一种采样计量装置用传感器单晶硅刻蚀装置的制作方法

本实用新型涉及单晶硅刻蚀装置技术领域，具体为一种采样计量装置用传感器单晶硅刻蚀装置。

背景技术：

单晶硅传感器，适用于医学、军事与航空航天、工业和汽车应用。基本原理是利用半导体的压阻效应和微机械加工技术，在单晶硅片的特定晶向上，用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥，形成敏感膜片，当受到外力作用时产生微应变，电阻率发生变化，使桥臂电阻发生变化（一对变大一对变小）在激励电压信号输出，经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺，生产出具有标准输出信号的压力变送器。

传感器用单晶硅在加工过程中，均需对其进行刻蚀处理，现有的刻蚀加工过程中，其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上，并通过向片架所在位置导入反应气体，并使得反应气体在电场环境下产生等离子体，以对单晶硅进行刻蚀，片架在刻蚀过程中通常需要进行旋转以增加单晶硅与等离子体的接触均度，但是仅仅对单晶硅进行旋转，对提高单晶硅蚀刻效率与效果并不明显，次此外，在对单晶硅蚀刻后温度会升高，目前常见的蚀刻装置缺少相应的散热降温结构，导致单晶硅不能快速降温，容易对单晶硅质量造成影响，为此，我们提出一种采样计量装置用传感器单晶硅刻蚀装置以解决上述提出的问题。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种采样计量装置用传感器单晶硅刻蚀装置，具有提高对单晶硅的刻蚀效果、提高对单晶硅的散热效果等优点，解决了上述背景技术中提出的问题。

为实现以上提高对单晶硅的刻蚀效果、提高对单晶硅的散热效果的目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：一种采样计量装置用传感器单晶硅刻蚀装置，包括反应室，所述反应室的顶部固定安装有密封顶盖，且密封顶盖的顶部固定安装有气源室，所述反应室的底部固定安装有伺服电机，且伺服电机的输出轴上卡接有位于反应室内部的中心安装管，所述中心安装管的外部固定安装有均匀分布的放置片架，所述中心安装管的中部活动安装有一级中心散热气管，且一级中心散热气管的侧面螺纹套接有贯穿至中心安装管外部的二级散热气管，所述一级中心散热气管内部的上方固定套装有轴承，且一级中心散热气管内部的上方通过轴承活动安装有进气连接管，所述密封顶盖的顶部固定安装有气泵，且气泵的输出端固定安装有进气管，所述进气管的一端与进气连接管活动连接，所述反应室的外部活动安装有线圈防护罩，且线圈防护罩的内部固定安装有电磁线圈，所述反应室底部的左侧固定安装有驱动电机，且驱动电机的输出轴上固定套装有偏心轮，所述反应室的底部固定安装有支撑腿。

优选的，所述中心安装管的外部开设有与二级散热气管相互配合的安装孔，所述二级散热气管的底部开设有均匀分布的出气孔。

优选的，所述伺服电机的输出轴外部以及中心安装管的底部开设有相互配合的卡块与卡槽，所述卡块与卡槽均为多边形。

优选的，所述支撑腿的外部固定安装有限位环，且限位环的顶部固定安装有均匀分布的复位弹簧，所述复位弹簧的顶端与线圈防护罩固定连接。

优选的，所述反应室外侧的下方设置有与线圈防护罩相互配合的限位块，所述反应室的底部固定安装有排气阀管。

优选的，所述密封顶盖通过螺钉与反应室固定连接，所述密封顶盖的底部固定安装橡胶垫。

本实用新型提供了一种采样计量装置用传感器单晶硅刻蚀装置，具备以下有益效果：

1、该采样计量装置用传感器单晶硅刻蚀装置，在对单晶硅进行蚀刻时，通过驱动电机带动偏心轮转动，从而带动线圈防护罩以及线圈防护罩内部的电磁线圈往复上下移动，使反应室内部的电场分布实时变化，从而使反应室内部的电场分布更加均匀，进一步使反应气体在电场作用下产生的等离子体分布更加均匀，提高该装置对单晶硅的蚀刻效果，进一步提高了单晶硅的质量。

2、该采样计量装置用传感器单晶硅刻蚀装置，当单晶硅蚀刻后，打开反应室底部的排气阀管，气泵工作将冷却气体导入一级中心散热气管与二级散热气管底部，并沿二级散热气管底部的出气孔排出，实现对单晶硅快速进行散热，防止温度过高对单晶硅造成影响，进一步提高了单晶硅的质量。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型反应室内部的结构示意图；

