技术特征：
1.一种高导热率碳化硅器件封装结构，包括热沉，其特征在于，所述高导热率碳化硅器件封装结构还包括绝缘基板、电路层及金属层，所述绝缘基板位于所述电路层及所述金属层之间，所述金属层的下表面形成有若干导热窗口，并覆盖于所述热沉上，所述电路层的厚度在0.1mm～3.0mm的范围内，用于通过刻蚀形成所需的电路图案，所述绝缘基板用于防止所述电路层与所述金属层电性接触，所述金属层的厚度在0.1mm～4.0mm的范围内，用于减少所述绝缘基板与所述热沉之间线性膨胀差，且所述金属层与所述电路层的厚度之比大于或等于1.4且小于或等于12。2.如权利要求1所述的高导热率碳化硅器件封装结构，其特征在于，所述若干导热窗口呈阵列分布，所述若干导热窗口的形状均为圆柱体、长方体或三菱柱体中的一种。3.如权利要求1所述的高导热率碳化硅器件封装结构，其特征在于，所述绝缘基板为氮化铝陶瓷材料、氧化铝陶瓷材料或者碳化硅陶瓷材料中一种。4.如权利要求1所述的高导热率碳化硅器件封装结构，其特征在于，所述电路层、所述绝缘基板、所述金属层及所述热沉之间每相邻的叠层之间设有粘接层，所述粘接层为活性金属钎焊材料。5.如权利要求1所述的高导热率碳化硅器件封装结构，其特征在于，所述热沉为al-sic多孔复合材料。