技术特征：
1.一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：用湿化学溶液清洗硅片，去除表面的油污、金属颗粒以及其他杂质；硅片表面沉积一层n型非晶或微晶硅氧薄膜并进行一系列退火处理；将处理后的硅片进行表面清洗，并去除表面非晶或微晶硅氧薄膜；将处理过的硅片进行表面制绒；将制绒后的硅片进行氢处理；将处理后的硅片进行非晶硅或微晶层镀膜，形成有效的pn结发射层和背电场；在硅片薄膜层的正反面分别生成透明导电膜层；在硅片正反面的透明导电膜层上形成栅线电极，完成异质结电池片的制作流程。2.根据权利要求1所述一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述硅片表面沉积一层n型非晶或微晶硅氧薄膜的薄膜沉积方式采用pecvd、hot wire cvd、lpcvd等cvd设备，n型非晶或微晶硅氧薄膜厚度为30-50nm。3.根据权利要求1所述一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述退火处理采用高温退火方式进行，退火过程包含了升温、恒温、降温过程，退火温度可以为600-1100℃之间。4.根据权利要求1所述一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述将处理后的硅片进行表面清洗，用溶剂去除表面非晶或微晶硅氧薄膜，所用溶剂为hf酸、盐酸、硝酸、过氧化氢、氢氧化钠、氢氧化钾、boe的一种或多种组合。5.根据权利要求1所述一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述氢处理为在硅片两面都沉积氮化硅薄膜，然后再进行高温退火，氮化硅厚度在之间，退火温度控制在300-800℃之间，时间为60-600s之间。6.根据权利要求1所述一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述氢处理还可以采用通过在pecvd中通入氢气进行辉光处理，氢气流量为0.5-20l，气压为50-500pa，功率为100-1000w，温度为150-250℃之间，处理时间控制在0.5-10min。7.根据权利要求1所述一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述氢处理还可以采用lpcvd中通入氢气和氨气混合气体进行高温处理，所通入的氢气和氨气比例不做限定，气压为1000-10000pa，温度为300-800℃，处理时间为10-20min。8.根据权利要求1所述一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述将处理后的硅片进行非晶硅或微晶层镀膜，贴近硅片衬底的膜层为本征性非晶硅膜层，在硅片的一面本征性膜层之上覆盖n型掺杂的非晶硅或微晶硅膜层，在硅片的另外一面本征性膜层之上覆盖p型掺杂的非晶硅或微晶硅膜层；可以是含p型掺杂膜层的一侧为受光面，也可以是含n型掺杂膜层的一侧为受光面。9.根据权利要求1所述一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述沉积的透明导电膜层为含一种或多种不同金属掺杂的氧化铟膜层，如ito、iwo、itio；或者含一种或多种不同金属掺杂的氧化锌膜层，如azo、gzo、izo。10.根据权利要求1所述一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述透明导电膜层上形成栅线电极才采用印刷银浆或电镀铜方式。
技术总结
本发明公开了一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法，所述方法包括如下步骤：用湿化学溶液清洗硅片，去除表面的油污、金属颗粒以及其他杂质；硅片表面沉积一层N型非晶或微晶硅氧薄膜并进行一系列退火处理；进行表面清洗，并去除表面非晶或微晶硅氧薄膜；进行表面制绒；进行氢处理；进行非晶硅或微晶层镀膜，形成有效的PN结发射层和背电场；在硅片薄膜层的正反面分别生成透明导电膜层；在硅片正反面的透明导电膜层上形成栅线电极，完成制作流程。本发明中进行退火处理，有利于钝化晶界和提升少子寿命，将体硅中晶粒位错进行重整，减少晶格缺陷，并进行氢处理，利用H原子进一步修复晶格缺陷，提高后续的钝化水平。提高后续的钝化水平。提高后续的钝化水平。
技术研发人员：许志
受保护的技术使用者：福建新峰二维材料科技有限公司
技术研发日：2020.10.21
技术公布日：2022/4/22