技术特征：
1.一种整流半导体器件，其特征在于，包括第一金属基片、第二金属基片、第三金属基片、第四金属基片、两个第一芯片、两个第二芯片、金属跳线和塑封体，其中：所述第一金属基片和第二金属基片的底部均为平面无凸点结构，并且分别设置在所述塑封体内两侧并向外延伸至所述塑封体外部，以形成两直流输出端，所述第三金属基片和第四金属基片分别相对于所述第一金属基片和第二金属基片设置在所述塑封体内，并且向外延伸至所述塑封体外部，以形成两交流输入端，所述第一芯片采用n型衬底gpp芯片，而第二芯片采用p型衬底gpp芯片，其中所述两个第一芯片通过各自n极布置在所述第一金属基片上，所述两个第二芯片通过各自p极布置在所述第二金属基片上，并且一个所述第一芯片的p极和一个第二芯片的n极分别通过金属跳线连接到所述第三金属基片，而另一个第一芯片的p极和另一个第二芯片的n极分别通过金属跳线连接到第四金属基片。2.根据权利要求1所述的整流半导体器件，其特征在于，所述第一金属基片和第二金属基片分别设置在所述塑封体内的左右两侧并向上延伸至塑封体外部，以形成两直流输出端。3.根据权利要求2所述的整流半导体器件，其特征在于，所述第三金属基片和第四金属基片分别设置在所述第一金属基片和第二金属基片的下侧，并向下延伸至所述塑封体外部，以形成两交流输入端。4.根据权利要求1所述的整流半导体器件，其特征在于，所述n型衬底gpp芯片的正面台面设为p极，p型衬底gpp芯片的正面台面设为n极。5.根据权利要求4所述的整流半导体器件，其特征在于，所述n型衬底gpp芯片和p型衬底gpp芯片的正面台面的边缘均设有玻璃保护凸起。6.根据权利要求1所述的整流半导体器件，其特征在于，所述两个第一芯片和两个第二芯片的排列方向均与直流输出端方向相同。7.根据权利要求1所述的整流半导体器件，其特征在于，所述第一金属基片和第二金属基片共平面。8.根据权利要求1所述的整流半导体器件，其特征在于，所述第一金属基片和第二金属基片的底部与所述塑封体底部共平面。9.根据权利要求1所述的整流半导体器件，其特征在于，所述整流半导体器件是散热片结构表面贴装整流桥。10.根据权利要求1
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9的任意一项所述的整流半导体器件，其特征在于，所述金属跳线包括铝线或铜线。