汇流排2上方。在图8的示例中，连接引线4可以具有两个部段，这两个部段在y方向上可以位于不同的水平上。备选地或附加地，在另一示例中，汇流排2和连接引线4可以被布置为在y方向上彼此错开。通过传感器芯片10在连接引线4上的所描述的布置，可以将传感器元件12精确且无接触地放置在由流过汇流排2的测量电流产生的磁场中。通过传感器芯片10的突出部段，还可以增大连接引线4与传感器芯片10的导电部分之间的爬电距离。此外，通过汇流排2与传感器芯片10之间的间隔d3以及布置在该间隔中的封装材料18，可以在汇流排2与传感器芯片10之间提供可靠的电气隔离。特别地，传感器装置800的封装材料18可以一件式地构造。特别地，传感器装置800可以是无芯的传感器装置，即，传感器装置800可以不具有或者不使用磁场集中器，该磁场集中器用于集中由测量电流感应出的磁场。图9至图13示意性地示出了根据本公开的传感器装置900至1300的横截面侧视图。传感器装置900至1300可以至少部分地与图8的传感器装置800类似，使得对于图8的说明也可以适用于图9至图13中的每个附图。在图9的示例中，传感器芯片10可以被布置在连接引线4的面向汇流排2的面上。与图8相比，可以通过这种布置来提供汇流排2与传感器芯片10或传感器元件12之间的更小的距离。所示出的将传感器芯片10布置在薄的连接引线4与厚的汇流排2之间的布置方案可以被视为特殊的。与此相反，传感器芯片10、连接引线4与汇流排2的如在图8中示出的相对布置可以被视为组件的标准变型。在图9的示例中，传感器元件12可以面向汇流排2。在另外的示例中，传感器元件12可以面向连接引线4。在图10的示例中，传感器封装件(传感器外壳)28被布置在连接引线4上。传感器封装件29例如可以是晶片级封装，例如ewlb(嵌入式晶片级球栅阵列，embeddedwaferlevelballgridarray)封装。传感器封装件28可以具有第二封装材料30，可以通过该第二封装材料30封装传感器芯片10。汇流排2和/或连接引线4可以特别是完全地被布置在第二封装材料30之外。第二封装材料30例如可以包括以下各项中的至少一项：模塑化合物、层压材料、环氧树脂、被填充的环氧树脂、玻璃纤维填充的环氧树脂、酰亚胺、热塑性塑料、热固性聚合物、聚合物混合物。封装材料18和30的材料可以是相同的或者彼此不同的。特别地，封装材料18和30可以在不同的封装过程中制造，或者可以在时间上错开地进行的封装过程中制造。传感器封装件28或传感器芯片10例如可以通过焊料连接(lotverbindung)38与连接引线4电连接。传感器封装件28可以具有重新布线层32。重新布线层32可以包含呈金属层或金属迹线(metallbahnen)形式的一个或多个导体迹线(leiterbahnen)34。在多个导体迹线34之间可以布置有多个电介质层36，以使导体迹线34相互电绝缘。此外，布置在不同平面上的金属层34可以通过多个通孔(或者过孔)彼此电连接。重新布线层32的导体迹线34可以提供重新布线或再分配(umverteilung)的功能，以便将传感器芯片10的端子与传感器封装件28的外部端子电耦合。在图11的示例中，传感器封装件28可以通过固定材料14固定在汇流排2上。传感器封装件28例如可以是sso(窄间距小外型，shrinksmalloutline)封装。传感器封装件28可以包括具有裸片焊盘40和连接引线4的引线框架。传感器芯片10可以通过固定材料14固定在裸片焊盘40上。传感器芯片10可以通过电连接元件16与连接引线4电连接。裸片焊盘40、传感器芯片10和连接引线4可以被传感器封装件28的封装材料30封装。在这里，连接引线4可以从封装材料30中伸出，以便使得能够从封装材料30的外部电接触传感器芯片10。