1.一种用于发光二极管转移的压印，用于巨量转移发光二极管芯粒，其特征在于，
包括：
电源，
相对设置的第一导电基板和第二导电基板，位于两者之间且与两者直接相接的电致弹性介电体，第二导电基板具有复数个通孔，第一导电基板、第二导电基板分别与电源电连接。
2.根据权利要求1所述的一种用于发光二极管转移的压印，其特征在于，电致弹性介电体材料包括：聚氨酯、聚丙烯、电致活性酸酯或者电致活性硅橡胶。
3.根据权利要求1所述的一种用于发光二极管转移的压印，其特征在于，电致弹性介电体包括第一表面和第二表面，其中第一表面与第一导电基板接触，第二表面与第二导电基板接触。
4.根据权利要求1所述的一种用于发光二极管转移的压印，其特征在于，电致弹性介电体弹性模量不大于10mpa。
5.根据权利要求1所述的一种用于发光二极管转移的压印，其特征在于，电致弹性介电体的介电常数不小于5。
6.根据权利要求1所述的一种用于发光二极管转移的压印，其特征在于，第二导电基板上的通孔为阵列型图案分布。
7.根据权利要求1所述的一种用于发光二极管转移的压印，其特征在于，通孔的孔径为1μm至50μm，或者50μm至100μm，或者100μm至200μm。
8.根据权利要求1所述的一种用于发光二极管转移的压印，其特征在于，第一导电基板和第二导电基板的电性相异时，电致弹性介电体应变增大。
9.根据权利要求8所述的一种用于发光二极管转移的压印，其特征在于，第一导电基板和第二导电基板的电性相异时，第一导电基板和第二导电基板相向移动挤压电致弹性介电体使得电致活性弹性体从第二导电基板的通孔中形成图形凸起。
10.根据权利要求9所述的一种用于发光二极管转移的压印，其特征在于，所述图形凸起的高度为5μm至100μm。
11.根据权利要求9所述的一种用于发光二极管转移的压印，其特征在于，第一导电基板和第二导电基板的电性相异时，第一导电基板和第二导电基板相互吸引，产生相向运动。
12.根据权利要求1所述的一种用于发光二极管转移的压印，其特征在于，第一导电基板和第二导电基板的电性相同时，第一导电基板和第二导电基板相互远离。
13.根据权利要求1所述的一种用于发光二极管转移的压印，其特征在于，第一导电基板和第二导电基板的电性相同或者不带电，电致弹性介电体呈膜状结构。
14.根据权利要求1所述的一种用于发光二极管转移的压印，其特征在于，第一导电基板和第二导电基板材料包括：金属导电体或者非金属导电体，金属导体材料包括金、铂、铜、钨、铝、银、钛或者以上金属的合金，非金属导电体材料包括ito或者izo。
15.根据权利要求1所述的一种用于发光二极管转移的压印，其特征在于，第一导电基板为表面连续的板状结构。
16.根据权利要求1所述的一种用于发光二极管转移的压印，其特征在于，电源分别向第一导电基板和第二导电基板提供同种或者异种电荷。
17.一种用于发光二极管转移的压印，用于巨量转移发光二极管芯粒，其特征在于，
包括：
电源，
相对设置的第一连接基板和第二连接基板，位于两者之间且与两者直接相接的电致弹性介电体，其中第二连接基板具有复数个通孔，
相对设置的第一导电基板和第二导电基板，电致弹性介电体位于第一导电基板和第二导电基板之间，第一导电基板、第二导电基板分别与电源电连接。
18.一种发光二极管的转移方法，采用权利要求1至权利要求16任意一项所述的压印，用以巨量转移发光二极管，包括步骤：
步骤1：通过电源向第一导电基板和第二导电基板通入异种电荷，第一导电基板和第二导电基板相对相向移动，向电致弹性介电体施加压力，电致活性弹性体从第二导电基板的通孔中变形突出，形成图形凸起；
步骤2：提供发光二极管阵列，利用压印与发光二极管接触，吸附并巨量转移发光二极管；
步骤3：通过电源向第一导电基板和第二导电基板通入同种电荷，第一导电基板和第二导电基板相互远离，电致弹性介电体恢复变形前形状，释放发光二极管。
19.根据权利要求18所述的一种发光二极管的转移方法，其特征在于，步骤3替换为向第一导电基板或者第二导电基板断电则电致弹性介电体恢复变形前形状，释放发光二极管。
20.根据权利要求18所述的一种发光二极管的转移方法，其特征在于，步骤3中，第二导电基板不产生位移，发光二极管随着凸起收缩与第二导电基板接触后释放。