天线装置及电子设备的制作方法

文档序号:23919627发布日期:2021-02-09 18:26阅读:59来源:国知局
天线装置及电子设备的制作方法

[0001]
本申请涉及通信技术领域,具体涉及一种天线装置及电子设备。


背景技术:

[0002]
随着通信技术的发展,诸如智能手机等电子设备能够实现的功能越来越多,电子设备的通信模式也更加多样化。例如,通常的电子设备可以支持蜂窝网络通信、无线保真(wireless fidelity,wi-fi)通信、全球定位系统(global positioning system,gps)通信、蓝牙(bluetooth,bt)通信等多种通信模式。此外,随着通信技术的进步,近来电子设备逐渐可以实现近场通信(near field communication,nfc)。在电子设备内部空间较为狭小时,如何设计电子设备nfc天线,保证近场通信的质量成立亟待解决的问题。


技术实现要素:

[0003]
本申请实施例提供一种天线装置及电子设备,该天线装置能够提升电子设备近场通信的通信质量。
[0004]
第一方面,本申请提供了一种天线装置,该天线装置包括:
[0005]
近场通信芯片,所述近场通信芯片用于提供差分激励电流;
[0006]
线圈,所述线圈与所述近场通信芯片电连接,所述线圈用于传输所述差分激励电流以向外辐射近场通信信号,所述线圈包括依次连接的多个子线圈,每一所述子线圈包括第一部分和第二部分,所述第一部分的横截面尺寸和所述第二部分的横截面尺寸不同。
[0007]
第二方面,本申请提供了一种电子设备,该电子设备包括本申请实施提供的天线装置,该电子设备包括后壳,后壳包括金属部分和非金属部分,后壳的金属部分覆盖在所述线圈的第二部分上,所述金属部分用于减少所述第二部分传输所述差分激励电流时产生的磁场对所述第一部分传输所述差分激励电流时产生的磁场的干扰。
[0008]
本申请实施例中,通过将线圈设置成第一部分和第二部分,由于第一部分的横截面尺寸和第二部分的横截面尺寸不同,则第一部分的线圈尺寸和第二部分的线圈尺寸也不同,通过不均匀分布的线圈设计,能够提高天线装置的近场通信质量。
附图说明
[0009]
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010]
图1是本申请实施例提供的电子设备的第一结构示意图。
[0011]
图2是本申请实施例提供的线圈的第一结构示意图。
[0012]
图3是本申请实施例提供的线圈的第二结构示意图。
[0013]
图4是本申请实施例提供的线圈的第三结构示意图。
[0014]
图5是本申请实施例提供的线圈的第四结构示意图。
[0015]
图6是本申请实施例提供的电子设备的第二结构示意图。
[0016]
图7是图6所示的电子设备的第一种电流流向示意图。
[0017]
图8是图6所示的电子设备的第二种电流流向示意图。
[0018]
图9是本申请实施例提供的电子设备的第三种结构示意图。
[0019]
图10是图9所示的电子设备的第一种电流流向示意图。
[0020]
图11是图9所示的电子设备的第二种电流流向示意图。
[0021]
图12是本申请实施例提供的电子设备的第四种结构示意图。
[0022]
图13是图12所示的电子设备的电路连接示意图。
具体实施方式
[0023]
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
[0024]
本申请实施例提供一种天线装置及电子设备。以下分别进行详细说明。
[0025]
本申请实施例提供一种电子设备。电子设备可以是智能手机、平板电脑等设备,还可以是游戏设备、增强现实(augmented reality,简称ar)设备、汽车装置、数据存储装置、音频播放装置、视频播放装置、笔记本电脑、桌面计算设备等。请参考图1,图1为本申请实施例提供的电子设备的第一种结构示意图。电子设备100可以包括近场通信芯片(nfc ic)10、导体结构20、线圈30和后壳40。
[0026]