在图11的示例中，可以使连接引线4向下弯曲，例如以用于将传感器装置1100装配在电路板或印刷电路板(未示出)上。汇流排2可以特别是完全地被布置在传感器封装件28的第二封装材料30之外。传感器封装件28和汇流排2可以通过另一封装材料18封装，特别地，该另一封装材料18可以一件式地构造。在这里，连接引线4和汇流排2可以从该另一封装材料18中伸出，以便能够从该另一封装材料18的外部电接触连接引线4和汇流排2。图12的传感器装置1200可以至少部分地类似于图11的传感器装置1100。与图11相比，传感器封装件28与汇流排2间隔开。可以在汇流排2与传感器封装件28之间的区域中布置封装材料18。此外，在图12的示例中，从封装材料18中伸出的连接引线4a被设计为翼形的(gullwing)。连接引线4a可以焊接到另一连接引线4b上，该另一连接引线4b可以基本上在x方向上延伸。图13的传感器装置1300可以至少部分地与图12的传感器装置1200类似。除了布置在汇流排2上方的传感器封装件28a之外，还可以在汇流排2下方布置另一传感器封装件28b。在图13中，可以以镜像相反(spiegelverkehrt)的方式构造示例性地具有相同部件的传感器封装件28a、28b。在一个示例中，传感器封装件28a、28b的传感器芯片10a、10b可以是基于相同传感器技术的冗余传感器芯片。在另一示例中，传感器芯片可以基于不同的传感器技术，并且从而提供传感器测量的多样性。从传感器封装件28a和28b的相应封装材料30a和30b伸出的并且从另一封装材料18中伸出的连接引线4a和4b可以焊接到另一连接引线4c上，该另一连接引线4c可以基本上在x方向上延伸。图14至图16示意性地示出了根据本公开的传感器装置或传感器封装件1400至1600的透视图。传感器装置1400至1600可以至少部分地类似于以上所描述的传感器装置中的每个传感器装置。对于以上附图的说明也适用于图14至图16中的每个附图。图14示出了具有封装材料18的传感器封装件1400，该封装材料18可以形成外壳体。在封装材料18中可以布置有如结合以上附图所描述的部件。汇流排2和多个连接引线4可以从封装材料18中伸出。汇流排2例如可以被设计为u形的，并且基本上平面地或在平面中延伸。汇流排2的两个端部件44a、44b可以从封装材料18的一个侧面42a中伸出，并且形成用于待测量电流的输入端子和输出端子。汇流排2还可以至少部分地从封装材料18的相对的侧面42b、42d中伸出。连接引线4可以从封装材料18的一个侧面42c中伸出，并且被设计为基本上直线的。在图14中，示例性地示出了五个连接引线4。连接引线4的数目可以取决于相应的应用，并且在另外的示例中可以不同于图14的示例。图15的传感器封装件1500可以与图14的传感器封装件1400类似。与图14相比，连接引线4和汇流排2的端部件44a、44b在图15中向下弯曲。例如，传感器封装件1500可以通过弯曲的连接引线4和弯曲的端部件44a、44b与布置在传感器封装件1500下方的电路板(未示出)机械地且电气地连接。图16的传感器封装件1600可以与图15的传感器封装件1500类似。与图15相比，汇流排2的端部件44a、44b中的一个或两个端部件可以被设计为梳状的，并且由于梳状结构而形成多个端子46。在图16中，示例性地示出了四个端子46。端子46的数目可以取决于相应的应用，并且在另外的示例中可以是不同的。图17和图18示意性地示出了汇流排的俯视图，该汇流排可以包含在根据本公开的以上所描述的传感器装置中。图17a示出了汇流排1700a和布置在该汇流排1700a上方的传感器芯片10，该传感器芯片10具有两个传感器元件12a、12b。