技术总结
本实用新型公开了一种IGBT模块功率端子结构，包括N端子导电金属、P端子导电金属、包裹N端子导电金属的第一绝缘材料层和包裹P端子导电金属且与第一绝缘材料层相接触的第二绝缘材料层，N端子导电金属具有与母排接触的第一接触面，P端子导电金属具有与母排接触的第二接触面，第一接触面从第一绝缘材料层中露出，第二接触面从第二绝缘材料层中露出。本实用新型的IGBT模块功率端子结构，极大降低了端子与母排连接结构处的回路面积，因此也降低了回路的杂散电感。回路的杂散电感。回路的杂散电感。
技术研发人员：温世达 高远 曹新明
受保护的技术使用者：安徽瑞迪微电子有限公司
技术研发日：2020.12.09
技术公布日：2021/7/8