其中,近场通信芯片(nfc ic)10可以用于提供近场通信信号,也即,近场通信芯片(nfc ic)10用于提供差分激励电流。差分激励电流可以包括两个电流信号,这两个电流信号的振幅相同,并且相位相反,或者理解为这两个电流信号的相位相差180度。此外,所述差分激励电流可以为平衡信号。可以理解的,模拟信号在传输过程中,如果被直接传送就是非平衡信号;如果把原始的模拟信号反相,然后同时传送反相的模拟信号和原始的模拟信号,反相的模拟信号和原始的模拟信号就叫做平衡信号。平衡信号在传送过程中经过差动放大器,原始的模拟信号和反相的模拟信号相减,得到加强的原始模拟信号,由于在传送过程中,两条传送线路受到相同的干扰,在相减的过程中,减掉了相同的干扰信号,因此平衡信号的抗干扰性能更好。
[0027]
在一些实施例中,后壳40的材质可以为金属、陶瓷、塑料等材质制成。当后壳40为陶瓷、塑料等非金属材料时,后壳40对近场通信信号不会屏蔽,电子设备100可以直接将线圈30设置在后壳40朝向电子设备100内部的一方。当后壳40为金属和非金属材料的时候,可以将线圈30的一部分设置在非金属材料下,一部分设置在金属材料下,以此来实现近场通信。当后壳40为金属材料的时候,可以在金属后壳上开设缝隙来使得线圈30来收发信号,实现近场通信。
[0028]
在一些实施例中,线圈30的形状可以是矩形线圈、圆形线圈、椭圆形线圈等规则形状的线圈,也可以是不规则形状的线圈。其中线圈的圈数可以是单圈线圈,也可以是多圈线圈。其中线圈30可以是多圈子线圈依次连接而成的。
[0029]
在本申请实施例中,以矩形线圈为例,具体请参阅图2,图2是本申请实施例提供的线圈的第一结构示意图。线圈30包括第一部分31和第二部分32,第一部分31和第二部分32连接形成完整的线圈30。同理,每一子线圈的第一部分和第二部分连接形成完整的子线圈。具体的,线圈30为矩形时,矩形线圈包括四个边,第一部分31可以为线圈30中的至少一条边上的线圈,而第二部分32为线圈30中除第一部分31的其他边上的线圈。
[0030]
在一些实施例中,第一部分31的线圈尺寸和第二部分32的线圈尺寸是不同的。如图3所示,图3是本申请实施例提供的线圈的第二结构示意图。其中,第一部分31的每圈线圈的横截面尺寸和第二部分32每圈线圈的横截面尺寸不同,例如横截面面积不同、横截面直径不同、横截面长度不同等等。
[0031]
具体的,当线圈缠绕的线为圆柱形的线时,第一部分31上的每圈线圈的横截面直径都比第二部分32上的每圈线圈的横截面直径大,或者第一部分31上的每圈线圈的横截面面积都比第二部分32上的每圈线圈的面积大。
[0032]
当线圈缠绕的线为矩形柱装的线时,第一部分31上的每圈线圈的横截面长度都比第二部分32上的每圈线圈的横截面长度大。
[0033]
从子线圈上来考虑,每一子线圈的第一部分的横截面尺寸大于第二部分的横截面尺寸。
[0034]
在一些实施方式中,第一部分31每相邻线圈之间的间距也和第二部分32每相邻线圈之间的间距不同。具体请参阅图4,图4是本申请实施例提供的线圈的第三结构示意图。其中第一部分31每相邻线圈之间的间距d1大于第二部分32每相邻线圈之间的间距d2。
[0035]
图4中仅仅示出线圈30第一部分31的一边和第二部分32的一边的对比。可以理解的是,第二部分32的其他边上,第二部分32每相邻线圈之间的间距也小于第一部分31每相邻线圈之间的间距。即使线圈30处于不同的形状,第一部分31每相邻线圈之间的间距大于二部分32每相邻线圈之间的间距。
[0036]
从子线圈上来考虑,每相邻两个子线圈的第一部分之间的间距大于第二部分之间的间距。
[0037]
上述的线圈设计方式,能够通过减小第二部分32的每圈线圈的尺寸大小,以及减小每相邻线圈之间的间距,从而缩小整个线圈30的面积大小,使得线圈30在电子设备100内部占据较小的面积和空间,更容易设置线圈30。
[0038]
在相关技术中,实现近场通信的线圈往往是均匀线圈,即线圈中线的尺寸是相同的,每相邻两条线之间的间距也是相同的。但是当线圈的面积减小时,均匀线圈的通讯性能会变差。
[0039]