传感器芯片10特别地可以是差分传感器芯片，并且传感器元件12a、12b特别地可以是霍尔传感器元件。图17a的示例中的汇流排1700a可以具有两个切口(einkerbungen)48a、48b，使得在图17a的俯视图中，汇流排可以基本上形成s形。在另外的示例中，汇流排可以具有其它数目的切口。因此，例如从左向右流过图17a的汇流排1700a的测量电流可以具有基本上s形的走向，并且在这里，该测量电流逆时针地环绕左侧的传感器元件12a并且顺时针地环绕右侧的传感器元件12b。通过测量电流的这种走向，该测量电流可以在传感器元件12a、12b的位置处产生具有相反方向的差分磁场，基于该差分磁场可以检测或确定测量电流。在图17a的俯视图中，汇流排1700a(或测量电流的电流走向)可以分别与传感器元件12a、12b(至少部分地)无重叠。通过这种方式可以确保，在传感器元件12a、12b的位置处感应出的磁场具有垂直于相应的霍尔传感器元件的分量。在一个示例中，汇流排1700a可以分别与传感器元件12a、12b完全无重叠。在另一示例中，汇流排1700a可以分别与传感器元件12a、12b小部分地重叠。在这里，汇流排1700a与传感器元件12a、12b可以至少80％或至少85％或至少90％或至少95％地无重叠。与图17a类似地，图17b的汇流排1700b可以与霍尔传感器元件结合在一起使用。与图17a相比，在图17b的示例中，切口48a和48b不必以在侧向上彼此错开的方式布置，而是可以彼此对准。传感器芯片的传感器元件和汇流排1700b可以以(至少部分地)无重叠的方式布置。在一个示例中，传感器芯片可以具有两个霍尔传感器元件，这两个霍尔传感器元件可以被布置在切口48a、48b的内端部处。在这里，穿过汇流排1700b的测量电流例如从左下方穿过传感器元件或切口48a、48b之间向右上方走向。图17c的汇流排1700c可以具有单个切口48，并且与霍尔传感器元件结合在一起使用。传感器元件例如可以被布置在切口48的内端部处。例如，测量电流可以从左上方围绕切口48向右上方走向。图18a示出了汇流排1800a和布置在汇流排上方的传感器芯片10，该传感器芯片10具有两个传感器元件12a、12b。传感器芯片10特别地可以是差分传感器芯片，并且传感器元件12a、12b特别地可以是磁阻传感器元件或垂直霍尔传感器元件或磁通门传感器元件。例如，传感器元件12a、12b可以是磁阻xmr传感器元件，特别是amr传感器元件、gmr传感器元件或tmr传感器元件。在图18a的示例中，汇流排1800a可以具有三个切口48a至48c，使得在图18a的俯视图中，汇流排1800a和测量电流走向可以基本上形成蛇形。在另外的示例中，汇流排可以具有其它数目的切口。由于图18a的所提及的传感器元件类型可以特别地相对于“平面内(in-plane)”磁场分量是灵敏的，传感器元件12a、12b可以与汇流排1800a或测量电流走向对准。换句话说，传感器元件12a、12b可以直接布置在汇流排1800a的走向或测量电流的走向上。也就是说，在图18a的俯视图中，汇流排1800a可以分别与传感器元件12a、12b(特别是完全地)重叠。与图18a类似地，图18b的汇流排1800b可以与xmr传感器元件结合在一起使用。在这里，传感器元件可以被布置在切口48处，其中汇流排1800b可以与传感器元件(特别是完全地)重叠。应当说明的是，在本文中所描述的根据本公开的示例可以以任何方式相互组合。例如，可以通过将第二电介质8(参见图1)与汇流排2中的凹部22(参见图5)组合在一起使用来提供电介质6与汇流排2(参见图1至图7)之间的间隔。在另一示例中，汇流排2可以是曲形的(见图3)，并且附加地具有凹部22(参见图5)。