技术特征：
1.一种功率芯片堆叠封装结构，其特征在于，包括依次堆叠以形成堆叠结构的金属片(10)、第一芯片(20)、引线框架和第二芯片(40)，以及包封所述堆叠结构的封装体(70)；所述引线框架包括基岛(31)、与所述基岛(31)电连接的第一管脚(32)、以及与所述基岛(31)绝缘的第二管脚(33)；所述第一芯片(20)相对的两面设有第一电极和第二电极，所述第二芯片(40)相对的两面设有第三电极和第四电极；所述金属片(10)的背面与所述第一电极、所述第二电极与所述基岛(31)的正面、所述基岛(31)的背面与所述第三电极分别通过导电结合层(61)结合；所述第四电极与所述第二管脚(33)电连接；所述金属片(10)的正面、所述第一管脚(32)的一部分、所述第二管脚(33)的一部分露出所述封装体(70)。2.根据权利要求1所述的功率芯片堆叠封装结构，其特征在于，还包括金属桥(50)，所述金属桥(50)的正面通过导电结合层(61)与所述第四电极结合，所述金属桥(50)与所述第二管脚(33)电连接。3.根据权利要求2所述的功率芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述金属桥(50)的背面露出所述封装体(70)。4.根据权利要求1所述的功率芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述基岛(31)与所述第一管脚(32)为一体结构，所述第一管脚(32)的宽度为a，所述基岛(31)的宽度为b，a与b的比值为0.5至1。5.根据权利要求1所述的功率芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述第二管脚(33)为片状管脚；所述第二管脚(33)位于所述封装体(70)外的部分的宽度为c，所述封装体(70)的宽度为d，c与d的比值为0.4至0.9。6.根据权利要求1
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5任一项所述的功率芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述第一芯片(20)为三极管芯片，所述第二芯片(40)为二极管芯片；或，所述第一芯片(20)为二极管芯片，所述第二芯片(40)为三极管芯片。7.根据权利要求6所述的功率芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述三极管芯片相对的两面分别设有源极(21)和漏极；所述二极管芯片的相对两面分别设有阳极和阴极(41)；当所述第一芯片(20)为三极管芯片时，所述第二电极为所述漏极，所述第三电极为所述阴极(41)；当所述第一芯片(20)为二极管芯片时，所述第二电极为所述阴极(41)，所述第三电极为所述漏极。8.根据权利要求1述的功率芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述第一芯片(20)为三极管芯片，所述第一电极为源极(21)，所述第二电极为漏极；所述第一芯片(20)还包括与所述源极(21)共面的栅极(23)；所述引线框架还包括与所述基岛(31)绝缘的第三管脚(34)，所述栅极(23)通过金属线(62)与所述第三管脚(34)电连接；或，所述功率芯片堆叠封装结构还包括导电片(63)，所述栅极(23)通过导电结合层(61)结合于所述导电片(63)的背面，所述导电片(63)的正面露出所述封装体(70)。9.根据权利要求1所述的功率芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述第一芯片(20)为三极管芯片，所述第一电极为源极(21)，所述第二电极为漏极；所述第一芯片(20)还包括与所述源极(21)共面的栅极(23)和检测电极(24)；
所述引线框架还包括与所述基岛(31)绝缘的第三管脚(34)、与所述基岛(31)绝缘的第四管脚(35)，所述栅极(23)通过金属线(62)与所述第三管脚(34)电连接，所述检测电极(24)通过金属线(62)与所述第四管脚(35)电连接；或，所述功率芯片堆叠封装结构包括两块导电片(63)，所述栅极(23)通过导电结合层(61)结合于其一所述导电片(63)的背面，所述检测电极(24)通过导电结合层(61)结合于另一所述导电片(63)的背面，两个所述导电片(63)的正面均露出所述封装体(70)。10.根据权利要求1
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4、7
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9中任一项所述的功率芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述第一管脚(32)包括第一连接面，所述第二管脚(33)包括第二连接面；所述金属片(10)的正面、所述第一连接面和所述第二连接面位于同一平面内。