为了解决线圈面积变小,线圈的通讯性能变差的问题。本申请实施例中,将线圈30设置成不均匀的线圈,由第一部分31和第二部分32组成,能够在线圈面积减小时保证线圈的通讯性能不会降低。
[0040]
在实验过程中,当线圈30为不均匀线圈时,请结合图4,线圈30为矩形线圈,第一部分31为矩形线圈的上侧边,第二部分32为矩形线圈的左侧边、右侧边和下侧边。其中,设置第一部分31的每圈线圈的横截面长度为0.6mm,第一部分31的每相邻线圈的间距为0.4mm。第二部分32每圈线圈的横截面长度为0.2mm,第二部分32的每相邻线圈的间距为0.2mm。当线圈为均匀线圈时,线圈为矩形线圈,线圈的线的横截面长度为0.2mm,线圈30每相邻线圈
之间的间距为0.2mm。且不均匀线圈和均匀线圈的面积相同。
[0041]
通过对不均匀线圈和不均匀线圈进行仿真,且不均匀线圈和不均匀线圈以15mm高度处的磁场性能为准。得到表1所示数据。
[0042][0043]
表1
[0044]
可见在均匀线圈和不均匀线圈面积相同时,不均匀线圈的最大磁场强度大于均匀线圈的最大磁场强度,不均匀线圈磁场强度超过1a/m的区域面积大于均匀线圈磁场强度超过1a/m的区域面积。也就是说,不均匀线圈的通讯性能比均匀线圈的通讯性能更好。
[0045]
请继续参阅图5,图5是本申请实施例提供的线圈的第四结构示意图。在一些实施例中,当线圈30为矩形线圈时,可以通过对线圈30的高度h进行缩减,从而进一步减小矩形线圈的面积。但是进一步减小面积时,线圈30的上侧边和下侧边距离过近,即第一部分31和第二部分32相对的两边距离过近。当线圈30通电时,第二部分32中的下侧边产生的磁场会对第一部分31产生的磁场进行干扰。
[0046]
为了解决在线圈面积过小时,第二部分32产生的磁场对第一部分31产生的磁场的干扰。可以利用后壳40的金属部分覆盖住第二部分32,同时在后壳的非金属部分下设置第一部分31,降低第二部分32产生的磁场对第一部分31产生的磁场的干扰,同时在线圈30面积减小的同时,使得线圈30的近场通讯质量不会降低。
[0047]
请继续参阅图6,图6是本申请实施例提供的电子设备的第二结构示意图,在一些实施例中,可以在线圈30下设置磁场增强体50,来增强线圈30所辐射的磁场,例如磁场增强体50可以为铁氧体,铁氧体指磁性陶瓷,磁性陶瓷主要是指铁氧体陶瓷,铁氧体是以氧化铁和其他铁族或稀土族氧化物为主要成分的复合氧化物。铁氧体能够增强线圈30所产生的磁场。
[0048]
需要说明的是,近场通信芯片10、线圈30、导体结构20、磁场增强体50可以构成一个天线装置,由于线圈30的不均分布设计,线圈30在通电时具备良好的辐射性能,且磁场增强体50能够增强线圈30通电时产生的磁场,进一步增强该天线装置近场通信质量。
[0049]
如图6所示,导体结构20和线圈30可以分别与近场通信芯片(nfc ic)10电连接,线圈30、导体结构20和近场通信芯片10可以形成导电回路60,线圈30、导体结构20和近场通信芯片10可以共同用于传输近场通信芯片10提供的差分激励电流。线圈30还包括第一端部和第二端部,第一端部和近场通信芯片连接,第二端部和导体结构20连接。
[0050]
本申请实施例的电子设备100,在导电回路60的作用下,线圈30传输差分激励电流时可以向外辐射近场通信信号并可以形成第一近场通信辐射场。导体结构20传输差分激励电流时,可向外辐射近场通信信号并可形成第二近场通信辐射场,在第一近场通信辐射场和第二近场通信辐射场的作用下,可以提高整个电子设备100传输近场通信信号时的辐射面积,提高电子设备100的辐射性能。
[0051]
其中,导体结构20和线圈30共同传输差分激励电流时,线圈30形成的第一近场通
信辐射场可以与导体结构20形成的第二近场通信辐射场可以至少部分重叠。从而第一近场通信辐射场、第二近场通信辐射场可以进一步相互增强,可以进一步提高电子设备100的辐射性能。
[0052]