图3为本实用新型中心安装管外部的结构示意图；

图4为本实用新型一级中心散热气管外部的结构示意图。

图中：1、反应室；2、密封顶盖；3、气源室；4、伺服电机；5、中心安装管；6、放置片架；7、一级中心散热气管；8、进气连接管；9、二级散热气管；10、气泵；11、进气管；12、驱动电机；13、偏心轮；14、线圈防护罩；15、限位环；16、复位弹簧；17、支撑腿。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

请参阅图1至图4，本实用新型提供一种技术方案：一种采样计量装置用传感器单晶硅刻蚀装置，包括反应室1，反应室1的顶部固定安装有密封顶盖2，且密封顶盖2的顶部固定安装有气源室3，伺服电机4的输出轴外部以及中心安装管5的底部开设有相互配合的卡块与卡槽，卡块与卡槽均为多边形，保证在对单晶硅蚀刻时，伺服电机4可以带动中心安装管5、放置片架6以及单晶硅进行转动，同时在单晶硅蚀刻后，便于将中心安装管5与单晶硅取出，伺服电机4的输出轴外部以及中心安装管5的底部开设有相互配合的卡块与卡槽，卡块与卡槽均为多边形，保证在对单晶硅蚀刻时，伺服电机4可以带动中心安装管5、放置片架6以及单晶硅进行转动，同时在单晶硅蚀刻后，便于将中心安装管5与单晶硅取出，反应室1的底部固定安装有伺服电机4，且伺服电机4的输出轴上卡接有位于反应室1内部的中心安装管5，中心安装管5的外部固定安装有均匀分布的放置片架6，中心安装管5的中部活动安装有一级中心散热气管7，伺服电机4的输出轴外部以及中心安装管5的底部开设有相互配合的卡块与卡槽，卡块与卡槽均为多边形，保证在对单晶硅蚀刻时，伺服电机4可以带动中心安装管5、放置片架6以及单晶硅进行转动，同时在单晶硅蚀刻后，便于将中心安装管5与单晶硅取出，且一级中心散热气管7的侧面螺纹套接有贯穿至中心安装管5外部的二级散热气管9，中心安装管5的外部开设有与二级散热气管9相互配合的安装孔，二级散热气管9的底部开设有均匀分布的出气孔，当单晶硅蚀刻后，打开反应室1底部的排气阀管，气泵10工作将冷却气体导入一级中心散热气管7与二级散热气管9底部，并沿二级散热气管9底部的出气孔排出，实现对单晶硅快速进行散热，防止温度过高对单晶硅造成影响，进一步提高了单晶硅的质量，一级中心散热气管7内部的上方固定套装有轴承，且一级中心散热气管7内部的上方通过轴承活动安装有进气连接管8，密封顶盖2的顶部固定安装有气泵10，且气泵10的输出端固定安装有进气管11，进气管11的一端与进气连接管8活动连接，反应室1的外部活动安装有线圈防护罩14，且线圈防护罩14的内部固定安装有电磁线圈，反应室1底部的左侧固定安装有驱动电机12，且驱动电机12的输出轴上固定套装有偏心轮13，反应室1的底部固定安装有支撑腿17，支撑腿17的外部固定安装有限位环15，且限位环15的顶部固定安装有均匀分布的复位弹簧16，复位弹簧16的顶端与线圈防护罩14固定连接，反应室1外侧的下方设置有与线圈防护罩14相互配合的限位块，反应室1的底部固定安装有排气阀管，在对单晶硅进行蚀刻时，通过驱动电机12带动偏心轮13转动，结合复位弹簧16对线圈防护罩14施加拉力，并通过限位块对线圈防护罩14进行限制，从而带动线圈防护罩14以及线圈防护罩14内部的电磁线圈往复上下移动，使反应室1内部的电场分布实时变化，从而使反应室1内部的电场分布更加均匀，进一步使反应气体在电场作用下产生的等离子体分布更加均匀，提高该装置对单晶硅的蚀刻效果。

综上，该采样计量装置用传感器单晶硅刻蚀装置，使用时，将单晶硅放置在放置片架6顶部，并将中心安装管5卡在伺服电机4的输出轴上，将中心安装管5顶部的进气连接管8与进气管11底端接通，通过气源室3向反应室1内部注入反应气体，线圈防护罩14内部的电磁线圈工作，使反应室1内部产生电场，在对单晶硅进行蚀刻时，通过驱动电机12带动偏心轮13转动，并于复位弹簧16结合工作，从而带动线圈防护罩14以及线圈防护罩14内部的电磁线圈往复上下移动，使反应室1内部的电场分布实时变化，从而使反应室1内部的电场分布更加均匀，使反应气体在电场作用下产生的等离子体分布更加均匀，提高蚀刻效果，当单晶硅蚀刻后，打开反应室1底部的排气阀管，气泵10工作将冷却气体导入一级中心散热气管7与二级散热气管9底部，并沿二级散热气管9底部的出气孔排出，实现对单晶硅快速进行，即可。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。