为了简单起见，在本文中没有详细说明根据本公开所描述的方面的所有可能的组合。示例在下文中借助示例解释传感器装置。示例1是一种传感器装置，包括：汇流排；布置在汇流排上的电介质；以及布置在电介质上的传感器芯片，其中传感器芯片被设计为检测由流过汇流排的电流感应出的磁场，其中在沿着电介质的整个周缘的区域中，电介质的面向汇流排的面与汇流排间隔开。示例2是根据示例1的传感器装置，其中汇流排包括第一部段和第二部段，其中第一部段与电介质相连接，并且第二部段相对于电介质具有距离。示例3是根据示例1或2的传感器装置，其中汇流排一件式地构造。示例4是根据上述示例中任一个示例的传感器装置，其中通过汇流排中的凹部来提供电介质与汇流排之间的间隔。示例5是根据上述示例中任一个示例的传感器装置，其中通过布置在汇流排上的基座来提供电介质与汇流排之间的间隔，其中电介质与基座机械连接。示例6是根据上述示例中任一个示例的传感器装置，其中通过汇流排的曲形来提供电介质与汇流排之间的间隔。示例7是根据上述示例中任一个示例的传感器装置，其中通过布置在汇流排与电介质之间的另一电介质来提供电介质与汇流排之间的间隔。示例8是根据上述示例中任一个示例的传感器装置，其中通过电介质的造型提供电介质与汇流排之间的间隔，使得电介质具有不同厚度。示例9是根据上述示例中任一个示例的传感器装置，其中传感器芯片与汇流排之间的距离在5微米至2毫米的范围中。示例10是根据上述示例中任一个示例的传感器装置，还包括：一件式地构造的封装材料，其中汇流排、电介质和传感器芯片被封装材料封装。示例11是根据示例10的传感器装置，其中封装材料被布置在电介质与汇流排之间的间隔内。示例12是根据上述示例中任一个示例的传感器装置，还包括：引线框架，该引线框架包括第一部分和第二部分，其中第一部分的厚度大于第二部分的厚度，其中汇流排由引线框架的第一部分形成，并且其中引线框架的第二部分形成与传感器芯片电连接的连接引线。示例13是根据上述示例中任一个示例的传感器装置，其中传感器装置不具有磁场集中器。示例14是根据上述示例中任一个示例的传感器装置，其中电介质包括以下材料中的至少一种材料：陶瓷、玻璃、硅酮基材料、聚合物基材料。示例15是一种传感器装置，包括：引线框架，该引线框架包括第一部分和第二部分，其中第一部分的厚度大于第二部分的厚度；由引线框架的第一部分形成的汇流排；由引线框架的第二部分形成的连接引线；以及布置在连接引线上的传感器芯片，其中传感器芯片被设计为检测由流过汇流排的电流感应出的磁场，其中在传感器芯片在汇流排上的正射投影中，传感器芯片至少部分地与汇流排重叠。示例16是根据示例15的传感器装置，还包括：一件式地构造的封装材料，其中汇流排、连接引线和传感器芯片被该封装材料封装，并且封装材料被布置在汇流排与传感器芯片之间。示例17是根据示例15或16的传感器装置，还包括：另一封装材料，其中传感器芯片被该另一封装材料封装，并且汇流排被布置在该另一封装材料之外。示例18是根据示例15至17中任一个示例的传感器装置，其中传感器芯片被布置在连接引线的远离汇流排的面上。示例19是根据示例15至17中任一个示例的传感器装置，其中传感器芯片被布置在连接引线的面向汇流排的面上。示例20是根据示例15至19中任一个示例的传感器装置，其中传感器芯片与汇流排之间的距离在5微米至2毫米的范围中。尽管在本文中示出和说明了特定实施方式，但是对于本领域普通技术人员而言显而易见的是，多个备选的和/或等效的实施方式可以代替所示出的和所说明的特定实施方式，而不脱离本公开的范围。本申请旨在覆盖在本文中所讨论的特定实施方式的所有修改或变型。因此，本公开仅由权利要求和权利要求的等同物限制。当前第1页12当前第1页12