其中,为了进一步增强电子设备100的辐射性能,可以使使导体结构20传输的差分激励电流的方向与线圈30传输的差分激励电流的方向相同。此时,第二近场通信辐射场可以与第一近场通信辐射场同向或近似同向,按照场强矢量加减规则,第二近场通信辐射场可以与第一近场通信辐射场相互增强从而可以进一步提高电子设备100的辐射性能。
[0053]
可以理解的是,可以通过调整导体结构20的电流输入端和电流输出端的相对位置来调整导体结构20和线圈30的电流方向。示例性的,请参考图7和图8,图7是图6所示的电子设备的第一种电流流向示意图,图8是图6所示的电子设备的第一种电流流向示意图。
[0054]
如图7所示,通过调整导体结构20的电流输入端和电流输出端的相对位置,差分激励电流在导体结构20中的流向为逆时针而在线圈30中的流向为顺时针,此时导体结构20传输的差分激励电流的方向与线圈30传输的差分激励电流的方向相反,第二近场通信辐射场与第一近场通信辐射场相互削弱,不利于提高电子设备100的辐射性能。
[0055]
如图8所示,通过调整导体结构20的电流输入端和电流输出端的相对位置,差分激励电流在导体结构20中的流向为顺时针而在线圈30中的流向也为顺时针,则此时导体结构20传输的差分激励电流的方向与线圈30传输的差分激励电流的方向相同,第二近场通信辐射场可以与第一近场通信辐射场相互增强,可以提高电子设备100的辐射性能。
[0056]
本申请实施例的电子设备100,线圈30的第一部分31和第二部分32的线圈尺寸不同,能够提高线圈30生成第一近场通信辐射场的能力,从而增强近场通信的质量。在导电回路60的作用下,线圈30传输差分激励电流时,线圈30可以形成第一近场通信辐射场;导体结构20传输差分激励电流时,导体结构20可以在导电回路60的作用下形成第二近场通信辐射场;在第一近场通信辐射场和第二近场通信辐射场的作用下,本申请实施例的电子设备100,其辐射面积及感应区域面积更广,可进一步提高电子设备100的近场通信性能。
[0057]
其中,本申请实施例的近场通信芯片(nfc ic)10、导体结构20和线圈30可以如图6直接串联形成导电回路60。当然,本申请实施例的近场通信芯片(nfc ic)10、导体结构20和线圈30可以通过接地系统而串联形成导电回路60。示例性的,请参图图9,图9为本申请实施例提供的电子设备的第三种结构示意图,电子设备100还可以包括接地系统,线圈30和导体结构20可以分别连接于接地系统,近场通信芯片(nfc ic)10、导体结构20、接地系统和线圈30可形成导电回路60。
[0058]
其中,接地系统可以包括间隔设置的第一接地点71和第二接地点72。第一接地点71、第二接地点72例如可以为接地系统的端部,或者也可以为接地系统上的凸起结构,或者也可以为接地系统上形成的焊盘等等。
[0059]
其中,接地系统在第一接地点71和第二接地点72之间可以形成导电路径,导电路径可以用于传导电流。也即,当在第一接地点71与第二接地点72施加电压信号时,第一接地点71与第二接地点72之间可以产生电流,从而形成电流回路。可以理解的,当近场通信芯片(nfc ic)10提供差分激励电流时,第一接地点71和第二接地点72之间的导电路径可以用于传输差分激励电流。
[0060]
其中,近场通信芯片(nfc ic)10可以包括第一差分信号端11和第二差分信号端
12。第一差分信号端11和第二差分信号端12可以用于提供差分激励电流。导体结构20包括间隔设置的第一馈电端21和第一接地端22。第一馈电端21与近场通信芯片(nfc ic)10的第一差分信号端11电连接,第一接地端22与接地系统的第一接地点71电连接。线圈30包括第二馈电端33和第二接地端34,第二馈电端33与线圈30的第二差分信号端12电连接,第二接地端34与接地系统的第二接地点72电连接,从而导体结构20、线圈30以及导电路径共同形成导电回路60。
[0061]
示例性的,请参考图10,图10为图9所示的电子设备的第一种电流流向示意图。第一差分信号端11可以为近场通信芯片(nfc ic)10的正(+)端口,第二差分信号端12可以为近场通信芯片(nfc ic)10的负(-)端口。此时,差分激励电流可以从近场通信芯片(nfc ic)10的正(+)端口流经导体结构20的第一馈电端21,并从导体结构20的第一接地端22通过接地系统的第一接地点71流入接地系统中,电流流经导电路径并从接地系统的第二接地点72流入线圈30的第二接地端34,并从线圈30的第二馈电端33流出至近场通信芯片(nfc ic)10的负(-)端口。
[0062]
示例性的,请参考图11,图11为图9所示的电子设备的第二种电流流向示意图。第一差分信号端11可以为近场通信芯片(nfc ic)10的负(-)端口,第二差分信号端12可以为近场通信芯片(nfc ic)10的正(+)端口。此时,差分激励电流可以从近场通信芯片(nfc ic)10的正(+)端口流经线圈30的第二馈电端33,并从线圈30的第二接地端34通过接地系统的第二接地点72流入接地系统中,电流流经导电路径并从接地系统的第一接地点71流入导体结构20的第一接地端22,并从导体结构20的第一馈电端21流出至近场通信芯片(nfc ic)10的负(-)端口。
[0063]
可以理解的是,在图10和图11中,也可以通过调整导体结构20的第一馈电端21和第一接地端22的相对位置来调整导体结构20与线圈30的电流方向,在此不再赘述。
[0064]
可以理解的是,接地系统可以通过电子设备100中的导体、印刷线路或者金属印刷层等形成。例如,接地系统可以设置在电子设备100的电路板上。接地系统还可以形成在电子设备100的中框上,或者也可以通过金属后壳40来形成接地系统。
[0065]
可以理解的是,导体结构20可以包括但不限于电子设备100中的金属结构、金属走线、绕制线圈等结构。只要可以与近场通信芯片(nfc ic)10、线圈30形成导电回路60的导体结构20均可以在本申请的保护范围内。
[0066]
可以理解的是,导体结构20除了形成的第二近场通信辐射场并传输近场通信信号外,本申请实施例的导体结构20还可以用于传输非近场通信信号。示例性的,请参考图12,图12为本申请实施例提供的电子设备的第四种结构示意图。电子设备100还可以包括非近场通信芯片80,该非近场通信芯片80可以是ic芯片,该非近场通信芯片80可以用于提供非近场通信激励信号。导体结构20还可以包括第三馈电端23,该第三馈电端23可以与非近场通信芯片80电连接,从而,导体结构20可以用于传输非近场通信激励信号。
[0067]
可以理解的是,非近场通信激励信号可以是非平衡信号,包括但不限于蜂窝网络信号、无线保真(wireless fidelity,wi-fi)信号、全球定位系统(global positioning system,gps)信号、蓝牙(bluetooth,bt)信号。相应的,非近场通信芯片80可以为蜂窝通信芯片,用于提供蜂窝网络信号;非近场通信芯片80可以为wi-fi芯片,用于提供wi-fi信号;非近场通信芯片80可以为gps芯片,用于提供gps信号;非近场通信芯片80还可以为bt芯片,
用于提供所述bt信号。
[0068]
可以理解的是,第三馈电端23可以与第一馈电端21、第一接地端22间隔设置。第三馈电端23与非近场通信芯片80电连接,非近场通信芯片80可以通过第三馈电端23向第一导体结构20馈入非近场通信激励信号,使得导体结构20还可以用于传输非近场通信激励信号。
[0069]
可以理解的是,导体结构20在传输非近场通信激励信号时,可以通过第一接地端22与接地系统电连接,或者也可以通过其他的接地点与接地系统电连接。
[0070]
本申请实施例的电子设备100,导体结构20既可以用于传输nfc ic提供的差分激励电流信号,又可以用于传输非近场通信芯片80提供的非近场通信激励信号,从而可以实现第一导体结构20的复用,能够减少电子设备100中用于传输无线信号的导体结构20的数量,从而可以节省电子设备100的内部空间。
[0071]
其中,需要说明的是,nfc信号的频率通常为13.56mhz(兆赫兹),蜂窝网络信号的频率通常在700mhz以上,wi-fi信号的频率通常为2.4ghz(吉赫兹)或5ghz,gps信号的频率通常包括1.575ghz、1.227ghz、1.381ghz、1.842ghz等多个频段,bt信号的频率通常为2.4ghz。因此,相对于蜂窝网络信号、wi-fi信号、gps信号、bt信号而言,nfc信号为低频信号,而蜂窝网络信号、wi-fi信号、gps信号、bt信号均为高频信号。或者也可以理解为,nfc信号为低频信号,非近场通信激励信号为高频信号,nfc信号的频率小于非近场通信激励信号的频率。
[0072]
此外,需要说明的是,在传输无线信号时,无线信号的频率越低,所需的辐射体长度越长;而无线信号的频率越高,所需的辐射体长度越短。也即,传输nfc信号所需的辐射体的长度大于传输非近场通信激励信号所需的辐射体长度。
[0073]
示例性的,在第一导体结构20中,第一馈电端21与第一接地端22的距离可以大于第三馈电端23与第一接地端22的距离。从而,即可使得在第一导体结构20中,传输nfc信号的辐射体的长度大于传输所述非近场通信激励信号的辐射体的长度。
[0074]
此外,为了减小第一导体结构20的整体长度,可以设置为第三馈电端23与第一馈电端21位于所述第一接地端22的同一侧。也即,第三馈电端23位于第一馈电端21与第一接地端22之间。相较于第三馈电端23与第一馈电端21位述第一接地端22的不同侧而言,第三馈电端23与第一馈电端21位于所述第一接地端22的同一侧可以复用第三馈电端23与第一接地端22之间的部分,从而可以减小第一导体结构20的整体长度。
[0075]
其中,为了进一步提高电子设备100的辐射性能,电子设备100还可以包括匹配电路,该匹配电路也可以称为匹配网络、调谐电路、调谐网络等。示例性的,请参考图13,图13为图12所示的电子设备的电路连接示意图。电子设备100还可以包括第一匹配电路m1,第一匹配电路m1分别与近场通信芯片(nfc ic)10的第一差分信号端11、近场通信芯片(nfc ic)10的第二差分信号端12、导体结构20的第一馈电端21、线圈30的第二馈电端33电连接。第一匹配电路m1用于对导电回路60传输差分激励电流时的阻抗进行匹配。
[0076]
其中,第一匹配电路m1可以包括第一输入端a、第一输出端b、第二输入端c、第二输出端d。第一输入端a与近场通信芯片(nfc ic)10的第一差分信号端11电连接,第一输出端b与导体结构20的第一馈电端21电连接;第二输入端c与线圈30的第二馈电端33电连接,第二输出端d与近场通信芯片(nfc ic)10的第二差分信号端12电连接。
[0077]
为了滤除导电回路60中的杂波,电子设备100还可以包括滤波电路。该滤波电路可以被称为滤波网络。示例性的,如图11所示,电子设备100还可以包括第一滤波电路lc1和第二滤波电路lc2。其中,第一滤波电路lc1设置在近场通信芯片(nfc ic)10的第一差分信号端11与第一匹配电路m1的第一输入端a之间。第一滤波电路lc1用于滤除第一差分信号端11与第一输入端a之间的第一干扰信号。第一干扰信号即为nfc ic提供的差分激励电流之外的电信号。
[0078]
第二滤波电路lc2设置在近场通信芯片(nfc ic)10的第二差分信号端12与第一匹配电路m1的第二输入端b之间。第二滤波电路lc2用于滤除第二差分信号端12与第二输出端d之间的第二干扰信号。第二干扰信号即为nfc ic提供的差分激励电流之外的电信号。
[0079]
可以理解的是,第一匹配电路m1可以包括由电容、电感的任意串联或者任意并联所组成的电路。
[0080]
本申请实施例中,通过对线圈30设计成第一部分31和第二部分32,第一部分31的线圈尺寸与第二部分32的线圈尺寸不同,且第一部分31的每相邻线圈之间的间距与第二部分32的每相邻线圈之间的间距也不同,不均匀分布的线圈30在其面积较小时,也能够保证线圈30的辐射性能,从而提高电子设备100的近场通讯质量。
[0081]
以上对本申请实施例所提供的一种天线装置及电子设备进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
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